低插损同轴型微波介质滤波器的设计

1/4波长同轴谐振器构成的微波介质带通滤波器,具有三个谐振孔、二个耦合孔,谐振器间通过耦合孔相互耦合,材料采用高介电常数微波陶瓷,器件表面涂覆金属电极。讨论了耦合孔半径对滤波器技术指标(中心频率f_0、3dB带宽B、插入损耗L_0、阻带抑制L_A等)的影响,然后根据给定的滤波器技术指标确定了滤波器的类型、结构、级数及尺寸,最后进行了仿真验证,得到了低损耗的带通滤波器。     

基于电荷耦合器件的雷达视频积累电路

电荷耦合器件是一种发展前景良好的金属氧化物半导体（MOS）集成电路。该电路广泛应用于彩色成像、信号处理等相关领域。文介绍一种用CCD321型电荷藕合器件设计和实现的脉冲雷达视频积累电路,目的在于探讨使用该器件实现雷达视频积累的可行性和实际效果。实践证明,使用该器件实现雷达信号积累能有效地提高雷达的信噪比,改善雷达的检测能力,达到增加雷达的发现概率和探测距离的目的。经测试,使用该电路可使雷达信噪比可提高3．5dB。     

基于低频电噪声的光电耦合器可靠性筛选方法研究

低频电噪声是表征电子器件质量和可靠性的敏感参数,通过测试低频噪声,可以快速、无损地实现光耦器件的可靠性评估。通过开展可靠性老化对光电耦合器低频噪声特性影响的试验研究,提出基于低频段宽频带噪声参数的光电耦合器可靠性筛选方法,并将可靠性筛选结果与点频噪声筛选方法结果进行对比分析。结果表明,与点频噪声参数等现有方法相比,宽频带噪声参数可以更灵敏和准确地表征器件可靠性,同时计算简便,基于宽频带噪声参数的光电耦合器可靠性筛选方法可以实现更为准确合理的可靠性分类筛选。     

Cl2/BCl3感应耦合等离子体GaN刻蚀侧壁形貌研究

基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏压功率实验表明,高能离子轰击是GaN侧壁转角与条纹状褶皱形貌形成的原因。刻蚀过程中,掩蔽层光刻胶经过高能离子一段时间轰击后,其边缘首先出现条纹状褶皱形貌,并转移到GaN侧壁上,接着转角形貌亦随之出现并转移到GaN侧壁上。这与已公开发表文献认为的GaN侧壁条纹状褶皱仅由于掩蔽层边缘粗糙所引起而非刻蚀过程中形成的解释不同。     

耦合量子比特退纠缠的研究

在马尔科夫环境下,利用共生纠缠度,研究了耗散环境中耦合量子比特纠缠态及纠缠突然死亡的性质。研究结果表明：(1）纠缠动力学演化与系统的温度、初始纠缠度及初始量子态密切相关;（2）在一般情形下,由于环境的影响,纠缠突然死亡总会发生;通过数值模拟,发现存在一个特定的区域,在这区域内系统的纠缠度衰减的很慢。在零温度近似下,给出了具体的纠缠突然死亡条件和计算纠缠突然死亡时间的表达式。     

线性啁啾光纤光栅反射谱特性与啁啾量关系的模拟研究

从耦合模方程出发,利用传输矩阵法,模拟研究了线性啁啾光纤光栅的反射谱特性,给出了反射谱的３ｄＢ带宽、反射峰值、峰值波长处的色散和边带抑制率与啁啾量的关系曲线,并得到了啁啾量优化取值范围。     

非线性耦合KdV方程组的精确行波解

利用构造辅助函数和辅助常微分方程组的方法,给出了非线性耦合KdV方程的某些新的精确行波解,其中包括孤波解和周期解.     

一种大动态视频对数放大器的设计

介绍了一种大动态范围视频对数放大器的设计,并给出了研制结果。该视频对数放大器是在自制单片IC基础上混合集成,单片IC采用PN结隔离双极工艺制作。经测试,该电路动态范围达84 dB、增益为75 dB、对数斜率为50 mV/dB、对数精度为±2 dB。     

表面纹理对反射面天线电性能的影响

反射面天线面板的加工质量包括加工精度和表面质量,两者都会影响天线的电性能。论文针对研究较少的表面加工质量,利用分形函数建立表面纹理的数学模型,并通过相位差将微观表面纹理引入天线的远场方向图计算公式,利用三角形单元的Gauss积分公式数值求解。通过仿真,分析了不同的表面纹理幅度、密度和粗糙程度对天线远场方向图的影响。研究发现：表面纹理的幅度越大,对方向图的影响越大;密度越大、越粗糙,影响越小。而且,幅度的影响最大,密度其次,粗糙程度影响最小。仿真的结果与模型定性分析的结论符合。所提出的模型和方法为研究面板表面加工质量对反射面天线电性能的影响提供了新的思路,得出的结论也可供工程实践参考。     

便于在微机上运行的耦合腔行波管简易综合计算程序

本文主要介绍一种便于在微机上运行的耦合腔行波管综合计算程序 ,尽可能详细地给出了有关的计算公式 ,并对所采用的图形坐标显示系统和简易数据库系统进行了简要介绍。