溴碘化银核壳乳剂中电子的捕获和复合

本文应用双注仪制备了在核表面进行不同程度还原增感和一系列溴碘化银核壳乳剂，在没条件下测定了核表面形成的不同还原增感中心对乳剂微晶光电子衰减动力学及发光光谱的影响。结果表明：在一定增感温度和时间条件下，当Ｎａ２ＳＯ３用量低于５．４ｍｇ／ｍｏｌＡｇ时光电子衰减动力学为二级反应，而当Ｎａ２ＳＯ３用量超过２７ｍｇ／ｍｏｌＡｇ时，增感中心一部分作为穴陷阱，另一部分作为电子陷阱，光电子衰减速率决定了电子的捕获     

NaYF4:Er3+,Yb3+红外激光探测卡的制备与性能研究

以固相法制备的单一晶相、粒径细小且发光性能优越的NaYF4:Er3+,Yb3+上转换发光材料为原料,制备出了红外激光探测卡.并对粘结剂、稀释剂加入量对探测卡性能的影响进行了研究.当粘结剂、粉体和稀释剂质量比为2:8:1时,得到的红外激光探测卡的性能最佳.     

无机片状微晶对化学光源发光效率的影响研究

以双（2,4,5-三氯-6-正丁烷氧羰基苯基）草酸酯（简称CPPO）和红色荧光剂罗丹明B组成的过氧草酸酯类化学发光体系为研究对象,从粒径、用量和种类的角度讨论了分散剂云母等对体系发光效率的影响．结果表明,添加30μm云母50mg后,体系的发光寿命、强度均显著增加,发光效率较高。     

Power management unit chip design for automobile active-matrix organic light-emitting diode display module

A power management unit (PMU) chip supplying dual panel supply voltage, which has a low electro-magnetic interference (EMI) characteristic and is favorable for miniaturization, is designed. A two-phase charge pump circuit using external pumping capacitor increases its pumping current and works out the charge-loss problem by using bulk-potential biasing circuit. A low-power start-up circuit is also proposed to reduce the power consumption of the band-gap reference voltage generator. And the ring oscillator used in the ELVSS power circuit is designed with logic devices by supplying the logic power supply to reduce the layout area. The PMU chip is designed with MagnaChip’s 0.25 μm high-voltage process. The driving currents of ELVDD and ELVSS are more than 50 mA when a SPICE simulation is done.     

电化学沉积法制备稀土掺杂氧化钇荧光薄膜的发光性能

通过改变氧化钇薄膜中掺杂稀土元素的种类,来控制发光薄膜的荧光发射波长.利用电化学沉积法制备稀土掺杂氧化钇荧光薄膜.电化学沉积法制备的薄膜结晶效果好,掺杂离子分布较均匀,且不需要高温高压或者真空条件,成本很低.所制备的Y2O3:Ln荧光发光薄膜经XRD分析具有立方晶体结构;不同稀土掺杂的氧化钇呈现出不同的表面形貌;掺杂的Ln离子均匀地分布在薄膜中,经测试所有的Y2O3:Ln荧光发光薄膜都显示出较强的发射强度,且发光波长随着掺杂离子的不同而不同:Y2O3:Er3+发绿光,Y2O3:Ce3+发黄绿光,Y2 O3:Sm3+发蓝光,Y2O3:Pr3+发橙光.因此,电化学沉积法可用于制备具有不同发光波长的氧化钇荧光薄膜.     

Sm（HTH）3Phen在改性MCM-41中的组装及发光性质

利用缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷和甲基丙烯酸丙酯基三甲氧基硅烷对MCM-41进行改性,将稀土配合物Sm(HTH)3Phen(HTH=4,4,5,5,6,6,6-七氟-1-(2-噻吩基)-1,3-己二酮,phen=1,10-邻菲啰啉)组装到MCM-41及改性的MCM-41的孔道中,利用XRD,29Si核磁共振光谱,固体漫反射光谱等对其结构进行了表征,并研究组装体的发光性质.结果表明,相比纯配合物,Sm(HTH)3Phen在两种改性及未改性MCM-41中的发光纯度得到提高,组装体的激发光谱发生了蓝移.对比三种组装材料,对MCM-41表面进行改性可以有效地提高组装体的发光强度.     

掺钡白钨矿型CaWO4:Ba2+荧光材料的制备与表征

以氯化钙、氯化钡和硝酸钠为原料,采用沉淀法制备出纯CaWO4、BaWO4粉体,采用固相反应法制备出CaWO4:Ba2+(CaxBa1-xWO4)粉体,研究了钡离子的掺杂量对CaWO4:Ba2+荧光材料的发光性能的影响.通过XRD、FT-IR对样品的晶体尺寸进行表征,以及PL分析了样品的发光特性.研究结果表明:掺杂后钨酸盐中的晶胞参数随Ba2+的掺杂量增加而增大,且晶体结构中WO2-4四面体构型发生畸变;钨酸钙的在370 cm-1、430 cm-1附近有明显发光,当钡离子掺入量较低时,CaWO4:Ba2+的发光强度增加,但当钡离子掺入量增加时,发光强度却下降.     

LYSO∶Ce纳米粉体的溶胶-共沉淀法制备及其发光性能

采用溶胶-共沉淀法,分别以NH_3·H_2O和NH_4HCO_3为沉淀剂,制备了Lu2(1-x-y)Y2xSiO5∶yCe~(3+)(LYSO∶Ce)纳米粉体。采用XRD、SEM和荧光光谱测试手段对样品进行分析,讨论了沉淀剂、煅烧温度、Y~(3+)掺杂比例对粉体晶相的影响,分析了Ce~(3+)含量和Y~(3+)含量对样品发光性能的影响。结果表明,以NH_4HCO_3为沉淀剂,在煅烧温度为1300℃下,Ce~(3+)含量为0.01,Y~(3+)含量为0.05时LYSO∶Ce样品发光性能最好,并且样品的发光强度高于Lu_2SiO_5∶Ce样品,粉体粒度分布均匀、纯度高、分散性好,粒径在100nm~200nm范围。     

SiO_2@Y_2O_3:Eu~(3+)核壳纳米粒子的合成及发光性能研究

通过均匀沉淀法制备了以二氧化硅为核,铕掺杂氧化钇为壳的分散性良好的SiO_2@Y_2O_3:Eu~(3+)核壳纳米粒子。扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)结果显示,纳米粒子具有明显的核壳结构。在236nm激发光谱下,纳米粒子在613nm显示出很强的红光发射峰,对应于铕离子的~5 D_0→~7F_2能级跃迁。所得粒子由于具有强的光发射以及低电压电子束激发,在白色发光二极管、普通荧光灯、场发射显示器方面具有潜在的应用前景。     

硫化锌量子点的水热-均相沉淀法制备与表征

为制备高品质、性质稳定的硫化锌量子点,采用硫代乙酰胺在水热条件下的均相沉淀法制备了硫化锌量子点,并采用X射线衍射、透射电子显微镜和荧光光谱仪分别表征了所制得量子点的物相、颗粒尺寸和发光性质,考察了反应时间对量子点物相、颗粒尺寸和发光性质的影响.结果表明,在80℃水浴条件下,可以获得颗粒尺寸在20 nm以下,面心立方结构的硫化锌量子点.发光性能测试表明:制备的硫化锌量子点可被330 nm紫外光有效激发,产生位于430 nm附近的蓝光发射;随着反应时间的延长,量子点颗粒尺寸增大、发光性质减弱.