Lattice可编程器件测试程序开发技术

本文讨论可编程器件测试方法以及测试程序设计技术。介绍了功能测试模型、测试程序生成软件以及测试技术规范。     

可编程器件的测试技术研究

本文主要介绍了如何在测试系统中实现对可编程器件的编程技术,如何利用测试仿真技术实现测试数据共享问题,以及对可编程逻辑器件中E^2CMOS单元的测试。     

锰对改善CaBi4Ti4O15高温压电陶瓷性能的研究

BiScO₃-PbTiO₃（BSPT）是一种新型钙钛矿结构压电材料,兼具高居里温度、高压电活性的优点,可用于构建高温极端环境中工作的高性能压电器件.结合本课题组的研究工作,从晶体结构、改性方法、制备技术等方面评述了BSPT材料的研究进展,重点阐述了不同材料体系的组分设计思路及相关高温压电器件应用,并对其发展方向进行了展望.

     

二进制域上椭圆曲线密码ECC的高性能FPGA实现

近年来,通信领域得到了巨大的发展,网上银行、移动通信等应用增加了资源受限环境下的安全需求。与传统密码算法相比,椭圆曲线密码体制(Elliptic curve cryptography,ECC)提供了更好的安全标准,为优化性能参数提供了更大的空间。为此,文中提出了一种高效的椭圆曲线密码硬件设计方案。该方案在已有研究的基础上,利用投影坐标系LD Montgomery阶梯算法对ECC中最核心的标量乘运算进行了研究,并对群运算层采用并行调度来缩短延迟;对于有限域运算,采用位并行乘法算法和改进的Euclidean求逆算法来实现;基于Xilinx Virtex-5和Virtex-7FPGA器件,在二进制域域长分别为163,233和283时实现了该体系结构。实验结果表明,该方案所需现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)资源消耗更少,运算速度更快,与其他方法相比,硬件资源消耗减少了52.9%,标量乘法运算速度提高了5倍,能更好地适用于资源受限设备的应用。     

薄硅膜SOI器件辐射效应研究

为适应SOI技术的发展,探索相关材料参数受辐射影响程度及器件的抗辐射性能,研究了不同硅膜厚度SOI器件的总剂量辐射效应。采用⁶⁰Co作为辐射源,所选器件的辐射性能通过晶体管前栅和背栅的阈值电压漂移量进行表征。实验结果显示,所选的本单位SOI工艺的硅膜厚度必须大于205 nm才能保证器件的抗总剂量辐射能力,针对此结论利用TCAD软件进行仿真验证,归纳出相应的物理机制。对电路静态电流特性对总剂量辐射的敏感性也给出了相关的讨论与评估。     

用Spartan-3A DSP器件实现汽车应用中的块匹配

汽车工程师采用多种智能技术帮助人们安全驾驶汽车.汽车系统中的主要技术包括雷达、超声和摄像/视觉感测.这些技术统称驾驶员辅助(DA)系统,用于在恶劣条件和危险路况下协助安全驾驶.