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141.
142.
本文对代数曲面的几何连续拼接作了研究,给出了多个代数曲面的几何连续过渡方法,同时给出了一种基于分片的曲面过渡方法。 相似文献
143.
J. W. PARK R.F. TESTIN P. J. VERGANO H.J. PARK C.L. WELLER 《Journal of food science》1996,61(4):766-768
The effects of various stearic-palmitic acid blend concentrations in films, storage temperatures and storage times on potato chip quality were evaluated using Response Surface Methodology. Storage temperature and time affected the quality of potato chips. The maximum storage times for acceptable potato chip quality were: 30 to 43 days, 23 to 25 days, and 11 to 12 days for storage temperatures of 15, 25 and 35°C, respectively. Results were independent of stearic-palmitic acid blend concentrations. 相似文献
144.
本文主要论述了面流消能五种典型流态近底紊动流速特性,总结出了近底时均流速和紊动强度沿程变化规律,提出了近底紊动流速可能出现的最大瞬时值及相应位置的计算公式。面流消能工程的下游防冲设计中考虑的主要水力参数之一是,消能段近底流速紊动可能出现的最大瞬时值及其相应的部位,但目前国内外研究成果较少。笔者通过水工模型试验重点研究了面流消能各典型流态近底流速及其紊动纵向分量沿程的变化规律,并提出了计算公式,为优化面流设计提供科学依据。 相似文献
145.
本文对气相表面处理碳纤维的新工艺进行了系统研究。处理后的碳纤维强度、模量不下降,且其表面能、表面化学官能团含量明显增加;表面微晶结构变小,与环氧树脂复合后,层间剪切强度(LLSS)提高47%左右。本文还对复合材料断口的形态结构进行了分析,说明这种表面处理方法能有效改善碳纤维增强环氧树脂复合材料(CFRP)的界面粘结。 相似文献
146.
147.
Low-loaded vanadia-titania catalysts have been prepared by impregnation of titania P-25 (Degussa). The catalysts were characterized by X-ray diffraction, specific surface area and porosity assessment by nitrogen adsorption at 77 K. For very low vanadia contents the absence of surface acid Brønsted sites leads to dimerization on surface acid Lewis sites, whereas the presence of surface acid Bransted sites when the vanadia content is increased leads to oxidation to carbonyl and carboxylate species. 相似文献
148.
It is demonstrated that glassy carbon powder can be thermochemically activated. During activation, a film with open pores is created on the glassy carbon particles. This film has a large internal surface area, which is accessible to liquids and gases. A simple model for the evolution of the internal surface area in glassy carbon powder during thermochemical gas-phase oxidation is also presented and compared with experimental data. Experimental results are in qualitative agreement with the model. We found that a sharp particle size distribution is desirable with regard to potential technical applications. 相似文献
149.
150.
Monocrystalline 6H-SiC thin films have been epitaxially grown on off-axis 6H-SiC {0001} substrates in the temperature range
of 1623–1873 K via chemical vapor deposition. The growth rate was a strong function of the growth temperature and the reactant
gas concentration. The activation energies for growth were 64 kJ/mole and 55 kJ/mole for the (0001) Si face and the (0001)
C face, respectively. The concentration of growth pits in the films increased as a function of decreasing deposition temperature,
increasing concentration of reactant gases and increasing off-axis orientation. Beta-SiC islands were also observed in the
epilayers when the (SiH4 + C2H4)/H2 ratio was ≥2.5:3000. 相似文献