全文获取类型
| 收费全文 | 11878篇 |
| 免费 | 270篇 |
| 国内免费 | 204篇 |
专业分类
| 电工技术 | 271篇 |
| 综合类 | 438篇 |
| 化学工业 | 452篇 |
| 金属工艺 | 587篇 |
| 机械仪表 | 384篇 |
| 建筑科学 | 6926篇 |
| 矿业工程 | 354篇 |
| 能源动力 | 108篇 |
| 轻工业 | 203篇 |
| 水利工程 | 414篇 |
| 石油天然气 | 658篇 |
| 武器工业 | 41篇 |
| 无线电 | 429篇 |
| 一般工业技术 | 484篇 |
| 冶金工业 | 363篇 |
| 原子能技术 | 43篇 |
| 自动化技术 | 197篇 |
出版年
| 2024年 | 67篇 |
| 2023年 | 224篇 |
| 2022年 | 253篇 |
| 2021年 | 289篇 |
| 2020年 | 210篇 |
| 2019年 | 279篇 |
| 2018年 | 107篇 |
| 2017年 | 145篇 |
| 2016年 | 208篇 |
| 2015年 | 369篇 |
| 2014年 | 734篇 |
| 2013年 | 615篇 |
| 2012年 | 813篇 |
| 2011年 | 787篇 |
| 2010年 | 722篇 |
| 2009年 | 628篇 |
| 2008年 | 622篇 |
| 2007年 | 552篇 |
| 2006年 | 519篇 |
| 2005年 | 551篇 |
| 2004年 | 557篇 |
| 2003年 | 470篇 |
| 2002年 | 411篇 |
| 2001年 | 373篇 |
| 2000年 | 302篇 |
| 1999年 | 208篇 |
| 1998年 | 190篇 |
| 1997年 | 159篇 |
| 1996年 | 149篇 |
| 1995年 | 141篇 |
| 1994年 | 120篇 |
| 1993年 | 113篇 |
| 1992年 | 136篇 |
| 1991年 | 108篇 |
| 1990年 | 94篇 |
| 1989年 | 87篇 |
| 1988年 | 10篇 |
| 1987年 | 7篇 |
| 1986年 | 5篇 |
| 1985年 | 4篇 |
| 1984年 | 2篇 |
| 1980年 | 1篇 |
| 1965年 | 10篇 |
| 1957年 | 1篇 |
排序方式： 共有10000条查询结果，搜索用时 0 毫秒
81.
82.
为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小. 相似文献
83.
84.
85.
86.
87.
88.
89.
90.