2 m 量级高速风洞测量系统常见故障及分析

为助力解决风洞试验中的疑难问题,对风洞试验中测量系统常见故障整理汇总进行分析。通过对2 m 量 级高速风洞试验中记录的常见故障汇总分析,整理出故障类型及其处理方式,使风洞试验中出现故障时能快速通过 该分析报告找到问题所在并解决故障。在2 m 量级高速风洞试验中的应用表明：该方法能实现常见故障出现后快速 查找问题关键的可行性,为风洞试验安全及试验效率提供有力支撑。     

低速风洞应变天平通道极性判断方法

为提高低速风洞应变天平工作效率,提出一种直接单分量加载判断天平通道极性的方法。通过对单分量 加载结果进行估计,筛选不同通道极性组合时的天平计算结果。实验结果表明：该方法能快速、有效地判断天平通 道极性,并且不依靠经验,支持自动化程序化运行;对加载精度要求较低,容易满足实用要求。     

一种连续变滚转角试验装置设计与实现

为实现1 m 量级跨超声速风洞连续变侧滑角能力,拓展试验技术范围、提升试验效率,研制一种连续变 滚转角试验装置。介绍该装置的技术要求、结构设计及仿真结果,以及配套的控制系统软硬件设计,给出装置整体 系统进行电磁兼容性测试、静态载荷测试及风洞试验验证结果。仿真、测试及风洞结果表明：该装置在风洞现场环 境下使用具有良好的电磁兼容性,并能够有效承担风洞试验载荷要求;同时,采用连续变滚转角试验装置试验数据 重复性良好、采用“常规测力中部支架+12°双转轴”支撑方式比较,试验数据规律基本一致,其小量偏差与2 种方 式的支撑干扰相关;该装置控制精度高、运行速度和范围均满足技术要求,可工程化应用于风洞试验。     

柴达木盆地油泉子储油构造分析

通过对野外露头、地震反射剖面和钻井资料的综合分析,查明柴达木盆地油泉子储油构造为共轭膝褶带夹持的不对称半箱状背斜,具有北北东倾的平直转折端,北翼为一宽超过800m的大型膝褶带,高角度倾向南南西,带内岩层产状直立。带内岩层的旋转指示南侧沿膝褶带向北逆向剪切。南翼发育四条规模较小的膝褶带,向南逆冲剪切,导致该翼呈阶梯状产出,总体南南西倾,倾角约20°。沿南北两翼膝褶带边界仅见小型高角逆断层,膝褶带内裂隙发育,主要为顺层张裂隙,其次为与层理近垂直的张裂隙(主要出现在坚硬的钙质粉砂岩中),偶尔见有小型低角逆冲断层。这些断裂普遍被纤维状石膏充填,并见少量油迹,表明这些断裂为高流体压力下的产物。鉴于膝褶带及相关背斜高点为裂隙发育带,具有油气运移和聚集的双重功能,在缺乏足够理想的岩性储集层的情况下,为寻找裂隙型油气藏提供了新途径。     

冷轧带钢表面缺陷在线监测系统

介绍一套目前已在实验室中开发成功的冷轧带钢表面缺陷在线监测系统,该系统用于在线检测和识别冷轧带钢的表面缺陷.系统采用多个面阵CCD摄像头同步采集带钢表面的图像,并通过并行计算系统对图像进行分析和处理,以得到钢板表面的缺陷情况.系统在软件流程上进行了特殊的设计,以保证实时数据处理功能.经试验,系统对\     

冷连轧机的动态变规格过程的计算机仿真

针对某厂的5机架冷连轧机的动态变规格过程进行仿真研究.首先建立其动态变规格时的仿真系统,分析了其动态变规格过程的实现方案.然后在此基础上对其变规格过程进行了仿真分析,指出了现在方案中的问题,提出了一种改进方案,并通过进一步的仿真说明了改进方案的可行性和有效性.     

二维磁性材料与自旋系统研究进展

自旋系统是一类基于电子自旋工作的器件,具有高速、低功耗等优点,其中磁存储器被认为是下一代存储器的领跑者之一。二维材料有着天然的界面性能优势,接近微缩极限的尺寸特点,以及二维结构带来的物理特性,在自旋系统中有望得到广泛运用。本文概述了二维材料在自旋领域的最新研究进展,介绍了一些常见的二维磁性材料,讨论了基于二维材料的二维自旋器件,以及回顾了基于二维材料的磁性调控,最后总结了这一领域仍然面临的挑战,并对未来发展进行了展望。     

严寒环境下排水管线施工方法

严寒环境下排水管道施工问题一直是困扰施工单位和建设单位的一大难题。作者在长期的施工和设计工作中,总结出以下严寒环境下排水管线施工方法,即管道的防腐、焊接、检查井井盖等重点施工项目集中保护处理;管沟开挖、回填及管道闭水试验快速处理;检查井及检查井进出水管制作及连接特殊处理的方法,从而保证整个工程施工质量合格,并且节省工程费用,保障施工单位和建设单位的经济利益不受损失。     

实时数据库压缩死区的研究

厂级监控信息系统(SIS)要处理大量的数据,原始数据不处理就去存储,要耗费大量的磁盘空间。介绍了实时历史数据库里的例外报告技术,应用这种技术,对电厂里的数据特性进行了分析。通过大量数据的统计分析,找出数据本身的特性,为例外报告技术死区的设置提供依据。统计了山西漳山电厂2008年10～12月共85 248个数据,得出了某个温度信号的特性,并绘制了相应曲线,死区设置可以将曲线作为参考。     

From defects creation to circuit reliability - A bottom-up approach (invited)

This paper presents a theoretical framework about interface states creation rate from Si-H bonds at the Si/SiO₂ interface. It includes three mains ways of bond breaking. In the first case, the bond can be broken thanks to the bond ground state rising with an electrical field. In the two others cases, incident carriers will play the main role either if there are very energetic or very numerous but less energetic. This concept allows us physically modeling the reliability of MOSFET transistors, and particularly NBTI permanent part, and Channel Hot Carrier (CHC) to Cold Carrier (CCC) damage. Finally, the translation of these physical models into reliability spice models is discussed. These models pave the way to Design-in Reliability (DiR) approach which seeks to provide a quantitative assessment of reliability - CMOS device reliability in this case - at design stage thereby enabling judicious margins to be taken beforehand.