基于响应面法的三甘醇脱水参数优化北大核心CSCD

目的解决三甘醇工艺脱水效率降低及能耗偏高等问题,对操作参数进行优化。方法采用灵敏度分析法和响应曲面法对运行参数进行优化。①采用灵敏度分析法选出富液进塔温度、重沸器温度、TEG贫液循环量、汽提气体积流量作为因素变量,以干气水露点和运行费用为响应值,通过HYSYS软件模拟计算25组试验数据;②采用响应曲面法进行分析和优化。结果富液进塔温度和汽提气体积流量间的交互作用对干气水露点影响最显著,富液进塔温度和TEG贫液循环量间的交互作用对运行费用影响最显著,优化后的最佳工艺参数为:富液进塔温度144.28℃、重沸器温度205.4℃、TEG贫液循环量4 m^(3)/h、汽提气体积流量24.96 m^(3)/h。在干气水露点满足外输要求和天然气处理量为300×10^(4) m^(3)/d的情况下,运行费用可降低69.33万元/年。结论响应面法可为指导现场运行参数优化提供理论基础。     

On the Feasibility of Growing Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.91Ti0.09]O3 Single Crystals

Pb[(Zn_1/3Nb_2/3)_0.91Ti_0.09]O₃ (PZNT91/9) single crystals were grown by two methods: from solution using PbO as a self‐fluxing agent (SC method) and directly from the melt without fluxing (MC method). In both growth methods, an allomeric Pb[(Mg_1/3‐Nb_2/3)_0.69Ti_0.31]O₃ (PMNT69/31) single crystal was used as a seed. X‐ray diffraction patterns of ground crystals showed that phase‐pure perovskite PZNT91/9 single crystals were successfully fabricated by the above two methods. The composition of the crystals obtained by both the SC and MC methods was analyzed using X‐ray fluorescence, which confirmed that the crystal composition is close to the nominal value, although volatilization of PbO and segregation during crystal growth are inevitable. The MC PZNT91/9 crystals exhibit excellent piezoelectric properties, with the piezoelectric constant, d₃₃, in the range of 1800–2200 pC N^–1. This value is comparable to that of the SC crystals. However, the MC crystals show an abnormal dielectric behavior. In contrast with the SC crystals, in the MC crystals a much broader dielectric peak appears in the dielectric response curves, accompanied by a much lower peak temperature of around 105 °C. Furthermore, frequency dispersion is apparent over a much wider temperature range (even more apparent than in pure relaxors), where a large, i.e., about 70 °C, full width at half maximum (FWHM) for the dielectric peaks is observed in the dielectric response. It is speculated that such an unusual phenomenon correlates with defects, microinhomogeneities, and polar regions in the as‐grown MC crystals. The origins of this abnormality have not been interpreted in detail until now. However, optical observation of the domain structure confirms that both the SC and MC crystals possess complex structural states.     

基于Chan氏算法和Taylor级数展开法的协同定位方法

该文分析讨论了Chan和泰勒两种TDOA定位算法的优缺点,并在此基础上提出了基于 Chan氏算法(1994)和Taylor级数展开法(1976)的协同定位方法。通过在不同信道环境下对协同定位 方法进行仿真,表明该方法在信道环境恶劣时能够有效地提高定位精度。     

一种新的图像实时放大技术

该文提出了一种视频图像整数倍放大的实时插值方案一改进的像素填充插值法,给出了其基本原理及软、硬件实现方法.与重复插值法、线性插值法、像素填充插值法和小波放大法等进行了比较,并给出了放大后图像的主观和客观评价。结果表明改进的像素填充插值法的效果明显优于其他实时放大方法,且其硬件实现并不复杂,可用于视频图像实时放大的软、硬件设计。     

矩形波导填充带有空气柱介质不连续性的边界元法分析

应用边界元法分析了矩形波导中填充带有空气柱介质不连续性的散射特性，编制了一个通用的计算机程序，对几个算例进行了计算。数值结果表明了该方法的有效性。     

聚酰亚胺振动膜微型电场传感器

设计并分析了一种新型的以硅为基底、聚酰亚胺为振动膜的微型电场传感器。此种传感器利用了聚酰亚胺耐热、耐腐蚀并具有良好机械性能的特点,采用MEMS技术制造,使其具备体积小、重量轻、功耗低、便于与其他器件集成等特点,而且制作工艺简单,成本较低。本文阐述了此传感器的工作原理,并通过计算机模拟确定了增强信号的方法,同时描述了新型传感器的结构设计和加工工艺过程。     

限流用BaTiO3系PTC陶瓷的制备及影响因素

介绍了以钛酸四丁酯和自制高纯醋酸钡为主要原料,采用溶胶–凝胶一步法(sol-gel)制备限流用BaTiO3系PTC陶瓷材料的工艺路线,用正交实验法研究了Ti/Ba,Pb,Ca,Y,Mn等组分因素对PTC陶瓷材料性能的影响。优化确定了PTC陶瓷材料的较佳组成。在基方固溶体化学组成,原材料选择和复合添加物的改性,特别是烧结工艺等方面做了细致的工作。最终获得了居里温度(tC)100℃,室温电阻率(r25) ≤20 ·cm,升阻比(Rmax / Rmin)>105,温度系数(aR)≥15% /℃,耐电压(Vb)≥190 V·mm1的PTC陶瓷材料。     

半导体器件并联系统可靠性评估的经验Bayes方法

为了提高机载开关电源中半导体器件并联系统可靠性评估的准确性,运用经验 Bayes 法和经典的统计方法,研究了该系统的可靠性评估问题。分别给出了系统可靠性指标的经验 Bayes 估计,极大似然估计。利用 Monte-Carlo方法,对两种估计结果进行了比较,结果表明,经验 Bayes 估计的最大绝对误差为 0.07,它小于极大似然估计的最大绝对误差 0.368。     

Ku波段波导型双工器的研制

采用高精度的模式匹配法设计了一种Ku波段波导型双工器。双工器采用H面T接头和E面横向膜片波导带通滤波器。采用该方法设计的双工器精度高，结构简单，便于加工。文中也将理论结果和实测数据进行了比较，两者吻合得很好，证明了模式匹配法的精确性和有效性。     

斜置式方形探针测量单晶断面电阻率分布mapping技术

介绍了一种应用斜置式方形探针测量单晶断面电阻率的测试方法 ,将Rymaszewski直线探针测试方法引入到方形探针测试 ,并对测试过程中产生的游移以及图像监控问题进行了讨论 .应用此测试方法得到了 75mm的全片电阻率分布的mapping图 ,测试结果表明该方法可以在测量区域明显减小的同时保证测量的精确性 ,是一种行之有效的测量方法