基于遗传算法的NoC互连测试研究

针对互连测试难题的分析,提出一种基于遗传算法的NoC互连测试方案。该方案采用NoC重用测试机制的方法,在功耗限制条件下,选取合适的测试端口和最短测试路径,同时根据互连测试中实际存在的问题,对算法进行适当改进,建立基于遗传算法的NoC互连测试模型,旨在获取最优矢量集的同时,测试代价更小。当NoC的规模达到一定程度时,采用划分测试方法,缩短测试路径,降低测试时间,提高测试效率。以SoCIN结构电路为仿真平台,分别对不同规模的NoC进行实验仿真。实验结果表明,遗传算法能快速有效地收敛到最优解,在测试运行代数及测试生成时间上取得了良好的测试效果。     

软件测试模型及其改进方案

当前软件企业面临着用户需求日益复杂、软件产品架构日益扩大等问题。这些问题向软件测试提出了更高的要求。该文对传统测试模型进行了介绍和分析,在分析V模型、W模型以及X模型等软件测试模型的特点和局限性的基础上．利用增加单元测试准则的方法对软件测试模型进行了改进。基于以上工作,以CMMI的标准为指导对软件测试流程以及测试模型的改进提出了思路和方法。     

基于某履带式自行装备负重轮虚拟拆装实现

以解决实装拆卸安全性不足为目的,基于已有的三维交互理论和履带式自行装备实装技术,在Windows系统和VC＋＋的编程环境下,以Vega软件为平台,以CyberGlove数据手套和FOB位置跟踪器和5DT数据头盔为主要交互设备,建立了零部件和工具的模型和路径规划,成功实现了负重轮部件的虚拟拆装过程,为其他装备基于本系统的虚拟装配提供了开发平台,为装备虚拟维修提供了一定的参考。     

ARM多点源诱偏仿真试验的线阵实现方法

研究了ARM的对抗技术及有源诱偏原理,提出了仿真试验系统在不具备面天线阵的情况下,利用线天线阵进行内场仿真试验的实现方法。研究了反辐射导弹两点源诱偏导引信号模型,分析了两点源诱偏和多点源诱偏线阵实现方法的联系与区别,建立了在线阵上利用两点源诱偏实现多点源诱偏的方案,并分析了试验中的关键问题。利用仿真对所提出的方法进行了验证,证实了该方法的可行性。     

Determination of the interface energy level alignment of a doped organic hetero-junction using capacitance–voltage measurements

A simple method based on capacitance–voltage (C–V) measurements is reported to determine the interface energy level alignment at the junction of 15 mol% Cs₂CO₃ doped 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen) and 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene hexacarbonitrile (HATCN) fabricated under high vacuum. The junction properties, such as the depletion layer thickness, built-in potentials and vacuum level shift were calculated with simple Mott–Schottky and Poisson’s equations with the boundary condition of a continuous electric flux density using the information from the C–V data. The interface energy level alignment determined by this method is well matched with the one determined using the in situ ultraviolet photoemission spectroscopy (UPS) and X-ray photoemission spectroscopy (XPS) experiments performed under ultra-high vacuum. This method can be applied to other semiconductor junctions such as the organic p–n homojunctions and heterojunctions with known energy levels, as long as the metal/semiconductor contact is Ohmic without referring to the photoemission spectroscopies. Moreover, the energy level alignment determined by the C–V measurement gives a more realistic result since the films for the measurements are formed under high vacuum which is a normal device fabrication environment rather than under ultra high vacuum.     

风载荷对雷达天线座的影响与评估

风载荷是机载雷达舱外设备和地面雷达露天设备的主要设计载荷,是设计方案的源头。文中分析了风载荷对雷达天线座的影响,探讨风荷系数确定、设计风速选取及电机驱动力估算的经验和方法。同时,结合某机载雷达研制实例,通过静态风洞试验获取各项风荷系数,并将风力矩计算结果与动态风洞实测数据进行对比分析,给出风力矩计算的建议。希望帮助雷达结构设计师加深对风载荷的认识,更全面、客观地评估风载荷对天线座设计的影响。     

基于环形振荡器的TSV故障非接触测试方法

为避免传统的探针检测对硅通孔(TSV)造成损伤的风险,提出了一种非损伤的TSV测试方法.用TSV作为负载,通过环形振荡器测量振荡周期.TSV缺陷造成电阻电容参数的变化,导致振荡周期的变化.通过测量这些变化可以检测TSV故障,同时对TSV故障的不同位置引起的周期变化进行了研究与分析,利用最小二乘法拟合出通过周期来判断故障位置的曲线,同时提出预测模型推断故障电阻范围.测试结构是基于45 nm PTM COMS工艺的HSPICE进行设计与模拟,模拟结果表明,与同类方法相比,此方法在测试分辨故障的基础上对TSV不同位置的故障进行分析和判断,并能推断故障电阻范围.     

平行板静电场法铯离子引出的实验研究

为研究平行板静电场法离子引出的规律，利用对由YAG四倍频脉冲激光(266nm)一步电离产生的铯等离子体进行了多次离子引出实验。结果发现，离子引出时间随外加引出电压的增加而减小，随离子初始密度的增加而增长。通过对实验数据的分析，获得了在此实验条件下光致瞬态铯等离子体离子引出时间与外加引出电压和离子初始密度之间关系的经验公式。但是，离子引出时间并非一直随电压的增加线性减小。在外加电压超过1200V以后发现离子引出时间有增加的趋势。在外加电压高于1000V以后观察到溅射离子峰的存在．并讨论了溅射现象的存在对离子引出时间的影响。通过对离子引出与收集和溅射现象的分析获得了本实验条件下平行板静电场法离子引出中外加电压的最佳值。     

射频集成电路测试技术研究

射频集成电路(RFIC)是无线通信、雷达等电子系统中非常关键的器件，由于其高频特点，准确评估RFIC的性能具有相当的难度。文章以射频低噪声放大器(LNA)为例，运用微波理论，分析了RFIC典型参数，如S参数、带宽、PldB、OIP3以及噪声系数等的测试原理和测试方法，并对影响RFIC性能测试的主要因素进行了分析。最后，给出了一种LNA电路的测试结果。     

薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价

随着超大规模集成电路的不断发展，薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿（TDDB）是评价薄栅氧化层质量的重要方法。文章着重于薄栅氧化层TD-DB可靠性评价的斜坡电压试验方法的研究，基于斜坡电压实验，提取模型参数，分别利用线性场模型和定量物理模型，外推出工作电压下栅氧化层的寿命。通过分析斜坡电压实验时氧化层的击穿过程，提出斜坡电压实验时利用统一模型外推栅氧化层的寿命比较合适。