2DW_(232-236)~(14-18)型硅电压基准二极管的研制

本文介绍了２ＤＷ_（２３２－２３６）~（１４－１８）型硅电压基准二极管的研制过程及研制结果。     

含钢内衬增强纤维缠绕筒横向抗冲击性能研究

以两种φ120 mm含钢内衬增强纤维缠绕筒为研究对象(一种为纯玻璃纤维缠绕筒,另一种为玻、碳纤维混合缠绕筒),进行落锤冲击试验、三点弯曲试验和悬臂弯曲试验,研究这两种含钢内衬的不同纤维缠绕筒在横向低速冲击下的抗冲击性能。对比试验表明,玻、碳混合缠绕筒的整体刚度比纯玻璃纤维缠绕筒高。悬臂弯曲试验中纯玻璃纤维缠绕筒和玻、碳混合缠绕筒的钢内衬主应力随载荷的变化率分别为64.39 MPa/kN和79.77 MPa/kN,表明玻、碳混合缠绕筒的钢内衬对外载荷更为敏感,钢内衬的抗冲击能力下降。     

基于射表数据的火炮弹道仿真分析方法

针对火炮弹道计算中难以合理考虑空气阻力影响的问题,提出了一种基于射表数据合理考虑空气阻力影响的弹道仿真分析方法。通过对火炮射表数据分析,将空气阻力分解成水平和垂直2个方向,结合典型空气阻力理论模型,利用多项式拟合得出水平和垂直2个方向上的空气阻力所产生的加速度与速度的关系式,从而建立了一种基于射表数据的空气阻力模型。通过时间离散分析,推导并得出考虑空气阻力影响的火炮弹道计算方法,并通过仿真试验证明了该方法的正确性及有效性。     

箔式聚丙烯电容器电压失效机理及工艺控制

箔式聚丙烯电容器在高温负荷及整机使用时易击穿。为了改善箔式电容器的抗电性能,对切割、卷绕、热压、焊接和浸渍工艺进行了研究。结果表明:切割时应尽量消除铝箔毛刺,卷绕时毛刺应卷在芯子端面,热压压强取5.88MPa,焊接时控制引线间距,浸渍应在真空度为–0.09MPa时进行。     

功率器件热阻的测量研究分析

文章以功率器件M0sFET为例,通过电学测量方法主要研究了器件对于散热能力考量的参数热阻——Rthja和Rthjc,即器件两种不同散热方式的能力。此外还针对在热阻的测试过程中加热信号的不同方式以及周围环境中空气的流速对于热阻测试的影响进行了研究和比较。研究了在同一封装形式中,不同芯片尺寸对于热阻的影响,通过实验得到芯片...     

Effect of 6 MeV electron irradiation on electrical characteristics of the Au/n-Si/Al Schottky diode

Electron irradiation of the Au/n-Si/Al Schottky diode was performed by using 6 MeV electrons and 3 × 10¹² e⁻/cm² fluency. The current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and capacitance-frequency (C-f) characteristics of the unirradiated and irradiated Schottky diode were analyzed. It was seen that the values of the barrier height, the series resistance, and the ideality factor increased after electron irradiation. However, there was a decrease in the leakage current with electron irradiation. The increase in the barrier height and in the series resistance values was attributed to the dopant deactivation in the near-interface region. The interface states, N_ss, have been decreased significantly after electron irradiation. This was attributed to the decrease in recombination centre and the existence of an interfacial layer. A decrease in the capacitance was observed after electron irradiation. This was attributed to decrease in the net ionized dopant concentration with electron irradiation.     

利用微机数据处理提高温度测量精度

本文讨论两种利用微机数据处理提高铂电阻温度传感器测量精度的修正算法.多通道温度数据采集器通过USB总线接口与计算机连接,温度传感器采用Pt100铂电阻,通过修正铂电阻的0(C电阻值R0、100(C与0(C电阻比值W100,有效提高温度测量精度,以达到使用廉价的B级Pt100铂电阻传感器,仍可获得较高的测量精度.     

薄膜基板芯片共晶焊技术研究

共晶焊是微电子组装技术中的一种重要焊接工艺,在混合集成电路中得到了越来越多的应用。文中简要介绍了共晶焊接的原理,分析了影响薄膜基板与芯片共晶焊的各种因素,并且选用Ti/Ni/Au膜系和AuSn焊料,利用工装夹具在真空环境下通入氮、氢保护气体的方法进行薄膜基板芯片共晶焊技术的研究。     

功率放大器的热设计研究

功率放大器作为发射通道分系统的核心部件,对其性能指标、可靠性提出了较高要求。针对电子设备的高性能、高可靠性要求,文章主要研究了固态脉冲功率放大器的热设计。以Ku波段功率放大器为例,介绍Ku波段功率放大器的热设计方法和流程,采用有限元软件ANSYS建立其三维热模型,对模型在空气自然对流情况下的温度分布状况进行了模拟和分析,模拟结果与实测值基本吻合,验证了模型的有效性。研究结果为功率放大器的热设计提供了重要的理论依据。