移动IP的关键技术

本详细描述了移动IP的工作过程，并介绍了移动IP的隧道技术和IPSec，最后对移动IP技术中存在几个热点问题进行了讨论。     

利用I-Z曲线的STM"接触"模式的电学测量和表面改性研究

利用STM对金属有机络合物电双稳材料Ag—TCNQ薄膜进行电学性质的表征与改性，在针尖强电场的作用下，当电压达到某一阈值后薄膜从高阻态跃迁至低阻态，这两种高低阻态分别定义为一个存储单元的“0”与“1”状态。本文考虑到在STM的常规恒流工作模式下，针尖与样品之间的隧道结对于电学性质的表征与改性具有影响。为此测量隧道电流I对隧道结宽度Z的依赖关系，I-Z曲线，从而确定针尖刚好接触样品的接触点，利用STM进行了针尖与样品“接触式”的电学测量和表面电学改性研究，并与常规工作模式进行了比较。     

MPLS技术在唐山有线电视综合信息网数据平台中的设计与应用

MPLS技术是一项具有多协议支持的技术，它综合利用了网络核心的交换技术和网络边缘的IP路由技术各自的优点，它将标记分配给多协议的数据桢以便在基于我展品信元的网络中传输。它能够提供现有传统IP路由技术所不能支持的要求保障QoS的业务，通过MPLS技术，我们可以提供各种新兴的增值业务，有效的实施流量工程和计费管理措施，扩展和完善更高等级的基础服务。     

高斜率效率隧道结叠层激光器的研制

隧道结叠层激光器技术具有广泛的应用空间,如高斜率效率、高功率密度、多波长激光器等。采用LP-MOCVD系统生长隧道结材料,CCl4作为p型掺杂源,SiH4作为n型掺杂源,并采用δ掺杂技术,使得n+-GaAs的掺杂浓度大于1×1019/cm3,隧道结的面电阻率小于2×10-4Ω.cm2。设计生长了双叠层、三叠层材料,该材料制作的900nm双叠层激光器在200ns脉宽、20A工作电流下输出功率35W,斜率效率1.8W/A,是单层材料的1.8倍,隧穿结引入的压降约为0.15V;860nm三叠层激光器的斜率效率大于2.7W/A,是单层材料的2.7倍。     

IPv4向IPv6过渡策略研究

为解决IPv4的设计缺陷,国际互联网工程任务组(IETF)开发了新一代Internet协议IPv6,但由于IPv4与IPv6之间存在着很大的差异,同时存在众多基于IPv4协议的网络及应用,因此,要用新的IPv6代替旧的IPv4只能采用逐步演进的办法,文章就现存的过渡策略做了研究和分析.     

6to4与ISATAP技术相结合的IPv6网络实现

在IPv4向IPv6过渡期间,多种过渡技术可以互相支持、互相组合使用,以达到互利互助。简要介绍了其中2种隧道技术:6to4技术和ISATAP技术,提出了1种基于两者结合的新型实验网络的实现方案。具体讨论了在Linux下如何组建这种新型实验网络平台,详细阐明了如何配置IPv6主机以及双栈路由器,为IPv4过渡到IPv6提供1个可行的方案。     

铁路隧道衬砌极限状态法设计验证研究

为了验证极限状态法在隧道衬砌设计中的可操作性,分别采用极限状态法和破损阶段法对铁路隧道衬砌进行了试设计,并对比分析了两种方法的试设计结果。研究结果表明:(1)当衬砌为素混凝土结构时,极限状态法的计算厚度均比破损阶段法计算厚度大,最大相差20 cm,需对极限状态法抗裂验算公式中的调整系数γ_d重新校核,校核后γ_d=1.55;(2)针对钢筋混凝土衬砌结构及明洞结构,极限状态法的设计结果与破损阶段法设计结果基本相同,钢筋混凝土结构的极限状态方程中相关分项系数及调整系数取值是合理的。(3)采用极限状态法(γ_d=1.55)与破损阶段法试设计工程投资相当,极限状态法较破损阶段法工程投资增加237万元,增加1%。     

共同沟天然气管道泄漏报警的模型实验

所谓共同沟,即通常所说的地下综合管沟或管廊,是专门用于集中敷设各种市政管线的地下隧道。与传统直接埋地的敷设方式相比,共同沟是一种先进的敷设方式。按相似原理和“最不利原则”设计模型实验,采用甲烷模拟共同沟（狭长空间）中天然气管道的微小泄漏,分析了甲烷的泄漏量和模型的断面宽度对纵向布置的探头报警时间的影响,提出了“单宽泄漏量”的概念,并得出了模型实验的相似条件。根据实验数据的走势,采用抛物线函数进行数据拟合,最终得出报警响应时间的经验公式。     

苏北及邻区前志留基础层的综合地球物理研究

在前新生代油气资源选区评价中，前志留面之下未变质沉积地层（简称前志留基础层）的分布具有重要的参考价值。从提高纵向分辨率的处理和反演技术的应用入手，结合约束条件,利用大地电磁测深数据反演,揭示前志留面等界面的埋深和分布；同时应用小波分析技术，从磁场中分解出区域磁异常，反演结晶基底的埋深。通过这2个界面埋深的差异来分析前志留基础层的分布     

Electrode Dependence of Tunneling Electroresistance and Switching Stability in Organic Ferroelectric P(VDF‐TrFE)‐Based Tunnel Junctions

Ferroelectric tunnel junctions (FTJs) are promising candidates for nonvolatile memories and memristor‐based computing circuits. Thus far, most research has focused on FTJs with a perovskite oxide ferroelectric tunnel barrier. As the need for high‐temperature epitaxial film growth challenges the technological application of such inorganic junctions, more easily processable organic ferroelectrics can serve as alternative if large tunneling electroresistance (TER) and good switching durability would persist. This study reports on the performance of FTJs with a spin‐coated ferroelectric P(VDF‐TrFE) copolymer tunnel barrier. The use of three different bottom electrodes, indium tin oxide (ITO), La_0.67Sr_0.33MnO₃, (LSMO), and Nb‐doped SrTiO₃ (STO) are compared and it is shown that the polarity and magnitude of the TER effect depend on their conductivity. The largest TER of up to 10⁷% at room temperature is measured on FTJs with a semiconducting Nb‐doped STO electrode. This large switching effect is attributed to the formation of an extra barrier over the space charge region in the substrate. The organic FTJs exhibit good resistance retention and switching endurance up to 380 K, which is just below the ferroelectric Curie temperature of the P(VDF‐TrFE) barrier.