山区长输气管线的曲线测设

该文介绍了在山区长输气管线测量中 ,管线的折点桩之间大部分不通视且部分点上空有障碍物 ,采用GPS不能施测坐标时 ,结合山区的自然地理条件 ,采用全站仪间接施测折点水平角 ,极坐标法测设曲线以及跨越障碍物测设曲线的内容和方法 ,可在一定精度要求下应用     

超音速燃气射流非定常波系的数值研究

根据ＭＵＳＣＬ格式的基本思想，对格式进行了部分修改，数值模拟了超音速燃气射流流场的结构和发展过程。给出了流场谐波系的变化趋势，得到了流场达到稳定状态的时间和稳定后的流动图形。     

Mixed Analog Digital Simulation of Integrated Circuits with BRASIL

In this paper the approach of BRASIL in modelling digitalintegrated circuits is presented. BRASIL consists of a timingsimulator for digital MOS circuits coupled with an algorithmfor circuit simulation. The timing simulation is based upon afast macromodelling approach and the calculation of time-variantRC networks. The circuit simulator takes advantage of structuringthe system of nodal equations. With BRASIL a fast and accuratesimulation of digital circuits, with special regard to the analogbehaviour of highly integrated systems is possible.     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

L－B膜修饰电极循环伏安行为模拟──（Ⅰ）电荷转移速度常数对循环伏安性能的影响

本文用计算机数字模拟方法研究了电活性分子多层Ｚ型Ｌ－Ｂ膜修饰电极的循环伏安行为。计算了电极与修饰Ｌ－Ｂ膜分子第一层之间的电荷转移速度常数Ｋ_ｏ，Ｌ－Ｂ膜分子层间的电荷转移速度常数ｋ_ｉ；对峰电位差△Ｅ_ｐ及阳极峰面积Ｑ的影响，以及在不同条件下各层分子的氧化态分数随扫描时间的变化。为研究和设计电活性分子修饰电极的实际体系提供了大量数据和信息。     

冶金过程中复杂夹杂物和钢液化学平衡计算

本文提出一个同温冶炼过程中预测非金属夹杂物沉淀的计算机程序。本研究中，多元硅酸盐溶体的Ｇｉｂｂｓ自由能由基于统计热力学的晶胞模型来计算，该晶胞模型按照氧与周围的阳离子构成的对称和非对称晶胞来描述硅酸盐熔体结构，假定高温冶炼时认与非金属夹杂物平衡，钢液中氧化物元素的活度由Ｗａｇｎｅｒ交互作用系数来计算，利用本程序可以估计炼钢时沉淀的非金属氧化物的成分，为调整冶炼工艺和提高产品质量提供指导，进一步可计     

单片机仿真系统

本文讨论单片机离线仿真系统的设计方法，其关键技术是：单片机硬件系统（ＲＡＭＲＥＧＩＳＴＥＲＳ）仿真，指令系统仿真，中断系统仿真，应用系统硬件仿真。     

一种基于阵列式触觉传感器的主动触觉搜索方法及仿真

本文在一种二指节手指模型的基础上，提出了一种新的主动触觉搜索策略和方法，综合利用阵列式触觉传感铭的输出图象来不断改变机械手的姿态，从而依次有序地搜索到三维物体的特征点，并据此生成物体的三维图形。此外还讨论了上述方法的计算机仿真实现。     

G~2－连续的保凸插值三次Bezier样条曲线

本文引入曲率参数，描述了分段三次Ｂｅｚｉｅｒ插值样条曲线（开的和闭的）。这些插值曲线是Ｇ~２－连续的和保凸的，并且这些曲线可以作局部修改。最后，用本文的方法解决了一个实际问题。     

模拟信号的恢复及其误差研究

数模混合仿真中模拟信号的恢复及其误差对整个仿真过程具有重要影响。本文探讨了用零阶保持和一阶保持进行信号恢复的方法，比较了它们的误差及工作特点。特别指出了一阶保持中，由于存在积分器复原时间及数字机操作时间的影响而会带来附加的误差，因此一阶保持方法较难达到其理论的精度。