基于电流体动力学喷印法的胶体量子点MEMS气体传感器性能

针对传统的成膜工艺无法实现在百微米级并且结构悬空的微电子机械系统(MEMS)基板上实现气敏薄膜制备的问题,利用电流体动力学(EHD)喷印技术结合氧化钨(WO₃)胶体量子点进行气敏薄膜的无掩模沉积。考虑MEMS基板对沉积精度和工艺条件要求较高,因此首先基于EHD理论建立EHD喷印的数值模型,模拟锥射流形成过程以及电压、油墨属性等因素对锥射流稳定性的影响,并采用实验进行对比分析,验证仿真的有效性并制备出符合喷印的墨水,后采用EHD喷印制备MEMS气体传感器。实验结果表明,利用EHD喷印方法制备的WO₃气体传感器的薄膜致密均匀,在150℃下功耗仅20 mW,对体积分数5×10^-6 NO₂的响应值约为10,能实现体积分数5×10^-7～1×10^-5的NO₂检测,检测下限低至1.6×10^-7,具有优异的气敏性能。     

不同氧含量的氧化钨粉对超细钨粉制备的影响

研究了不同氧含量的氧化钨粉对超细钨粉制备的影响。结果表明,以蓝钨(WO_(2.90))为原料制取的钨粉粒度都在1μm左右,以紫钨(WO_(2.72))为原料制备的钨粉的粒度均小于以蓝钨为原材料制备的粉体。不同氧含量的氧化钨粉制备超细钨粉时,影响粉末FSSS粒度的顺序为:还原温度氢气流量装舟量推舟速度。以紫钨为原料,在还原温度700~840℃、推舟速度18min/舟、装舟量0.35kg/舟、氢气流量50~60m3/h的条件下,制备的钨粉粒度为0.3μm左右。     

焦绿石型氧化钨的研究现状和应用前景

综述了焦绿石型氧化钨的结构特点、制备方法及应用前景,重点介绍了水热合成法的研究进展及其反应机理,提出了该领域中的几个重要问题,并展望了未来的发展趋势。     

仲钨酸铵煅烧温度对金属W粉性能的影响

为研究仲钨酸铵煅烧温度对金属W粉性能的影响,在不同的相变温度下煅烧仲钨酸铵获得煅烧产物,在还原炉中还原成W粉。用扫描电镜(SEM)对不同W粉显微形貌进行观察和分析,用激光粒度分析仪对还原后的W粉进行粒度分布分析。结果表明:仲钨酸铵煅烧温度对金属W粉的性能有显著的影响,在425℃的温度下获得的煅烧产物所生产的W粉具有粒度均匀、分散性好的特点。     

超声场辅助制备碳纳米管/氧化钨纳米棒高效光催化剂的研究

采用超声场辅助制备了碳纳米管/氧化钨纳米棒.采用扫描电子显微镜（SEM）、能谱分析仪（EDS）、高分辨透射电镜（HRTEM）等手段对样品进行了表征,结果表明：在超声波的作用下,碳纳米管分散均匀,钨酸较为均匀地负载在碳纳米管表面上,经过800℃焙烧3 h,可以生成纳米级的碳纳米管/氧化钨棒.以日光灯（11 W）为光源,考察了催化剂和双氧水对亚甲基蓝降解率的影响.采用紫外可见分光光度计测定了反应液的吸光度,结果表明：在分别单独添加催化剂和双氧水的情况下,亚甲基蓝几乎无降解,当加入30 mg催化剂和2.5 mL双氧水时,当光照时间为70 min时,脱色率达到95.3%.通过5次回收后重复实验,发现该催化剂稳定性较好,可重复使用.     

直接碳化技术制备碳化钨粉的研究

本文以两种不同形貌的氧化钨和炭黑为原料,采用加酒精湿磨配炭制取混合料,再经干燥,在中频电炉中,于1 000℃、1 250℃、1 400℃直接碳化,分析碳化产物的相成份、形貌、粒度、炭含量、氧含量。研究发现,不同原料在相同温度直接碳化,碳化产物形貌完全不同;薄片状氧化钨所制得的碳化钨在低倍扫描电镜下观察几乎没有超过50μm的团聚颗粒;在高倍扫描电镜下观察是许多小颗粒的团聚体,并且聚集得很紧密。针状氧化钨原料制得的碳化钨在低倍扫描电镜下观察团粒较多,而且保持着原APT的伪晶形貌,在高倍扫描电镜下观察呈松散的细颗粒聚集体。当直接碳化温度达到1 250℃,反应基本完全,化合碳接近碳化钨理论含碳量。碳化钨粒度随温度的升高而增大。     

紫色氧化钨的制备及工艺研究

主要介绍了在湿氢和高温条件下,以APT为原料,在工业回转炉内进行轻度还原制备紫色氧化钨的方法,对影响紫色氧化钨质量的各种参数进行了分析,并对回转炉的改进提出建议,成功实现了紫色氧化钨的连续性工业化生产,获得的紫色氧化钨细而均匀、质量稳定.     

水热合成焦绿石型氧化钨反应机理的研究

以纯钨酸钠溶液为反应物,盐酸为添加剂,在碱性环境下水热合成焦绿石型氧化钨。利用FT-IR测试方法分析了不同酸化度下和反应不同时间段的Na2WO4溶液的红外光谱变化规律,逐一分析WO2-4、W7O6-24、H2W12O10-42和W2O2-7是否为制备焦绿石型氧化钨反应的前躯体,利用排除法排除了H2W12O10-42、W2O2-7作为反应前躯体的可能性,认为该前躯体应为WO2-4和W7O6-24,并通过热力学计算结果辅助证明。     

专利信息（Ⅳ）

专利名称：氧化钨微米管及其制备方法 专利申请号：200610011721．8 申请日：2006—04—04 公开号：CN1830812 公开日：2006—09—13 专利申请人：北京大学     

纳米WO3薄膜的制备方法及其研究现状

综述了纳米ＷＯ３薄膜的各种制备方法,评价了其优缺点,对纳米ＷＯ３的研究和应用现状作了简概述,并提出了纳米ＷＯ３薄膜的发展前景。