适于低压低功耗工作的SOI栅控混合管(GCHT)的实验研究

本文讨论了SOI栅控混合管（GCHT）的设计及制备．对这种器件的物理机制进行了实验验证，得到结论：GCHT漏端电流在栅压较高时趋向于双极电流，而不如文献[4]中报道是MOS电流．实验结果表明，这种混合管具有比纯MOSFET约高6．5倍，比纳BJT约高1．7倍的驱动能力，最高电流增益可达10000，最小亚阈摆幅可达66mV／dec，导通电压比纯BJT约低0．3V，比纯MOSFET约低0．7V由GCHT组成的反相器在Vdd=0.8V仍具有良好的直流传输特性．因此GCHT在低压低功耗应用领域中极具潜力，同时也将适于模拟电路方面的应用．     

用于多种组装技术的厚膜导体复合结构

厚膜导体Ｐｄ－Ａｇ／Ａｕ、Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｕ／Ａｕ平面复合结构，Ｐｄ－Ａｇ／Ａｕ立体复合结构可使多种组装技术相互兼容。立体复合结构还可有效地降低导体线电阻，减少线损耗。而且，其超声键合性尤佳     

根据自然电位测井数据确定地层水电阻率的方法

地层水电阻率是确定储层舍油饱和度的一个关键参数。根据自然电位测井数据与地层水矿化度之间的关系，在自然电位层厚校正、泥质校正、温度校正及油气影响校正基础上，可较为精确地确定地层水电阻率。该方法不用水层而直接求出地层水电阻率，并且计算结果与实际测试符合较好，具有准确、简便的特点。     

激光微细熔覆快速制造厚膜热敏传感器的研究

采用激光微细熔覆技术，利用钌系厚膜热敏电阻浆料，在质量分数为96％的Al2O3陶瓷基板上成功地制作出热敏电阻器。热敏电阻图形的极限线宽线距能达到60 μm。元件的电阻温度特性(TCR)值为2.33×10-3 /℃，热响应时间2.3 s,线性度达到0.6 ℃，有着良好的重复性、热稳定性和迟滞性。通过实验得出了激光处理工艺中参数对元件性能的影响规律。对所制作热敏电阻元件的各项电性能进行测量，并与传统工艺制作的元件进行了比较，测试结果证实新工艺制作的元件具有相对优良的特性，有较强的实用前景。     

AZ4620光刻胶的喷雾式涂胶工艺

对于一些MEMS应用,需要在形貌起伏很大的晶圆表面均匀地涂布光刻胶。喷雾式涂胶工艺满足了这些要求。研究了几种稀释的AZ4620光刻胶溶液的雾化喷涂性能,在沈阳芯源微电子设备有限公司KS-M200-1SP喷雾式涂胶机上进行了雾化喷涂试验,分别对裸片及深孔不同尺寸的晶圆进行喷雾式涂胶实验;特别研究了决定喷涂薄膜膜厚和均匀性...     

钉基厚膜应变电姐力敏模型的初始讨论

摘要：通过分析钌基厚膜应变电阻的隧道势垒模型，提出力敏模型。     

高可靠军用DC／DC电源变换器

介绍采用先进厚膜混合集成工艺制造的高可靠DC／DC电源变换器，包括厚膜导体复合结构、高可靠粘结工艺、等离子体清洗工艺、深腔键合工艺、Cu丝漆包线点焊工艺和平行缝焊结构等许多新工艺、新材料和新技术，此类电源变换器的电性能优良，可靠性高，气密性指标(漏气率)可达5&;#215;10^-4kPa&;#183;cm^3／s，丝焊的键合强度和剪切强度均满足GJB548A的要求，完全适用于航天、弹、箭、星、船和舰等各类型号的电源变换。     

碳纳米管场发射阴极的厚膜工艺研究

研究了制备碳纳米管(CNT)场发射阴极的厚膜工艺,通过浆料配方和烧结工艺等方面的探索,在Si基底上制作了均匀、平整、场发射特性良好的CNT厚膜。CNT厚膜工艺研究表明,CNT浆料中银浆的最佳比例约为4.2％,最佳烧结温度为480℃(空气中),才能保证厚膜有较强的附着力,CNT又不至于全部氧化。银浆比例过大,则使高电压时场发射电流明显下降,通过对CNT厚膜的场发射特性测量得知,其开启电压为2．4V／μm,在5V／μm的电场下,场发射电流密度为27．8μA／cm^2,但发光显示情况不佳,通过使用含有机粘结剂的浆料,使显示发光情况得到了很大改善。     

ZnLiFeO_3高温热敏厚膜材料的研究

ＺｎＬｉＦｅＯ３（ＺＬＦ）高温ＮＴＣ热敏厚膜材料，是以尖晶石结构的ＺｎＬｉＦｅＯ３导电陶瓷作厚膜浆料的导电相，以Ａｌ２Ｏ３瓷为基体，用厚膜工艺制成的。实验表明，在氮气中烧结的ＺＬＦ厚膜材料，室温方阻１０３Ω／□级，Ｂ值约１０００Ｋ。在高温５００～７００℃范围内，方阻降为１０２Ω／□级，Ｂ值仍小于１０００Ｋ。是一种很有前途的高温热敏材料。