改进端盖结构降低电动机振动

电动机配套安装中发现有部分Y系列高压电动机振动超标，而且轴向振动突出。通过观察和数据分析，建议将电动机的平板式钢板端盖改为盘式铸铁端盖。     

近似逆系统方法应用于HVDC的有源直流滤波器

谐波治理是高压直流(HVDC)输电的关键技术之一。文中分析了应用在HVDC直流侧的有源直流滤波器的工作原理，从跟踪控制的角度出发，选取谐波源电流作为检测对象，把补偿电流作为反馈信号，构建了基于近似逆系统控制的复合控制；在控制器实现中，提出了以滤波器组构建近似逆系统的方法。PSCAD仿真和样机实验结果验证，因避开了弱信号提取问题，加之近似逆系统控制的快速稳定性，有源直流滤波器系统稳定、滤波效果优良，为下一步工业实施奠定了基础。     

OPGW的热稳定性分析

OPGW(Composite Fiber Optic Overhead Ground Wire)又称为光纤架空复合地线，它是利用高压输电线路的一根地线(避雷线)复合组成OPGW来传输光信息。文中阐述了短路电流引起OPGW温升的机理，讨论了OPGW在发生接地故障时的温升和短路电流计算方法，建立了一种完整的计算方法。对OPGW的热稳定性进行了探讨，提出了降低OPGW中的短路电流与热容量的几种措施。     

食用油包装正在升级

过去市场上的食用油采用的是不透明的高压低密度聚乙烯(简称PE),这种包装中含有低分子聚乙烯,较易溶于油脂,所以聚乙烯制的食具如长期盛装食用油,可将其低分子聚乙烯溶出,而使油脂多的食用油带有哈喇味。这样,消费者在消费传统包装的食用油的同时,也“消费”了不能食用的对健康有害的低分子聚乙烯。在欧美等发达国家,PE包装早已被淘汰,同时以法规的形式明确限制了PE的使用范围,取而代之的是更加安全、更加有效的透明包装材质PET。目前,在国内食用油行业占主导地位的嘉里粮油推出了“金龙鱼AE色拉油抗紫外线收缩膜透明装”,标志着国内食…     

高压钠灯和高压钠灯镇流器国家能效标准介绍

GB19573鄄2004《高压钠灯能效限定值及能效等级》和GB19574鄄2004《高压钠灯镇流器能效限定值及节能评价值》两项照明产品国家能效标准,是我国照明行业规范市场、扩大需求、提高整体水平的关键性基础工作,也是“绿色照明工程”实施□陈海红赵跃进的重点任务之一。这两项标准于2004年8月5日由国家质量监督检验检疫总局正式颁布,即将于2005年2月1日正式实施。一、标准主要内容概述这两项标准是含有强制性条款的国家标准,分别有三个主要方面的内容:其中第一个内容和第二个内容高压钠灯和高压钠灯镇流器两项能效标准中均有。第一个内容是能效…     

单元串联型高压变频器故障单元处理方法研究

针对多单元串联型高压变频器运行过程中,某个单元突然出现故障时的处理方法进行了详细的分析和探讨,并给出了在一台300kVA/6000V的变频器上进行测试的结果.这种方法用于这类变频器效果较好.     

200MW机组快速启动中高压胀差控制

汽轮机高压胀差控制问题是国产200MW机组实现安全快速启动的主要制约因素。在总结200MW机组华能淮阴发电厂实际运行经验及对机组寿命损耗与高压胀差进行理论分析的基础上，阐述了机组启动中采用合理开停调门改变调节级蒸汽温升速率及适时合理安排升负荷时机的技术方法，达到了有效控制高压胀差和机组安全快速启动的目的。     

高压直流输电的采样数据动态建模

传统的高压直流输电(HVDC)准稳态模型不能准确描述换流器开关电路的动态特性，故运用采样一数据建模方法建立了HVDC主电路在d-q参考坐标下的小信号线性化模型：每隔1／6工频周期对系统进行采样，并通过积分推导得出采样点之间的函数关系，对该函数进行线性化得到相应的小信号模型。与传统准稳态模型不同，该模型反映了换流器开关电路在工作点受到小扰动时的动态特性。通过时域仿真证明了该模型的准确性及其适用频率范围为0～3倍工频。将该模型用于次同步振荡(SSO)的特征值分析，并与传统的准稳态模型分析结果对比，证明HVDC准稳态模型适用于SSO分析。     

采用先进的高压侧电压控制改善阳城-淮阴500 KV交流输电系统性能

研究一种通过为常规发电机励磁系统增加补偿控制的先进的高压侧电压控制器(HSVC)，介绍HSVC的原理、特性和优点。与常规的励磁控制方法相比较，采用HSVC能够控制升压变压器高压侧电压为给定值，维持输电系统较高的电压水平。HSVC的实现不需要从升压变压器高压侧反馈任何信号，因此经济、实现方便。结合阳城一淮阴500kV交流远距离输电系统进行高压侧电压控制的计算分析，并与串联电容补偿比较。研究结果表明，HSVC可提高该系统的功率输送能力，改善系统的角度稳定和电压稳定性，是一种切实可行的控制方式。     

SOI在高压器件中的应用

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.