全文获取类型
收费全文 | 15795篇 |
免费 | 1905篇 |
国内免费 | 1487篇 |
专业分类
电工技术 | 691篇 |
技术理论 | 5篇 |
综合类 | 2138篇 |
化学工业 | 923篇 |
金属工艺 | 489篇 |
机械仪表 | 771篇 |
建筑科学 | 1527篇 |
矿业工程 | 407篇 |
能源动力 | 309篇 |
轻工业 | 951篇 |
水利工程 | 556篇 |
石油天然气 | 1392篇 |
武器工业 | 115篇 |
无线电 | 1884篇 |
一般工业技术 | 1052篇 |
冶金工业 | 371篇 |
原子能技术 | 156篇 |
自动化技术 | 5450篇 |
出版年
2024年 | 67篇 |
2023年 | 196篇 |
2022年 | 376篇 |
2021年 | 397篇 |
2020年 | 454篇 |
2019年 | 386篇 |
2018年 | 387篇 |
2017年 | 482篇 |
2016年 | 521篇 |
2015年 | 615篇 |
2014年 | 861篇 |
2013年 | 877篇 |
2012年 | 1036篇 |
2011年 | 1232篇 |
2010年 | 1009篇 |
2009年 | 1065篇 |
2008年 | 1117篇 |
2007年 | 1320篇 |
2006年 | 1159篇 |
2005年 | 944篇 |
2004年 | 843篇 |
2003年 | 669篇 |
2002年 | 552篇 |
2001年 | 415篇 |
2000年 | 342篇 |
1999年 | 309篇 |
1998年 | 256篇 |
1997年 | 188篇 |
1996年 | 177篇 |
1995年 | 173篇 |
1994年 | 168篇 |
1993年 | 108篇 |
1992年 | 88篇 |
1991年 | 59篇 |
1990年 | 50篇 |
1989年 | 52篇 |
1988年 | 24篇 |
1987年 | 21篇 |
1986年 | 17篇 |
1985年 | 32篇 |
1984年 | 24篇 |
1983年 | 19篇 |
1982年 | 17篇 |
1981年 | 14篇 |
1980年 | 11篇 |
1979年 | 11篇 |
1978年 | 8篇 |
1977年 | 10篇 |
1975年 | 5篇 |
1973年 | 4篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
本文采用腔模理论导出了角馈双极化微带贴片天线的方向图表示式,并在此基础上分析了该天线的极化特性。结果表明角馈双极化微带贴片天线的两个不同极化并非处处正交,而是在有用的主瓣角度范围内,两个极化是接近正交的,而且采用多端口网络理论计算两馈电端口间的隔离度仍然大于20dB,因此角馈双极化微带天线能够用于极化分集接收。 相似文献
92.
93.
94.
95.
96.
用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO2/Si上制备了PZT薄膜,并采用剥离技术与热处理的方法解决了Pt电极的图形化,在结晶热处理前,利用PZT腐蚀液对PZT进行图形化腐蚀.分别用SEM,XRD,EDX对电极和PZT薄膜的相貌、相结构以及化学组分进行了分析.结果表明:所制备的PZT薄膜具有完全的钙钛矿型结构;这种图形化的工艺方法大大改善了电极和PZT的图形化条件,在不影响电极和PZT性能的同时,提高了电极和PZT的图形质量;底电极和PZT的图形化过程,避免了强酸长时间的腐蚀,大大提高了PZT薄膜的制备与MEMS工艺的兼容性. 相似文献
97.
M.P.M.A. Baroni R.R. Rosa I. Pepe F.M. Ramos C. Persson 《Microelectronics Journal》2006,37(4):290-294
Technological applications in opto-electronic devices have increased the interest in characterizing porous silicon structure patterns. Due to its physical properties, solutions from KPZ 2D are adopted to simulate the structure of porous material interface whose spatial characteristics are equivalent to those found in porous silicon samples. The analysis of the simulated and real Scanning Force Microscopy (SFM) surfaces was done using the Gradient Pattern Analysis (GPA). We found that the KPZ 2D model presented asymmetry levels compatible with the irregular surfaces observed by means of SFM images of π-Si. 相似文献
98.
研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度. 相似文献
99.
100.