中国先进研究堆实现满功率运行

3月1日,中国先进研究堆成功实现满功率运行,达到国家规定的技术目标,这是继实现首次临界以来又一重大工程节点。中国先进研究堆由中国原子能科学研究院自主设计研发建造,堆功率60 MW,是面向我国21世纪核科学技术     

超临界水冷堆与WWER1000型压水堆的安全特性比较分析

超临界水冷堆(SCWR)是在高于水的临界点(374℃,22.1 MPa)的温度和压力下运行的反应堆。它的设计为一次通过循环,其中没有再循环回路。这点是与现在运行的轻水堆的最大不同。在超临界水堆电站系统中,以控制棒、汽轮机控制阀与反应堆冷却剂泵为主要的控制方式。通过对比分析超临界水冷堆与田湾核电站WWER1000型压水堆主泵卡轴事故下的安全特性,得出超临界水堆给水流量的丧失会造成反应堆冷却剂流量的丧失,而WWER1000型压水堆给水流量的丧失并不会造成反应堆冷却剂流量的丧失;WW-ER1000型压水堆的安全系统有控制棒、蒸汽发生器的主蒸汽旁排阀、应急给水泵,这些安全配置与超临界水冷堆相似;相比WWER1000型压水堆,超临界水冷堆在压力较快达到稳定状态前提下,其最高包壳温度有个剧烈变化过程,但超临界水冷堆和WWER1000型压水堆在卡轴事故发生后,都能建立稳定的自然循环。     

我国四代核电技术研发进入国际先进行列

国家＂863＂计划重大项目——中国实验快堆工程近日通过科技部组织的专家验收。中国实验快堆的建成标志着我国核能发展＂压水堆-快堆-聚变堆＂三步走发展战略中的第二步取得了重大突破,也标志着我国在四代核电技术研发方面进入国际先进行列,成为世界上少数拥有快堆技术的几个国家之一。     

氢空PEMFC发动机的几个须关注的问题

针对一个2.5kW氢空质子交换膜燃料电池(PEMFC)堆,研究了不同负载下电堆侧面的温度分布、不同温度下电堆极化曲线、以及不同电流时单电池电压的变化。实验表明,PEMFC发动机设计中以下几个问题应该予以关注(1)电堆温度分布具有明显非均匀性,中心温度一般比边缘高,减小温度不均匀性对于充分发挥电堆性能具有重要意义;(2)低温下电堆性能比高温低很多,并且低温大电流时电堆难以稳定,这增加了发动机低温启动难度;(3)单电池一致性的提高,可以提高电堆性能,减小辅助系统功率和体积。     

Application of Kelvin Probe to Studies of Fusion Reactor Materials under Irradiation

Recently, the work function （WF） changes in metallic and ceramic materials to be potentially used in future fusion reactors have been examined by means of Kelvin probe （KP）, under He ion irradiation in high energy （MeV） and / or low energy （500 eV） ranges. The results of polycrystalline Ni samples indicate that the 1 MeV beam only induces decrease in the WF within the experimental fluence range; whereas the irradiation of 500 eV beam results in decrease in the WF firstly, then increase till saturation. A dual layer surface model is employed to explain the observed phenomena, together with computer simulation results by SRIM code. Charges buildup on the surface of lithium ceramics has been found to greatly influence the probe output, which can be explained qualitatively using a model concerning an induction electric field due to external field and free charges on the ceramic surface.     

硅基热电堆真空传感器的制造技术

发展了一种与CMOS工艺完全兼容并可在商业化的1.2μm标准CMOS生产流水线上进行流片的硅基热电堆真空传感器的制造技术与流程.传感器为悬浮的多层复合薄膜结构,其上制作了n型多晶硅加热器和20对由p型多晶硅条和铝条构成的热电堆.利用标准制造工艺中铝层图形的掩蔽作用,使用干法刻蚀工艺一方面去除了传感器表面的SiNx层,使复合介质薄膜减至三层介质,即场氧化层、硼磷硅玻璃和层间介质,从而提高了传感器响应率;另一方面去除了传感器区域内腐蚀孔中的多层介质,将其中的硅衬底裸露,以便完成后续的四甲基氢氧化铵(TMAH)体硅各向异性腐蚀工艺,使传感器成为悬浮绝热结构,这种工艺具备铝保护性能,因此腐蚀中无需任何掩模.最终得到的器件尺寸为124 μm×100 μm,在空气压强为0.1 Pa～105 Pa之间的响应电压为26 mV～50 mV,响应时间为0.9 ms～1.3 ms.这种器件的制造技术具有工艺简单、成品率高、成本低、重复性好等特点.     

非制冷红外焦平面阵列进展

非制冷红外成像技术已广泛应用于军事和民用领域,一直是人们关注的焦点之一,其核心部件是非制冷红外焦平面阵列(IRFPA:Infrared Focal Plane Array)。综述了几种具有代表性的非制冷IRFPA的探测原理、发展历史和现状。它们是:热敏电阻型、热释电型、热电堆型、二极管型、热-电容型非制冷IRFPA和应用光力学效应的非制冷IRFPA、基于法布里-珀罗微腔阵列的非制冷IRFPA。     

基于簇的寄存器堆功耗管理方法

本文采用软硬件协同设计技术,提出以寄存器簇为粒度对嵌入式处理器寄存器堆进行功耗管理的方法.在软件方面,面向寄存器簇的编译优化使循环程序段中寄存器的编号尽可能相邻;在硬件方面,采用寄存器簇缓冲器过滤对寄存器堆的访问并降低其动态功耗,采用基于寄存器簇的动态电压调节电路和门控预充电路降低存储单元和位线的泄漏功耗.实验结果表明,本文方法将寄存器堆的总功耗降低约44.7%,比传统方法达到了功耗、面积和延迟的更优折衷.     

多端口寄存器堆的低功耗设计方法

随着半导体工艺的飞速发展和芯片工作频率的提高,芯片的功耗迅速增加,导致芯片发热量的增大和可靠性的下降。因此,功耗成为集成电路设计中的一个重要考虑因素。寄存器堆作为微处理器的关键部件,为了满足其运算速度和指令级并行的流水线结构,高速和多端口读写成为发展的必然趋势,其低功耗设计对降低整个处理器的功耗具有重要的意义。读写位线、负载电容、灵敏放大器、时钟翻转等是影响寄存器堆总功耗的重要因素。针对各因素进行低功耗设计成为寄存器堆设计的关键。     

冷轧堆练漂工艺在纯棉纱卡织物上的应用

介绍了利用大卷装堆置设备,采用冷轧堆练漂工艺,针对纯棉纱卡织物的特点．选择耐强碱性能好的双氧水稳定剂并改造LMH065练漂机,实施冷轧堆练漂加工,解决三上一下纱卡织物练漂加工问题．以及实施冷轧堆练漂工艺技术应注重的问题．