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21.
溶胶-凝胶电泳WO_3膜的电致变色特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用溶胶-凝胶电泳法制备非晶态WO_8电致变色膜,经过适当条件热处理后,由于H~+(或/和Li~+)离子和电子的双注入,该膜能呈现无色至深蓝色的电致变色效应。其性能为:对应于响应时间t_(res)≈1S时,变色对比度C_R>2:1;开路存贮时间τ_(?)≈64h;变色循环寿命n≈8×10~4次。实验在C/二甲基亚砜+LiClO_4(液体电解质)/WO_8/ITO构成的可逆电池中进行。 讨论了热处理条件、试验电压、膜厚等对胶体膜结构、含水量、光密度变量、循环寿命、着色可逆性及保持特性的影响。  相似文献   
22.
201202064具有良好耐热性、附着力及硬度的高密度纳米涂料组合物:KR2011-89835[韩国专利公开]/韩国:Lee,JaeHwan.2011.08.09.-12页.-6927613(2011.07.13);IPCC09D1/00题述涂料组合物含0.01~6份的纳米材料。该纳米材料选自石墨、石墨氧化物、富勒烯、碳纳米管、氮化硼纳米管、氧化镍纳米管、氧化钨纳米管、氧化铜-氧化钨纳米  相似文献   
23.
以WO3粉末为原料,通过气相沉积法在钨片基底上制备出W18O49亚微米棒阵列.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射分析(XRD)等对制备出的氧化钨亚微米棒阵列进行物相及形貌分析和表征.同时,提出了W18O49亚微米棒的生长机理,并讨论了生长温度对亚微米棒阵列密度和直径的影响.结果表明:制备出的W18O49氧化钨亚微米棒具有单晶单斜结构,长度为5~15μm,直径为200~800 nm,沿[010]方向生长.  相似文献   
24.
作为一种有害性气体,三乙胺的检测备受关注。实际上,研究人员近年来已开发出基于多种敏感材料的三乙胺传感器。然而,梳理发现,现有三乙胺传感器的工作温度普遍偏高,且对低浓度三乙胺的检测潜力有限。借助静电纺丝法和高温煅烧工艺,成功制备出金担载的氧化钨纳米线。利用X射线粉末衍射、X射线光电子能谱、场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜等手段对样品的微观结构和形貌进行了详尽表征。气敏测试表明,金担载的氧化钨对20×10-6三乙胺的最佳检测温度较纯氧化钨降低了40℃,响应值却提升了4倍。最后给出了相应的敏感机理。  相似文献   
25.
目的 通过简单快捷的方法制备氧化钨(WO3)/聚苯胺(PANI)复合材料,获得高性能pH传感器。方法 WO3和PANI都是通过原位聚合法制备,在溶液中混合后旋涂在柔性碳基底上。通过扫描电子显微镜、拉曼光谱、XRD等技术对复合材料进行表征,证明复合材料的成功合成并进一步解释其传感增强原理。结果 WO3@PANI可以在pH=2~10内工作,与单体材料相比具有较高的灵敏度(−53.13 mV),较低的滞后度(3.8%)和较快的反应速度(16 s),在10次酸碱循环测试后响应性保持在95%以上,且在12 h的连续测试中可以保持稳定。结论 一方面PANI为WO3提供了导电网络,并将WO3均匀包裹在内;另一方面两者的p-n结构共同作用,使得WO3@PANI的pH传感性能进一步提高。  相似文献   
26.
目前,国内制备紫色氧化钨的主要工艺方法是以仲钨酸铵(APT)为原料,将其置于通有NH3的工业回转炉中煅烧而制得。本文基于上述仲钨酸铵煅烧过程中的反应机理,探究了工业回转炉中通入H2煅烧仲钨酸铵制备紫色氧化钨的工艺方法,并对影响紫色氧化钨质量的主要工艺参数进行了分析。结果表明,采用工业回转炉中通入H2煅烧仲钨酸铵制备紫色氧化钨的工艺方法,可实现稳定连续地生产优质紫色氧化钨。此外,针对以上两种工艺方法的适用性方面,本文亦对其进行了相关的探讨。  相似文献   
27.
采用经球磨扁平化处理的W粉末为原料,添加适量Co、C(碳黑)、成型剂及纳米W粉制备板状晶硬质合金,研究了烧结温度、时间和添加纳米W粉,对板状晶硬质合金显微组织结构和性能的影响。结果表明,球磨预处理中颗粒W粉末可获得扁平化程度高的薄片状W粉末,以其为原料制备的WC-12%Co(质量分数)板状晶合金相对密度达97%,合金硬度呈现出明显的各向异性;添加纳米W粉或提高烧结温度、延长烧结时间,均有利于压坯烧结收缩致密化,生成更多的板状WC晶粒。  相似文献   
28.
WO3薄膜材料的气敏性能   总被引:7,自引:0,他引:7  
姜淼  侯峰  徐廷献  徐明霞 《硅酸盐学报》2004,32(9):1064-1067
研究了WO3薄膜材料的制备工艺、气敏性能和贵金属表面改性。以钨酸为原料、加入有机络合剂的无机盐溶胶-凝胶(inorganic solgel method,ISG)法合成了WO3薄膜。确定了最佳ISG工艺制度,即以柠檬酸为络合剂,10次成膜,预处理温度为600℃,烧成温度为650℃。实验结果表明:WO3是一种n型半导体,其最佳工作温度为550℃。通过掺杂贵金属制备了Pt/WO3薄膜材料,有效地改善了薄膜的气敏性能,可以在600℃下获得高达4100的灵敏度。WO3的气敏机理为表面控制型。  相似文献   
29.
《中国钨业》2006,21(2):F0004-F0004
潮州翔鹭钨业有限公司创建于1997年,是国家重点高新技术企业和广东优秀民营企业,现拥有5000t仲钨酸铵,蓝色氧化钨,黄色氧化钨;3000t钨粉,碳化钨粉和生产能力,是全国16家钨及钨制品出口供货资格企业之一,和全国13家钨及钨制品国营贸易出口企业之一。  相似文献   
30.
采用WO3作为H+响应敏感材料,制备了WO3pH电化学传感器,对传感器的H^+响应行为,如响应范围、响应灵敏度、响应时间等影响因素进行了分析。制备WO3工作电极的热处理温度对传感器的H^+响应灵敏度与速度有影响,H+响应速度与溶液pH和温度有关,溶液中Na^+,K^+,F^-对H+响应行为没有影响,但是受到I^-,NO3^-的干扰。  相似文献   
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