GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡

本文报道了用RHEED强度振荡方法来测定GaAs,Al_xGa_(1-x)As生长速度及Al组分,并初步讨论了产生RHEED强度振荡的机制及其与生长条件的关系。     

铁磁偶合的Gd（Ⅲ）Cu（Ⅱ）配合物──组装分子基铁磁体的一种重要元件

铁磁偶合的Ｇｄ（Ⅲ）Ｃｕ（Ⅱ）配合物──组装分子基铁磁体的一种重要元件缪明明，廖代正，王耕霖（南开大学化学系天津３０００７１）摘要分子基磁体的设计是自然界向化学家挑战的一个热点课题。铁磁偶合的Ｇｄ（Ⅲ）Ｃｕ（Ⅱ）配合物是组装分子基磁体的一种重要元件。...     

金属－橡胶硫化粘接过程中分子取向行为的间接证据

对金属－橡胶热硫化粘接复合体的剥离行为进行了研究，同一粘接试样的双向１８０°剥离试验显示出了巨大的差异。本文分析了弹性材料在硫化过程中的分子行为，并提出了相应的新假设，认为这是由于金属－橡胶在硫化粘接过程中分子取向交联行为所致。这种双向１８０°剥离破坏现象可被看作是金属－橡胶硫化粘接过程中分子取向行为的间接证据。     

MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究

本文采用光调制反射光谱(PR),双晶衍射(DCRD),光荧光激发光谱(PL)等技术研究了MBE-GaAs/Si异质结材料GaAs层的应变情况,以及从不同温度快速热退火后GaAs/Si(PR)谱的变化可看出GaAs外延层应变随退火温度增大而增大,GaAs能隙则随之下降,考虑到应力随温度变化因素后这些不同的测试方法所得的结论与(PR)谱结果基本一致。因此用室温光反射调制光谱对于检测室温下GaAs/Si材料的质量,剩余应力等是方便而有力的方法。     

进一步提高我国分子束外延技术的探讨

进一步提高我国分子束外延技术的探讨孔梅影，梁基本，曾一平（中国科学院半导体研究所北京１０００８３）十多年来，我国的分子束外延（ＭＢＥ）技术从无到有，并不断改进提高，取得很大的进展。在中国科学院一些单位的共同努力下，我国先后发展了Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ四种型号...     

H2分子在Ni（100）,（110）,（111）单晶表面吸附研究

本文采用改进模型势方法，计算了Ｈ２分子在Ｎｉ（１００）、（１１０）、（１１１）单晶表面解离吸附的反应途径与位能面。通过对比研究，讨论了氢分子在镍三种单晶表面解离吸附的反应途径和位能面的一般规律与趋势。     

钾蒸汽中由能量积聚效应产生的分子扩散带受激辐射

本文报道了在K2－K混合系统中由单光子共振激发原子于4P能级，通过4P原子的能量积聚效应及原子──分子的碰撞能量转移过程使分子在高位三重态获得布居，从而产生的扩散带受激辐射．至今已经发现了多种产生分子扩散带的机制．在钠分于中，由单光子或双光子激发销原子于3P能级或4D（或4F）能级，以及在宽波段范围内由可调谐激光双光子激发钠分子获得了紫区430．0nm附近的扩散带受激辐射以及360.0nm附近的扩散带受激辐射；对于锂分子，以双光子共振激发锂原子4S能级，产生蓝区扩散带受激辐射，以紫外单光子激发锂分子态或光-光双共振激发…     

以热力学过程性质为目标的分子设计初探（Ⅰ）：理论框架与待…

提出了以热力学过程性质为设计目标。将宏观设计与微观设计有机结合并进行自校正的分子设计理论框架。作为该设计思想的第一步，提出了确定待定物质的热力学物性参数的方法。算例表明，该估什进可行的，结果可靠。     

分子束外延生长CdTe／ZnTe超晶格室温喇曼散射

首次报道了室温和非共振条件下,分子束外延(MBE)生长的CdTe/ZnTe超晶格的喇曼散射测量和分析。观察到最低级次的CdTe和ZnTe纵光学声子限制模,并用应力和限制效应精确计算了频移,得到的ZnTe纵光学声子频移理论值与实验结果符合得较好。特别指出,当CdTe和ZnTe层厚小于2nm时,声子频移的限制效应不可忽略,对所测样品的喇曼全谱作了分析。     

碘分子高激发态光谱研究

卤素分子的高激发态光谱与结构的研究一直是原子、分子物理及光谱学研究的重要课题．碘分子的高位激发态，尤其是与厂（旬十I＋（’P，‘D仅离子组合相关的三组离子对态，多年来一直是激光光谱研究的重要对象之一。其中较低的几个高于对态已经被仔细研究和标识，而对于高位离子对态，由于态与态之间的相互作用较为复杂，其特性了解得并不完善，尚需做大量的研究工作。研究表明，碘分子各高于对态校间距（典型值几一0．36n叫较基态（R。。0．26urn）大得多，单步激发受到lhanckCondon因于限制，一般很难实现。而采用光学一光学双共振多光子…