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61.
Missile fire control system is the core of ship-based missile weapon system, whose safeguard levelhas direct relation with the attack ability of naval vessels. After a long period of deep investigation and research, it was found that, in one missile fire control system, there are such problems as single safeguard system, low ratio of cost to efficiency, etc. By adopting intelligent control techniques and many measures to multiple securities, the new type of assistant system is designed, some difficult problems are solved, such as fixed project channel and unitary means of missiles, which can make the equipment carry out combat mission reliably and continuously.  相似文献   
62.
邵辉 《中国矿业》1996,5(6):70-73
作者根据自己多年来的科研实践,系统的总结了示踪技术在我国煤矿通风安全方面的应用;指出示踪技术是一种安全、可靠、简便、先进的通风安全检测手段;对促进我国煤矿安全、提高煤矿通风安全技术水平有重要意义。  相似文献   
63.
本文以某发电厂为例,介绍了利用DCS分散控制系统、GPRS通讯系统与变频器相结合共同对消防水泵进行控制,以达到按需供水、火灾报警的目的。  相似文献   
64.
基于多传感器算术平均值与分批估计的数据融合方法在火灾模拟实验炉上温度数据采集中的应用,用VB6.0开发了相应的实际应用系统。  相似文献   
65.
本文论述了在线Fuzzy自整定PID控制的原理,介绍PID参数KP,KI,KD的Fuzzy的整定模型,并应用于模拟火灾炉的温度控制,使炉温的时间温度曲线完全控制在ISO834国际标准升温曲线要求的范围之内。  相似文献   
66.
提出了一种应用于电子束曝光机束流测量中的自动跟踪工频陷波器,给出电路结构,基于对其工作原理的分析,介绍了提高陷波器跟踪精度的设计要点及调试方法。  相似文献   
67.
本文主要介绍在旧厂房(仓库)改造微模块数据中心时,可能遇到的部分问题,以及针对这些问题的解决思路和解决方案。  相似文献   
68.
Chemical vapor deposition (CVD) provides a synthesis route for large‐area and high‐quality graphene films. However, layer‐controlled synthesis remains a great challenge on polycrystalline metallic films. Here, a facile and viable synthesis of layer‐controlled and high‐quality graphene films on wafer‐scale Ni surface by the sequentially separated steps of gas carburization, hydrogen exposure, and segregation is developed. The layer numbers of graphene films with large domain sizes are controlled precisely at ambient pressure by modulating the simplified CVD process conditions and hydrogen exposure. The hydrogen exposure assisted with a Ni catalyst plays a critical role in promoting the preferential segregation through removing the carbon layers on the Ni surface and reducing carbon content in the Ni. Excellent electrical and transparent conductive performance, with a room‐temperature mobility of ≈3000 cm2 V?1 s?1 and a sheet resistance as low as ≈100 Ω per square at ≈90% transmittance, of the twisted few‐layer grapheme films grown on the Ni catalyst is demonstrated.  相似文献   
69.
合成了用于LIGA微细加工技术的聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀剂,采用同步辐射装置X射线深度曝光,可得到深宽比45-90,深度大于450微米,细线宽5-10微米的良好光刻图形。  相似文献   
70.
Gold-aluminum ball bonds were thermally exposed at constant elevated temperatures, and the resultant phase transformations studied in detail. The as-bonded microstructure of a Au-Al ball bond essentially consisted of a reaction zone (termed “alloyed zone” (AZ) in the as-bonded condition) between the Au bump and the bonded Al metallization. It is the growth of the reaction zone between the Au bump and the bonded Al metallization and also the nonbonded Al metallization during thermal exposure that gave rise to the various phase transformations. Au4Al, Au8Al3, and Au2Al are the predominant phases that grew across the ball bond until the bonded Al metallization is available to take part in the interdiffusion reactions. After the complete consumption of the bonded Al metallization, the Au-Al phases reverse transformed resulting in the formation of the Au4Al phase in the entire reaction zone across the ball bond (RZ-A). The lateral interdiffusion reactions resulted in the nucleation and the growth of all of the Au-Al phases given by the phase diagram. Kidson’s analysis and Tu et al.’s treatment were extended to a five-phase binary system to explain the phase transformations in thermally exposed Au-Al ball bonds. It is possible for all of the Au-Al phases to grow across a ball bond uninhibited as long as the bonded metallization is available. However, the supply limitation of the bonded metallization gives rise to reverse transformations where Al-rich phases transform to Au-rich phases and eventually result in the formation of the Au4Al phase in the entire RZ-A. If infinite time is allowed, Au4Al would dissolve; the extent of which is dependent on the solubility of Al in Au. No supply of Au lateral to the bond causes the reverse transformation of the Au4Al phase, giving rise to the lateral growth of the remaining Au-Al phases. If infinite time is allowed, the lateral phase transformations would result in the formation of a phase that is dependant on the relative proportion of Au and Al present in the nonbonded metallization (NBM) and Au4Al below the void line. Hence, the presence of a phase in a particular location of a ball bond is dependent on the time and temperature of thermal exposure.  相似文献   
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