功率器件IGBT槽栅设计尺寸对直流参数影响的研究

IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一。本文首先简要介绍IGBT及历代器件工艺的发展,提出了一种槽栅IGBT的工艺流程,并研究了其槽栅设计尺寸对器件主要直流参数的影响。     

一种改进型套筒单极子天线的研究

文中基于单极粗振子展宽带宽理论,采用一种新型加粗套筒单极子辐射体的实用模型来展宽套筒单极子天线的阻抗带宽,并利用有限元法(FEM)对其驻波和辐射特性以及天线各参数进行了分析。在此基础上,设计了一副工作在108MHz～420MHz频段、电压驻波比小于3．0的实用套筒单极子天线,计算结果与实测结果吻合良好。     

固结磨料抛光K9光学玻璃的工艺实验研究

采用一种亲水性固结磨料抛光垫(FAP),通过单因素实验法,系统地研究了抛光K9光学玻璃过程中抛光时间、偏心距、压力、转速、抛光液流量及pH值等工艺参数对材料去除速率(MRR)和表面粗糙度的影响规律,并对实验结果进行了解释。结果表明:随着抛光时间的延长,K9光学玻璃的MRR逐渐呈下降趋势;在抛光20min时,MRR达最大值310nm/min,且表面粗糙度降至最低值为2.73nm;选择较大的偏心距和碱性抛光液环境均有利于提高MRR;随着抛光盘转速的升高,MRR将显著增大。而在一定范围内,抛光压力和抛光液流量对MRR的影响不大。     

在参量控制下的（2+1）维空间光孤子

为了实现在纵向变化的参量控制下,（2+1）维空间光孤子不稳定性的抑制,通过了数值地求解变系数的（2+1）维非线性薛定谔方程,讨论了在参量控制下的（2+1）维空间光孤子。结果发现,一定的参量控制,即沿传播方向周期性改变的衍射参量和自聚焦效应参量可有效抑制（2+1）维空间光孤子的不稳定性。另外,进一步的数值计算表明,在一定参量控制下的（2+1）维空间光孤子的传输对损耗,有限的扰动,如白噪声等不敏感。 这表明参量控制的（2+1）维空间光孤子应该是稳定的。     

单通道时频重叠多信号处理技术进展与展望

复杂的电磁环境使得无线电侦察截获机接收到的信号时频重叠的情况时有发生,给信号分选和识别带来很大的困难。而阵列信号处理的方法不能直接移植到单通道时频重叠信号中,因此探求新的方法来解决此类问题,已经成为国内外研究的热点,有着广泛的应用前景。以通信对抗为应用背景,对现有的基于循环平稳的单通道时频重叠多信号参数估计和调制识别方法进行了总结,综述了现有的频移滤波器的方法和分离效果评价指标,指出了该技术发展面临的挑战和进一步的研究方向。     

改进差分进化算法研究及应用

本文研究了差分进化算法的原理和参数的选择方法,重点介绍了具有自适应参数的改进差分进化算法以及在处理整数规划问题时对差分进化算法的改进方法。最后对其进一步研究领域进行了展望。     

闪耀光栅的衍射特性研究

为了系统研究闪耀光栅的衍射特性,分析光栅结构参量对其衍射效率的影响,采用严格的耦合波分析方法,得到了闪耀光栅的槽顶角、闪耀角等结构参量以及波长与衍射效率的关系。结果表明,随着槽顶角的增大,闪耀角向减少的方向移动,衍射效率则向降低的方向移动;槽顶角一定时,随着光波长的增大,衍射效率降低,同时闪耀角向增大的方向移动;同时分析了闪耀光栅的偏振现象。分析结果可为闪耀光栅的设计提供参考依据。     

基于电压充电泵的功率因数校正电路研究

分析了基本电压充电泵功率因数校正电路(VS-CPPFC)的原理，并且给出了电路的工作过程和取得单位功率因数的条件，以及电路参数指导设计。通过对基本电路的不足给予分析。在基本电路基础上进行一定的改进，得到比较实用的电路拓扑结构，通过实验验证了理论分析的正确性。     

基于CCD视觉的螺纹参数自动检测技术研究

为实时准确地对螺纹的牙型角(牙型半角)、螺距、导程、螺纹高度、大径、小径、中径、螺纹升角等参数进行测量,并提高测量精度,设计并实现了基于面阵CCD的螺纹参数非接触测量系统.着重研究了该系统的光学成像、螺纹图像预处理、边缘检测、亚像素提取以及摄像机标定等内容,研制了相应的测试分析软件,进行了相应的实验研究.研究结果表明,该系统测量速度快、测试精度高、重复性好.     

含B闪锌矿三元系半导体BxIn1-xP和BxGa1-xP带隙理论预测

利用第一性原理计算方法,用广义梯度近似 (GGA) 处理电子之间的交换关联能,计算了BxIn1-xP,BxGa1-xP的带隙结构.BxIn1-xP的带隙弯曲参数b _Eg (Γ)=4.32eV,b_Eg(X) =1.8eV,它从直接带隙转变为间接带隙时B的含量为0.47;在小量B的掺入下,可使BxIn1-xP的带隙变小,在x=0.15时带隙达到最小值1.33eV.BxGa1-xP的带隙弯曲参数b_Eg(Γ)=1.37eV,b _Eg(X)=2.46eV,在整个组分内是间接带隙.BxIn1-x-P,BxGa1-xP有较大的带隙弯曲参数,是由于组成它们的二元系之间存在较大的晶格失配.