基于电流体动力学喷印法的胶体量子点MEMS气体传感器性能

针对传统的成膜工艺无法实现在百微米级并且结构悬空的微电子机械系统(MEMS)基板上实现气敏薄膜制备的问题,利用电流体动力学(EHD)喷印技术结合氧化钨(WO₃)胶体量子点进行气敏薄膜的无掩模沉积。考虑MEMS基板对沉积精度和工艺条件要求较高,因此首先基于EHD理论建立EHD喷印的数值模型,模拟锥射流形成过程以及电压、油墨属性等因素对锥射流稳定性的影响,并采用实验进行对比分析,验证仿真的有效性并制备出符合喷印的墨水,后采用EHD喷印制备MEMS气体传感器。实验结果表明,利用EHD喷印方法制备的WO₃气体传感器的薄膜致密均匀,在150℃下功耗仅20 mW,对体积分数5×10^-6 NO₂的响应值约为10,能实现体积分数5×10^-7～1×10^-5的NO₂检测,检测下限低至1.6×10^-7,具有优异的气敏性能。     

W+Co+C(碳黑)制备板状晶硬质合金及其性能研究

采用经球磨扁平化处理的W粉末为原料,添加适量Co、C(碳黑)、成型剂及纳米W粉制备板状晶硬质合金,研究了烧结温度、时间和添加纳米W粉,对板状晶硬质合金显微组织结构和性能的影响。结果表明,球磨预处理中颗粒W粉末可获得扁平化程度高的薄片状W粉末,以其为原料制备的WC-12%Co(质量分数)板状晶合金相对密度达97%,合金硬度呈现出明显的各向异性;添加纳米W粉或提高烧结温度、延长烧结时间,均有利于压坯烧结收缩致密化,生成更多的板状WC晶粒。     

W18O49亚微米棒阵列的制备及其生长机理

以WO3粉末为原料,通过气相沉积法在钨片基底上制备出W18O49亚微米棒阵列.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射分析(XRD)等对制备出的氧化钨亚微米棒阵列进行物相及形貌分析和表征.同时,提出了W18O49亚微米棒的生长机理,并讨论了生长温度对亚微米棒阵列密度和直径的影响.结果表明:制备出的W18O49氧化钨亚微米棒具有单晶单斜结构,长度为5～15μm,直径为200~800 nm,沿[010]方向生长.     

氧化钨纳米颗粒和纳米线的选择合成及光致发光研究

采用无机盐辅助水热法选择调控合成了WO3纳米颗粒和纳米线.通过SEM,TEM,EDX和XRD等手段对产物进行了表征.研究了形貌和尺寸对WO3的光致发光性能的影响,并探讨了形貌和尺寸对WO3光致发光性能影响的机制.     

微/纳米氧化钨晶须的制备工艺及原理

采用溶胶-水热反应法，通过添加适量的硫化钠结晶体诱导制备了微／纳米氧化钨晶须。利用扫描电镜观察氧化钨样品的形貌特征，并对氧化钨晶须进行能谱测试，用X射线衍射仪对氧化钨样品进行物相分析和晶面测定，用透射电镜观察微／纳米氧化钨晶须／线的生长特征。结果表明：未添加硫酸钠时，在180℃水热反应12～36h只能得到氧化钨颗粒粉末，而添加适量硫化钠后，可制备出直径为0．2～0．3μm、长径比为5～50的氧化钨晶须和直径为10～30nm、长径比为50～200的氧化钨纳米线；氧化钨纳米线晶体结构良好，物相为六方晶系WO3；微／纳米氧化钨晶须／线主要沿〈200〉，〈002〉，〈202〉和〈100〉方向定向生长。     

Ni-WOx催化剂上正辛烷加氢异构化反应性能的研究

采用浸渍法制备Ni-WOx催化剂,在常压连续流动固定床反应器上考察了Ni-WOx催化剂上正辛烷加氢异构化的催化性能。讨论了焙烧温度、Ni的含量、还原条件和反应条件对催化剂性能的影响,对Ni-WOx催化剂进行了XRD和BET表征。实验结果表明,在Ni-WOx催化剂上,焙烧温度为800℃,还原温度为525℃,反应温度为275℃,Ni-WOx催化剂对正辛烷异构化反应的转化率达到58.17%,同时其异构化选择性达到87.33%。通过XRD表征推测催化剂的活性相主要为WO2,正辛烷在Ni-WOx催化剂上是按照传统的双功能机理进行反应的。     

钨钼混合氧化物熔融还原直接合金化

采用钼混合氧化物直接合金化，可同时采用两种氧化物取代钨铁和钼铁在冶炼合金过程中直接合金化，它节省两种铁合金生产工序，减少合金生产过程中元素损失及环境污染，更是节约能源，降低炼钢成本，增加效益的重要途径，科技实践表明，根据物料平衡需要，钨与钼可以不同比例混合，当钨钼氧化物（Ｗ＋Ｍｏ）元素加入量达４％时与采用铁合金相比冶炼钨钼高速钢，在不增加冶炼时间和用电单耗前提下，钨钼综合回收率达９７．６６％，各项     

水热合成焦绿石型氧化钨反应机理的研究

以纯钨酸钠溶液为反应物,盐酸为添加剂,在碱性环境下水热合成焦绿石型氧化钨。利用FT-IR测试方法分析了不同酸化度下和反应不同时间段的Na2WO4溶液的红外光谱变化规律,逐一分析WO2-4、W7O6-24、H2W12O10-42和W2O2-7是否为制备焦绿石型氧化钨反应的前躯体,利用排除法排除了H2W12O10-42、W2O2-7作为反应前躯体的可能性,认为该前躯体应为WO2-4和W7O6-24,并通过热力学计算结果辅助证明。     

专利信息（Ⅳ）

专利名称：氧化钨微米管及其制备方法 专利申请号：200610011721．8 申请日：2006—04—04 公开号：CN1830812 公开日：2006—09—13 专利申请人：北京大学     

氧化钨纳米线敏感膜对CO气体的气敏性能

采用丝网印刷法制备了氧化钨纳米线敏感膜,系统研究了不同热处理温度下敏感膜的结构、形貌以及对CO气体的气敏性能.结果表明,氧化钨纳米线敏感膜具有较高的结构稳定性,经450℃热处理后其结晶取向和结构均未发生变化;热处理温度的升高有助于提高敏感膜的晶化程度,同时导致其表面的氧化钨纳米棒逐渐变短、变粗直至消失,并最终形成较大的纳米颗粒;经300℃热处理的敏感膜在300℃时对1×10 叫CO气体具有最佳的气敏性能,其灵敏度为17.64,响应时间为8s,恢复时间为16s.