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The process window for the infinite etch selectivity of silicon nitride (Si3N4) layers to ArF photoresist (PR) and ArF PR deformation were investigated in a CH2F2/H2/Ar dual-frequency superimposed capacitive coupled plasma (DFS-CCP) by varying the process parameters, such as the low frequency power (PLF), CH2F2 flow rate, and H2 flow rate. It was found that infinitely high etch selectivities of the Si3N4 layers to the the ArF PR on both the blanket and patterned wafers could be obtained for certain gas flow conditions. The H2 and CH2F2 flow rates were found to play a critical role in determining the process window for infinite Si3N4/ArF PR etch selectivity, due to the change in the degree of polymerization. The preferential chemical reaction of hydrogen with the carbon in the hydrofluorocarbon (CHxFy) layer and the nitrogen on the Si3N4 surface, leading to the formation of HCN etch by-products, results in a thinner steady-state hydrofluorocarbon layer and, in turn, in continuous Si3N4 etching, due to enhanced SiF4 formation, while the hydrofluorocarbon layer is deposited on the ArF photoresist surface. 相似文献
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In this study, the problem of blind signal separation for coprime planar arrays is investigated. For coprime planar arrays comprising two uniform rectangular subarrays, we link the signal separation to the tensor-based model called coupled canonical polyadic decomposition (CPD) and propose an improved coupled trilinear decomposition approach. The output data of coprime planar arrays are modeled as a coupled tensor set that can be further interpreted as a coupled CPD model, allowing a signal separation to be achieved using coupled trilinear alternating least squares (TALS). Furthermore, in the procedure of the coupled TALS, a Vandermonde structure enforcing approach is explicitly applied, which is shown to ensure fast convergence. The results of Monto Carlo simulations show that our proposed algorithm has the same separation accuracy as the basic coupled TALS but with a faster convergence speed. 相似文献
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传统计算AlGaN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的方法是根据Hooke定律计算c轴方向压应变与拉应变,然后利用压电模量计算出不依赖于栅压的2DEG,称为非耦合模型计算.提出了一种电致耦合模型来计算2DEG,在计算过程中考虑到弛豫度与附加电场对材料压电效应的影响,结果发现,当Al组分x=0.30时,压电极化电荷密度低于传统方法的计算值,两种模型的计算值相差7.17%,由此可见,当电场作用于材料时,材料产生逆压电效应,最终导致压电极化电荷密度降低. 相似文献
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为降低太阳电池封装材料PET薄膜的反射率,采用严格耦合波分析(RCWA)方法对基于蛾眼阵列的减反层进行了优化设计。对比研究了圆锥形、抛物线形和正弦形蛾眼结构的减反性能,结果表明圆锥形蛾眼结构具有最佳全向宽光谱减反性能。分析了圆锥体几何参数对太阳光透过率的影响,为参数选取提供依据。在此基础上,提出基于柱形与锥形复合结构的蛾眼阵列,通过参数优化,进一步提高了太阳光在大角度入射条件下的透过率。优化后复合结构的蛾眼阵列的PET薄膜对波长范围在0.3~1.1μm、入射角度为0°~90°的入射太阳光角度归一化透过率达到0.966 4,相比于未采取减反措施的PET薄膜透过率提高12.77%。 相似文献
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90.