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炼钢粉尘处理工艺的最新发展 总被引:4,自引:0,他引:4
对国内外炼钢粉尘的几种处理工艺进行了详细的介绍和比较,总结了各种工艺的技术和经济特点。 相似文献
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镍是装饰镀铬组合工艺的中间镀层,用量较大,而镍价居高不下,节镍工艺倍受关注。本文介绍以锌铁合金为装饰镀铬底层的节镍工艺:一般Cu/Ni/Cr镀层改为Zn-Fe/碱Cu/亮Ni/Cr;高档产品半亮Ni/高硫Ni/全亮Ni/Cr镀层改为Zn-Fe/中性镍/亮Ni/Cr。应用表明,节镍工艺既不影响装饰铬的防护性,又显著节约金属镍,有效降低生产成本。 相似文献
97.
铜丝键合工艺研究 总被引:2,自引:1,他引:1
键合铜丝作为微电子工业的新型研发材料,已经成功替代键合金丝应用于IC后道封装中。随着IC封装键合工艺技术及设备的改进,铜丝应用从低端产品如DIP、SOP向中高端QFP、QFN、多层线、小间距焊盘产品领域扩展。因封装制程对键合铜丝的性能要求逐步提高,促进了铜丝生产商对铜丝工艺性能向趋近于金丝工艺性能发展,成为替代金丝封装的新型材料。文章首先讲述了铜丝键合的优点,指出铜丝在键合工艺中制约制程的瓶颈因素有两个方面:一是铜丝储存条件对环境要求高,使用过程保护措施不当易氧化;二是铜丝材料特性选择、制具选择、设备键合参数设置不当在生产制造中易造成芯片焊盘铝挤出、破裂、弹坑等现象发生,最终导致产品电性能及可靠性问题而失效。文章通过对铜丝键合机理分析,提出解决、预防及管控措施,制定了具体的生产管控工艺方案,对实现铜丝键合工艺有很好的指导意义。 相似文献
98.
利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器 总被引:1,自引:0,他引:1
为满足对电子系统中元器件性能提升、面积减小、成本降低等需求,利用感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP),对低阻p型硅采用刻蚀、扩散、磁控溅射Al电极等工艺,使之形成凹槽状三维结构,制造出一种特殊的具有高密度电容量的硅基电容器。其特点是结构简单,电容量大(电容密度可达2.2×10–9F/mm2),容值可调,与现有微电子工艺兼容,可用于200MHz至数GHz的退耦或其他场合。同时由于半导体pn结固有的特性,该电容器可取代传统的贴片电容广泛用于电子系统中的退耦、滤波、匹配、静电和电涌防护等场合。 相似文献
99.
用等离子体改性淀粉膜的处理条件分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用等离子体对淀粉膜进行表面改性,通过测量改性后丙烯酸接枝率,分析了等离子体放电功率、放电时的气压、放电时间和放电后静置时间对淀粉膜改性效果的影响.结果表明,丙烯酸接枝率在2.0%~7.0%之间;接枝率随等离子体放电功率增加有增加趋势,随真空腔气压升高呈下降趋势,随等离子体处理时间增加呈先增加后逐渐饱和态势,随静置时间延长呈下降趋势,且时间过长会大幅衰减,接枝率趋向于零. 相似文献
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为更好地应用半精纺工艺开发出适应市场需求的纺织品,根据实际情况,调整产品结构,通过新型的半精纺技术进行新产品开发,结合自身毛纺技术不断创新、研究新课题,对半精梳羊绒产品服用性作了进一步探索和实践。从羊绒针织纱的生产工艺着手,分析、研究了原料、纺纱工艺和水洗缩绒工艺等环节对羊绒织物平整度(纹路清晰)的影响。优化了纺纱工艺参数,着重强调提高产品平整度的技术措施,提升了半精梳羊绒针织纱线及产品的档次。 相似文献