基于dsPIC30F的恒流电子负载设计

设计了一种对33V锂电池进行最大5A恒流放电的电子负载。该电子负载以dsPIC30F6014A单片机为核心控制器,闭环控制MOSFET恒流放电,并以热能的方式消耗电能。锰铜电阻和仪用运算放大器AD623构成电流采样电路。测试结果显示,系统的相对误差低于6‰。     

基于认知负荷理论的多媒体课件设计研究

多媒体课件的信息加工主要包括信息的选择、组织和整合策略,它直接影响学习者对学习内容的选择、组织和整合。目前高校的多媒体课件比较注重体现多媒体技术形象直观、信息量大、效率高等特点,却往往忽视过量信息加工和学习者认知资源有限之间的矛盾。依据认知负荷理论,合理设计多媒体课件中文字、图片、声音、动画和视频等的呈现方式,可以降低认知负荷,最大限度提高学习者的信息加工水平,以达到提高教学效果的目的,同时对指导当前多媒体辅助教学实践也有重大意义。     

基于消息的Parlay X网关过载控制算法

为了解决目前Parlay X网关过载算法灵活性低、不能有效地使会话量最大化的问题,给出了基于合约的Parlay X网关系统架构。根据Parlay X消息类型特点设置消息优先级,根据消息优先级选择丢弃或者缓存消息,之后根据负载情况进行负载均衡以及接入控制,通过四个阶段来实现过载控制过程。实验结果表明,相比较于传统过载控制,该机制能在保证新建会话消息接收数量的同时提高其他类型消息的接收数量,减少平均服务时间,在满足合约限制的情况下,保证最大会话数量。     

电力负荷管理终端常见现场故障分析

介绍终端系统的组成及电力负荷管理终端在其中起到的作用,分析终端现场运行故障的原因,并提出相应的处理措施。     

基于高炉TRT系统控制技术的研究与改进

介绍高炉TRT控制系统的改进,以达到节能、降噪、环保的目的.     

供配电系统无功补偿方案的选择

介绍无功补偿的作用、方法及原则,分析炼钢供配电系统负荷性质及无功补偿的必要性,并提出各供配电系统的无功补偿方案。     

基于二次EEMD的工业电能需量多步预测

电力大用户最大需量控制是降低电网峰值负荷、节约用户电费成本的重要技术手段.面向强波动性和冲击性工业电能需量控制,研究了超短期需量负荷的多步预测问题.基于集成经验模态分解(EE-MD)方法,通过二次分解有效分离时间序列中不同频率的信号,采用长短期记忆网络(LSTM)对各信号子序列进行独立预测,最后组合预测结果.实验结果表明,本方法能很好的预测工业需量负荷变化,M A PE/MAE/NRMSE精度指标基本控制在2％ 以内,明显优于多种现行主流时序预测模型和最新文献方法,且消除了多步预测的传递误差,预测模型精度和稳定性满足需量控制要求.     

印尼地区嵌岩灌注桩竖向承载特性现场试验

为更加深入研究不同竖向荷载作用下大直径嵌岩灌注桩的承载特性与荷载传递规律,以印尼地区某工程为依托,对3根直径为800 mm的嵌岩灌注桩进行单桩竖向抗压静载试验与桩身应力测试。试验结果表明:3根试桩的Q-s曲线均为缓变型,沉降量均不超过17 mm,回弹率较大,介于54.8%~70.9%之间,残余沉降较小,承载力较高,均满足设计要求。桩身轴力随桩顶荷载的增加逐渐增大,随深度逐渐递减;桩侧摩阻力的发挥具有异步性,随着荷载的增大,桩侧摩阻力逐渐发挥,在嵌岩段桩侧摩阻力最大,但仍未充分发挥;桩端阻力随桩顶荷载的增加近似呈线性增大,在最大荷载作用下,桩端阻力占比约55%,表现出摩擦端承桩的特性。研究结果对国内桩基规范的完善以及当地桩基规范的制订具有较重要的意义。     

上拔荷载对斜桩水平承载性状影响的试验研究

斜桩在承受水平荷载的同时,往往会受到上拔荷载的作用。为研究上拔荷载对斜桩水平承载性状的影响,开展了10根直、斜桩的室内模型试验,研究上拔荷载对斜桩桩顶水平位移和水平承载力的影响,对比了直桩与斜桩桩身弯矩和剪力的差异,并分析了上拔荷载对正、负斜桩桩身内力及桩侧摩阻力的影响规律。模型试验结果表明:上拔荷载从直桩水平极限承载力的12.5%增大到75%时,正斜桩水平承载力比增大21%,负斜桩水平承载力比减小25%。上拔荷载的存在会使正、负斜桩桩身轴力均增大,且上拔荷载越大,桩身轴力越大。上拔荷载能减小正斜桩桩身弯矩和剪力,使其抵抗弯矩和剪力的能力得到提高,而增大负斜桩桩身弯矩和剪力,使其抵抗弯矩和剪力的能力被削弱;不论正斜桩还是负斜桩,其上部区段桩身侧表面均出现了方向向上的摩阻力,而下部区段桩身侧表面均为方向向下的摩阻力,随着上拔荷载的增大,斜桩桩身侧摩阻力逐渐增大。     

一种高压摆率低电压CMOS AB类放大器的设计

为了增加单位增益频率与压摆率,并能够工作在低电源电压下,同时降低偏置电流,提出了一种改进的基于0.18μm CMOS工艺的AB类放大器,其采用多级放大器结构,第一级为具有电流镜负载的NMOS差分对,第二反相级由共源放大器实现,第三极为AB类放大器,其能够在±500 m V电源下工作.电路仿真结果显示该放大器相位裕度为87°;总补偿电容为5 p F,与传统放大器相比减少了50%;单位增益频率为21.17 MHz,比传统放大器增大约10倍;压摆率为7.5和8.57 V/μs,与传统电路相比,分别增加了2.8倍和2.6倍.此外,与其他文献相比,该放大器具有较大的单位增益带宽和压摆率以及较小的功耗.