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31.
低勘探程度区域油气资源评价方法 总被引:5,自引:1,他引:4
目前中国油气资源勘探和开发面临后备可采储量不足,低勘探程度区域受到重视。为了提高低勘探程度区域的资源评价精度,在前人评价的基础上,通过研究并利用勘探程度较高区域的资源评价结果,求准低勘探程度区域的油气聚集量,进而模拟求出其烃排聚系数、储量密度系数、单储系数和单生系数等关键参数,提出了利用练台地质推断法对低勘探程度区域进行评价,并对该方法评价的风险进行了分析。综合地质推断法的成果更能准确反映一个盆地、坳(凹)陷或区带的油气潜力及其分布特征。 相似文献
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本文讨论了磁电雾化电晕放电低温等离子体技术的基本原理,以及它在静电除尘、烟气脱硫等环保生物工程等领域中的应用前景. 相似文献
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Jean-Fran?ois Blais Nathalie Meunier Guy Mercier Patrick Drogui Rajeshwar Dayal Tyagi 《Canadian Metallurgical Quarterly》2004,130(5):516-525
This research is related to a preindustrial pilot scale study of the performance of the simultaneous sewage sludge digestion and metal leaching (SSDML) process for decontamination and stabilization of sewage sludge. Ten batch tests were carried out in two 4?m3 bioreactors under various conditions of operation. Results indicated that the addition of 1.0 to 1.5?g?S0/L, which is the equivalent of approximately 30 to 50?kg?S0 per tons dry sludge, is sufficient to obtain conditions of acidity (pH<2.5) and oxido-reduction potential greater than 500 mV necessary for an effective solubilization of toxic metals. The final average of metal solubilization in the output sludge during the SSDML process varied in the following ranges: 25–78% Cd, 9–32% Cr, 48–100% Cu, 77–99% Mn, 15–53% Ni, 12–47% Pb, and 66–100% Zn. The N, P, and K contents were also preserved in the decontaminated sludge. Moreover, the use of low concentrations of elemental sulfur makes it possible to obtain decontaminated sludge with a low total sulfur content (1.4–1.5% S) compatible with agricultural use. The suspended solids removal calculated for the SSDML process was slightly lower, (2.5±0.4)% volatile suspended solids per day, than those reached using standard aerobic digestion. Finally, the SSDML process was found to be effective in removing bad odors and in the destruction (99–100%) of indicator bacteria. 相似文献
34.
新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器 总被引:5,自引:2,他引:3
从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。 相似文献
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Woo‐Seok Cheong 《ETRI Journal》2003,25(6):503-509
Selective epitaxial growth (SEG) of silicon has attracted considerable attention for its good electrical properties and advantages in building microstructures in high‐density devices. However, SEG problems, such as an unclear process window, selectivity loss, and nonuniformity have often made application difficult. In our study, we derived processing diagrams for SEG from thermodynamics on gas‐phase reactions so that we could predict the SEG process zone for low pressure chemical vapor deposition. In addition, with the help of both the concept of the effective supersaturation ratio and three kinds of E‐beam patterns, we evaluated and controlled selectivity loss and nonuniformity in SEG, which is affected by the loading effect. To optimize the SEG process, we propose two practical methods: One deals with cleaning the wafer, and the other involves inserting dummy active patterns into the wide insulator to prevent the silicon from nucleating. 相似文献
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