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Emad Abd‐Elrady Li Gan Gernot Kubin 《International Journal of Communication Systems》2013,26(5):651-661
Digital predistortion of nonlinear systems is an important topic in many practical applications. This paper considers direct predistortion of a Volterra system by connecting in tandem an adaptive Volterra predistorter. The coefficients of the predistorter can be recursively estimated using the nonlinear filtered‐x least mean squares (NFxLMS) algorithm. In this paper, the prediction error method (PEM) is used to derive a novel nonlinear filtered‐x PEM (NFxPEM) algorithm. A simulation study on Volterra systems shows that the NFxPEM algorithm more significantly suppresses spectral regrowth and converges much faster than the NFxLMS algorithm. Also, the NFxPEM algorithm is used in this paper to design more efficient digital predistorter—as compared with the NFxLMS algorithm—for digital subscriber line systems. Copyright © 2012 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
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为推行精益生产,提出一种基于时间序列提取信号特征值的通用自动标检软件开发的方法。从自动标定/
检验工装通用架构及基于时间序列提取信号特征值2 方面,阐述基于多核多线程时间片轮转调度及依据既定信号类
型,基于分段时间序列借助约简算法快速提取信号特征值。结果表明:该方法在既定时段能可靠完成约定产品的标
定、检验与功能测试,优化生产排程,缩减约定产品生产周期。 相似文献
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在我国的"电机学"教材中,变压器等效电路中的励磁支路一般都是采用励磁电阻和励磁电抗串联的形式,而美版的教材中采用的则是电阻与电抗并联的形式。本文在分析这两种等效电路的基础上,将这两种不同的励磁支路形式进行对比,指出并联型的励磁支路中各参数的物理意义更加明晰,更有利于学生的学习和理解。 相似文献
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复杂时间序列是高度复杂的非线性动态系统,传统的支持向量机方法无法对单一点值进行精确的预测,因此,对时序波动区间的预测更有参考意义。基于此,提出一种基于加权支持向量机的时序波动范围预测算法。研究中以股票指数为例,首先将原始价格数据进行模糊信息粒化,并针对金融时间序列的特点,利用改进后的加权支持向量机对粒化后的价格数据作出回归分析,同时对参数进行优化。最后对3大股票指数的预测实验验证结果表明,该方法能对复杂时间序列的波动范围进行有效的预测,并且精度优于标准支持向量机模型。 相似文献
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本文详细介绍了麦格米特MV600L变频器的特点和优势,及在主流建筑机械关键机构上的应用。采用MV600L变频驱动和MC系列PLC控制,能大大简化建筑机械电控系统的设计,给建筑机械各动力系统机构带来更加安全、稳定、高效的运转。 相似文献
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《Microelectronics Reliability》2015,55(8):1163-1168
In this paper, investigation of device geometry on intermodulation distortion (IMD) of metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) is presented in the impact ionization region based on the Volterra analysis. As the gate length or gate width decreases, observed linearity improvement of the MOSFET in the breakdown regime is attributed to the more obvious breakdown inductance nonlinearity which cancels the transconductance nonlinearity. Linearity of the MOSFETs can be improved by choosing suitable device geometry in the breakdown region. It is believed the presented analysis results can benefit the reliability investigation for MOSFET linearity in the breakdown region. 相似文献