单片InGaAs／InP PIN PD阵列

文章简要地介绍了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＰＩＮ ＰＤ阵列的制作现状及其应用和发展趋势。     

RH-KTB耐材长寿技术研究及应用

介绍了宝钢RH-KTB工艺条件下RH用镁铬砖的应用和提高浸渍管管龄、下部槽槽龄的方法.     

新疆西达里亚油气藏精细描述研究

从构造、沉积、储层及流体4方面对新疆西达里亚T—Ⅱ油藏进行了精细描述研究。在构造研究中结合地震及测井对比成果进行了重新解释，分析了圈闭特征；在三维地质模型研究中，首先进行沉积微相研究，利用测井解释成果，采用先建砂岩格架后建属性模型的方法，应用地质统计学方法确立了精细的储层参数三维模型，实现油藏三维可视化。     

地图中铁路、道路提取和恢复显示的方法

本文提出一种从军用地图中提取铁路、道路的半自动方法和自动恢复显示其在地图中标识方式的算法,从而进一步实现地图图形显示系统的多层次结构。     

钙钛矿型钛酸锶的制备、结构与性能

钛酸锶是一种具有重要电性质的陶瓷材料 ,因而在工业上得到了广泛的应用。本文介绍了钛酸锶的几种常见的合成方法 ,并简要的介绍了钛酸锶的结构与性能     

双模轮胎硫化机结构的优化设计

我们在双模轮胎硫化机结构的优化设计中,提出了一种ANSYS与导重准则相结合的优化方法。该方法收敛快,一般只需约5至7次优化迭代计算即可得到十分显著的优化效果,大大提高了优化效率与设计质量。     

双极型静电感应晶体管开关时间的测量与分析

从理论和实验两方面对静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的开关时间进行了分析和测量，提出了简单的分析方法，将影响ＢＳＩＴ开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子，从而简化了分析影响ＢＳＩＴ开关时间的因素，对于ＢＳＩＴ的实际工艺，结构设计有指导意义。     

HCl氧化物MOS结构质子辐照诱导的界面陷阱效应

用微分电容法研究质子辐照HCl氧化物铝栅MOS结构诱导的界面陷阱,栅氧化层在1 160℃很干燥的、含0～10％HCl的气氛中热生长而成,质子辐照能量为120～300keV,注入总剂量范围为8×10~(13)～1×10~(16)p/cm~2。结果表明,辐照诱导的界面陷阱能级密度随质子能量、剂量增加而增加。然而,氧化层中掺入6％HCl时,辐照诱导的界面陷阱明显减少。这样,已能有效地改变MOS器件的抗辐照性能。实验结果可用H~+二级过程解释。     

含微量元素铜焊锡丝的研制

在６０／４０的锡铅焊料中加入０．２％左右的铜，凝固后具有均匀细小的共晶组织，其熔点为１８３℃，焊点强度和扩展率均高于未加铜的６０／４０锡铅焊料，并且含铜的锡铅焊料在焊接时，对铜烙铁头和微细铜线了小的熔蚀性。     

Thickness-dependence of stoichiometry and microstructure characteristics in correlation with conductivity type of CdTe films

CdTe films were prepared by physical vapour deposition on a substrate at room temperature (RT) as well as on a cold (LT) one using low deposition rate. The thickness-dependence of stoichiometry revealed an abrupt decrease in the Cd/Te ratio as the thickness increases. Change of thickness did not affect the type of observed (111) crystallographic texture, only the degree of preferred orientation is enhanced as the film grows. The internal strain was negligible while the crystallite size increased rapidly at small thickness (up to 400 nm), and less thickness dependence was observed with further film growth. However, thickness dependence of lattice parameters showed a minimum and a maximum at approximately 300 nm in the case of RT and LT, respectively. The observed change in conductivity from n- to p-type and its vital correlation with the stoichiometry and structural characteristics were presented. Based on thickness dependence of stoichiometry and lattice parameters as well as the conductivity type, formation and annihilation of lattice defects were considered.