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We have studied properties of quaternary alloy magnetic semiconductor (InGaMn)As grown on InP substrates by low-temperature molecular-beam epitaxy (LT-MBE). A large MCD peak whose intensity is larger than 500 mdeg for (InGaMn)As was observed. This peak intensity was about three times larger than that of typical (GaMn)As films. Relatively high Curie temperature of 83 K of [(In0.53Ga0.47)0.88Mn0.12]As was observed by Hall measurements. The carrier concentration of [(In0.53Ga0.47)0.88Mn0.12]As was estimated to be more than 1.0 × 1021 cm–3 by using the Curie–Weiss fitting of the Hall coefficient R
H, indicating that more than 40% of Mn atoms are activated. This means that (InGaMn)As has a higher activation ratio of Mn as acceptors than (GaMn)As. 相似文献
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随着现代军用通信网络的发展与进步,第三代高频自动链路建立协议(Third-generation HF Automatic Link Establishment)将逐渐取代现有的第二代协议。首先从CSMA机制、Dwell—Groups技术、Multi—Slot技术等方面概略地介绍了3G-ALE技术。然后在同步工作模式下,将Dwell—Groups技术、Multi—Slot技术应用在协议当中进行了对比仿真,并分析了Dwell—Groups技术、Multi—Slot技术对3G-ALE系统性能的影响。 相似文献
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Moshe Eisenberger 《International journal for numerical methods in engineering》2003,57(11):1603-1614
This work presents the derivation of the exact dynamic stiffness matrix for a high‐order beam element. The terms are found directly from the solutions of the differential equations that describe the deformations of the cross‐section according to the high‐order theory, which include cubic variation of the axial displacements over the cross‐section of the beam. The model has six degrees of freedom at the two ends, one transverse displacement and two rotations, and the end forces are a shear force and two end moments. Using the dynamic stiffness matrix exact vibration frequencies for beams with various combinations of boundary conditions are tabulated and compared with results from the Bernoulli–Euler and Timoshenko beam models. Copyright © 2003 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
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本文介绍了包钢薄板坯连铸主厂房钢结构的设计及特点。该厂房为单层重型工业厂房,下柱为组合式H型钢双肢柱,屋面大梁为焊接工字钢梁,基本柱距为12m,车间设置295t/67t/22t吊车,屋面和墙面采用彩色压型钢板。同时,在结构选型和构造方面有新的改进和发展。 相似文献