漫湾水电站水库水温分布观测与数学模型计算研究

近年来建设的高坝大库越来越多,下泄低温水的影响日趋严重,对水库下泄低温水的影响和减缓措施的研究应给予关注和不断加强。本文是对已投入运行的漫湾水电站库区的水温结构进行研究。通过2004年2月对漫湾水库进行水温分布现场观测,并辅以三维数值模型计算,获得了较详细的水温分布成果。研究结果表明,漫湾水库的水温结构既不属于典型分层型又不属于完全混合型,应属于局部分层型或过渡型。该成果对于流域梯级水电开发对水环境的影响研究,具有一定的代表性,可用于类比分析研究与漫湾水库条件类似的其它水电站。     

螺栓连接对基础非均匀沉降格构式结构的影响

为了现场安装方便,格构式结构设计中的螺孔直径大于螺杆直径,在相同载荷作用下,传统的结构分析计算得到的结构变形量小于试验测量值,另一方面,在相同沉降下,计算得到的杆件轴力大于试验测量值,甚至出现计算结果显示已经破坏的结构,现实中仍在正常运行着。产生这些偏差的主要原因是螺栓滑移。基于ANSYS 开发的滑移梁模型将实验测量得到的螺栓连接位移-载荷关系曲线引入到螺栓连接的分析模型中。利用该模型模拟了基础非均匀沉降格构式结构的受力变形特性,并与传统分析结果及试验测量结果进行对比。结果显示:考虑螺栓滑移影响的模型,模拟结果与实验测量结果非常吻合。为今后格构式结构的设计和研究提供有益参考。     

华能上安电厂引进的SF6全封闭组合电器

华能上安电厂二期工程５００ｋＶ升压站处于三类污秽区（盐密〉０．２５ｍｇ／ｃｍ＾２）,经对采用常规敞开式门型布置和ＳＦ６全封闭组合电器装置进行综合比较,决定采用ＳＦ６全封闭组合电器装置,并阐述了引进的ＳＦ６全封闭组合电器装置的设备布置,结构,安装及运行维护。     

热处理对Ag-30Pd粉末相结构与形貌的影响

研究了热处理条件对不同方法制备的Ag-30Pd粉末的相结构与形貌的影响。结果表明,采用水合肼还原制备的Ag-30Pd共沉淀粉末,在335℃下经过油酸或氮气介质中液相或固相热处理后,粉末均朝合金化结构转变;采用抗坏血酸还原制备出的银钯合金粉初始为团聚颗粒,经400~450℃氮气气氛下热处理后,颗粒发生烧结而变得密实,结晶性提高;总体上,银钯共沉淀粉在335℃,合金粉在450℃的氮气保护下保温处理4 h后,粉末致密,粒径为1~3μm,可更好地满足银钯浆料的使用要求。     

SiGe／Si异质结器件

本文综述了国际上ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结器件的发展状况，分析了该器件的结构要理，特点，优越性及制造技术，阐述了该器件的广阔应用和对微电子将产的重大影响。     

多信道光纤环形网络结构分析

本文对多信道光纤环形网络结构进行了详细分析，推导出环网内平均路经长度和最大直径计算公式，并分析了最佳多信道光纤环网结构。     

我国溶聚丁苯橡胶的生产现状及发展建议

介绍溶聚丁苯橡胶(SSBR)的结构特点和工业生产技术。综述近年来国内外SSBR的生产情况,对国内SSBR的市场前景进行分析,认为未来几年国内SSBR的需求将继续增长,SSBR行业仍具有较大的发展空间。分析了目前我国SSBR装置开工率不高的原因,并针对我国的现状,提出了努力降低SSBR生产成本、提高SSBR产品质量的均一性和大力开发特种高性能SSBR新产品行业发展建议。     

适于器件及电路分析的全耗尽短沟道LDD／LDSSOI MOSFET器件模型

本文系统描述了全耗尽短沟道ＬＤＤ／ＬＤＳＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型的电压电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型，文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应，及由于ＬＤＤ／ＬＤＳ区的存在对本征ＭＯＳ器件电流特性的影响。     

片式叠层压敏电阻器及其应用

用流延工艺把电极层和半导体陶瓷交错排布，经烧结而成的片式叠层压敏电阻器，其结构类似多层陶瓷电容器。通过与氧化锌压敏电阻器及其他压敏电阻器比较表明，片式叠层压敏电阻器具有优良的性能。并论述这类压敏电阻器在ＩＣ保护、ＣＭＯＳ器件保护、汽车电路系统保护等方面的应用。     

中温烧结BaTiO3基瓷的非均匀结构对εr－T特性的影响

含低熔物Ｂｉ２Ｏ３·ｎＴｉＯ２及ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３的ＢａＴｉＯ３基中温烧结瓷料，通过改性物Ｌａ、Ｎｂ等在固－液相烧结过程中溶－析和缺位补偿固溶，主晶相ＢａＴｉＯ３晶粒形成核－壳结构，并存在玻璃相。这种非均匀结构对铁电相的制约作用，引起瓷料的εｒ－Ｔ特性的改变