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71.
金属Ni包覆于陶瓷粉体的表面,可以促进其烧结、提高导电性或赋予新的功能性质.本文采用旋转化学气相沉积法(RCVD),利用二茂镍(NiCp_2)前驱体的热分解,借助载体氢气对反应的催化促进作用,在Al_2O_3粉体表面包覆了均匀分散的Ni纳米粒子,并研究了包覆温度和原料供应速率对反应产物物相、粒度和形貌的影响规律.研究表明,在包覆温度为450~550℃、前驱体二茂镍(NiCp_2)供给速率为(0.6~2.0)×10~(-6)kg/s条件下,通过对反应过程中镍纳米粒子的包覆温度和前驱体二茂镍(NiCp_2)供给速率调控可对镍纳米粒子的粒径大小和包覆层数进行调控.结合实验结果,分析了载体氢气对二茂镍反应的催化促进作用,阐述了旋转化学气相沉积条件下Ni纳米粒子在Al_2O_3粉体表面均匀包覆的过程与机制.通过调控包覆温度和原料供应速率,可以影响前驱体二茂镍的分解行为,从而调控镍纳米粒子在Al_2O_3粉体表面的包覆状态. 相似文献
72.
本文给出了一种数值求解变系数对流扩散反应方程的指数型高精度紧致差分方法.我们首先将模型方程变形,借助常系数对流扩散方程的指数型高精度紧致差分格式,采用残量修正法得到变系数对流扩散反应方程的指数型高精度紧致差分格式;并从理论上分析了当Pelect数很大时,本文格式达到四阶计算精度时网格步长的限制条件;离散得到的代数方程组可采用追赶法直接求解.数值实验结果与理论分析完全吻合,表明了本文格式对于边界层问题或大梯度变化的物理量求解问题具有的高精度和鲁棒性的优点. 相似文献
73.
74.
《材料科学技术学报》2019,35(10):2163-2168
CBN/Cu-Sn-Ti (CBN: cubic boron nitride) composites are prepared by active brazing sintering at 1123 K, 1173 K, 1223 K and 1273 K, respectively. The effects of brazing temperature on the wettability, interfacial characteristics, and elemental distribution variations are fully investigated. When the brazing temperature is below 1223 K, completely uncoated and/or partially coated CBN particles with sharp edges can still be observed, and the reaction layer, mainly composed of TiN and TiB2, appears to be thin and uneven. When the brazing temperature is 1223 K, all CBN particles are completely coated, suggesting that adequate wetting has taken place. Besides, as Ti diffuses thoroughly and enriches the interface, the reaction layer, filled primarily by TiN, TiB2 and TiB, becomes thicker (about 1.30 μm), more uniform, stable and continuous. Further increasing the temperature to 1273 K is unnecessary or even harmful as the reaction layer thickness undergoes negligible change yet some tiny micro-cracks appear on the interface, which may likely deteriorate the grinding capability of the final brazing products. 相似文献
75.
《材料科学技术学报》2019,35(9):1906-1916
Skin layer is a characteristic microstructure of aluminium die castings, which would effect the surface blistering during solution treatment. In this study, the microstructures of skin layer were investigated by the methods of optical microscope (OM), scanning electron microscope (SEM) and electron probe micro-analyzer (EPMA). High resolution X-ray CT was used to compare the skin layer with normal surface before and after solution treatment. With the aid of computational fluid dynamics (CFD), the formation mechanism of the skin layer was discussed based on microstructure distribution, solute segregation, porosity distribution and surface blistering. The results suggested that the skin layer is related to a succession of complex processes before the filling process finished. Pore clusters or laminar defects would be formed in skin layers during solution treatment and cause severe surface blistering. 相似文献
76.
针对过程工业中难以直接测量的变量建立其软测量模型,对于实现关键指标的在线监测和实时控制具有十分重要的意义.变量的选择直接关系到神经网络软测量模型的预测性能,针对现有输入变量和网络结构选择方法在工业应用中的不足,提出了一种基于敏感度分析的方法来确定网络输入变量集和前馈神经网络隐含层节点个数,并建立了高密度聚乙烯(HDPE... 相似文献
77.
CHEN KenLe & ZHANG JinWen National Key Laboratory of Micro/Nano Fabrication Technology 《中国科学:信息科学(英文版)》2011,(2)
78.
79.
80.
Yusuke Fukui Yosuke Honda Yasuhiro Yamauchi Michiko Okafuji Masahiro Sakai Mikihiko Nishitani Yusuke Takata 《Journal of the Society for Information Display》2010,18(12):1090-1094
Abstract— MgO thin film is currently used as a surface protective layer for dielectric materials because MgO has a high resistance during ion sputtering and exhibits effective secondary electron emission. The secondary‐electron‐emission coefficient γ of MgO is high for Ne ions; however, it is low for Xe ions. The Xe content of the discharge gas of PDPs needs to be raised in order to increase the luminous efficiency. Thus, the development of high‐γ materials replacing MgO is required. The discharge properties and chemical surface stability of SrO containing Zr (SrZrO) as the candidate high‐γ protective layer for noble PDPs have been characterized. SrZrO films have superior chemical stability, especially the resistance to carbonation because of the existence of a few adsorption sites due to their amorphous structure. The firing voltage is 60 V lower than that of MgO films for a discharge gas of Ne/Xe = 85/15 at 60 kPa. 相似文献