全文获取类型
收费全文 | 6502篇 |
免费 | 500篇 |
国内免费 | 468篇 |
专业分类
电工技术 | 306篇 |
技术理论 | 1篇 |
综合类 | 688篇 |
化学工业 | 1039篇 |
金属工艺 | 537篇 |
机械仪表 | 465篇 |
建筑科学 | 437篇 |
矿业工程 | 249篇 |
能源动力 | 87篇 |
轻工业 | 179篇 |
水利工程 | 58篇 |
石油天然气 | 162篇 |
武器工业 | 56篇 |
无线电 | 610篇 |
一般工业技术 | 927篇 |
冶金工业 | 630篇 |
原子能技术 | 22篇 |
自动化技术 | 1017篇 |
出版年
2024年 | 15篇 |
2023年 | 68篇 |
2022年 | 82篇 |
2021年 | 127篇 |
2020年 | 120篇 |
2019年 | 135篇 |
2018年 | 150篇 |
2017年 | 196篇 |
2016年 | 187篇 |
2015年 | 214篇 |
2014年 | 302篇 |
2013年 | 351篇 |
2012年 | 443篇 |
2011年 | 471篇 |
2010年 | 380篇 |
2009年 | 392篇 |
2008年 | 425篇 |
2007年 | 535篇 |
2006年 | 451篇 |
2005年 | 380篇 |
2004年 | 322篇 |
2003年 | 317篇 |
2002年 | 253篇 |
2001年 | 194篇 |
2000年 | 145篇 |
1999年 | 145篇 |
1998年 | 113篇 |
1997年 | 98篇 |
1996年 | 57篇 |
1995年 | 65篇 |
1994年 | 48篇 |
1993年 | 36篇 |
1992年 | 35篇 |
1991年 | 33篇 |
1990年 | 26篇 |
1989年 | 20篇 |
1988年 | 21篇 |
1987年 | 11篇 |
1986年 | 6篇 |
1985年 | 22篇 |
1984年 | 13篇 |
1983年 | 13篇 |
1982年 | 11篇 |
1981年 | 3篇 |
1979年 | 5篇 |
1964年 | 3篇 |
1963年 | 4篇 |
1959年 | 2篇 |
1956年 | 3篇 |
1955年 | 6篇 |
排序方式: 共有7470条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
92.
Fiona M. Blighe Karen Young Juan J. Vilatela Alan H. Windle Ian A. Kinloch Libo Deng Robert J. Young Jonathan N. Coleman 《Advanced functional materials》2011,21(2):364-371
We have measured the mechanical properties of coagulation‐spun polymer–nanotube composite fibers. Both the fiber modulus, Y, and strength, σB, scale linearly with volume fraction, Vf, up to Vf ~10%, after which these properties remain constant. We measured dY/dVf = 254 GPa and dσB/dVf = 2.8 GPa in the linear region. By drawing fibers with Vf < 10% to a draw ratio of ~60%, we can increase these values to dY/dVf = 600 GPa and dσB/dVf = 7 GPa. Raman measurements show the Herman's orientation parameter, S, to increase with drawing, indicating that significant nanotube alignment occurs. Raman spectroscopy also shows that the nanotube effective modulus, YEff, also increases with drawing. We have calculated an empirical relationship between the nanotube orientation efficiency factor, ηo, and S. This allows us to fit the data for YEff versus ηo, showing that the fiber modulus scales linearly with ηo, as predicted theoretically by Krenchel. From the fit, we estimate the nanotube modulus to be; YNT = 480 GPa. Finally, we show that the fiber strength also scales linearly with ηo, giving an effective interfacial stress transfer of τ = 40 MPa and a nanotube critical length of lc=1250 nm. This work demonstrates the validity of the Cox‐Krenchel rule of mixtures and shows that continuum theory still applies at the near‐molecular level. 相似文献
93.
Takashi Isoshima Youichi Okabayashi Eisuke Ito Masahiko Hara Whee Won Chin Jin Wook Han 《Organic Electronics》2013,14(8):1988-1991
Negative giant surface potential was realized in a vacuum-evaporated film of tris(7-propyl-8-hydroxyquinolinolato) aluminum(III) [Al(7-Prq)3]. Electroabsorption response of the film presented an inverted polarity to that of tris(8-hydroxyquinolinolato) aluminum (Alq3), suggesting opposite noncentrosymmetry of molecular orientation. Asymmetric dice model with molecular geometric effect has been proposed, and propyl substitution at 7 position of the ligands was indicated to affects the molecular posture on the surface to invert the polarity of noncentrosymmetry. Our results opened a new possibility of controlling molecular orientation in a film for device applications. 相似文献
94.
95.
针对激光毛化提高镀铬层硬度和耐磨性的现象,采用X-衍射测试不同状态铬层晶粒位向,利用晶粒密排面的排列位向定性分析铬层织构改变情况。结果表明,基体经毛化处理产生的高密度位错和表面形貌改善了电镀铬层织构,是使铬层硬度、耐磨性能提高的重要原因。 相似文献
96.
97.
98.
采用射频(RF)磁控溅射法在金刚石(111)衬底上沉积LiNbO3(LN)薄膜,借助X射线衍射技术(XRD),研究了外加偏压(0~80V)和衬底温度(200~500℃)等工艺参数对LiNbO3薄膜结构和取向性的影响。实验结果表明,在衬底温度为200℃、外加偏压为~80V的T艺条件下,LiNbO3的(006)衍射峰强度超过LN的(012)衍射峰强度,在金刚石(111)衬底上获得较高c轴取向的LN薄膜。并且对C轴择优取向LN薄膜的形成机理进行了探讨。 相似文献
99.
Two types of 5μm thick hybrid orientation structure wafers,which were integrated by(110)or(100) orientation silicon wafers as the substrate,have been investigated for 15-40 V voltage ICs and MEMS sensor applications.They have been obtained mainly by SOI wafer bonding and a non-selective epitaxy technique,and have been presented in China for the first time.The thickness of BOX SiO2 buried in wafer is 220 nm.It has been found that the quality of hybrid orientation structure with(100)wafer substrate is better than that with(110)wafer substrate by"Sirtl defect etching of HOSW". 相似文献
100.