纳米WO3薄膜的制备方法及其研究现状

综述了纳米ＷＯ３薄膜的各种制备方法,评价了其优缺点,对纳米ＷＯ３的研究和应用现状作了简概述,并提出了纳米ＷＯ３薄膜的发展前景。     

氧化钨纳米线敏感膜对CO气体的气敏性能

采用丝网印刷法制备了氧化钨纳米线敏感膜,系统研究了不同热处理温度下敏感膜的结构、形貌以及对CO气体的气敏性能.结果表明,氧化钨纳米线敏感膜具有较高的结构稳定性,经450℃热处理后其结晶取向和结构均未发生变化;热处理温度的升高有助于提高敏感膜的晶化程度,同时导致其表面的氧化钨纳米棒逐渐变短、变粗直至消失,并最终形成较大的纳米颗粒;经300℃热处理的敏感膜在300℃时对1×10 叫CO气体具有最佳的气敏性能,其灵敏度为17.64,响应时间为8s,恢复时间为16s.     

稀土镧、钇对蓝色氧化钨氢还原的影响

借助于ＳＥＭ、Ｘ射线衍射技术及ＩＰＰ粉末粒度仪等系统地研究了稀土镧、钇对蓝色氧化钨（ＢＯ）氢还原的影响。结果表明：稀土元素镧、钇在蓝色氧化钨的还原钨粉中以氧化物及钨酸盐形式存在；还原后所得的钨粉颗粒大多为规则形状的多面体；稀土镧、钇和铝相似，强烈地抑制ＢＯ氢还原钨粉颗粒的长大，而且钇的作用更为显著。     

钨和氧化钨对银镍触头材料性能的影响

本文对分别掺杂W和WO3两种不同添加剂的银镍触头材料(85%含银量)进行电性能、力学物理性能及微观组织对比分析。在添加剂的成分、颗粒尺寸及分布相同时,两种材料的微观组织、抗拉强度及断后伸长率几乎相同,在显微硬度和接触电阻上略有差别,而在电弧侵蚀和材料转移上有明显区别。相对于WO3而言,W的添加降低了Ag Ni(15)触头材料的较大抗熔焊力出现概率。对于因电弧侵蚀导致的材料损失,添加1.5%的W要比1.5%的WO3低。在电弧作用下掺杂WO3的触头材料表面有较大镍颗粒的团聚,这可能是由于WO3的添加影响了其材料的转移。     

绒球状结构氧化钨的制备

通过W粉和Ni(NO3)2·6H2O在钼包套内反应,制备出微米尺度的绒球状结构氧化钨.绒球状结构由长度达数百微米、外径1～10 μm的微米管和直径100～500 nm的亚微米纤维组成.X射线衍射和透射电子显微镜分析表明:产物为具有良好晶体结构的沿[010]方向生长的单斜结构的W18O49.这些通过Vapor-Solid(V-S)生长机制形成的绒球状结构氧化钨因为具有巨大的表面积,在微型半导体敏感元件方面具有巨大的应用前景.     

电浆电弧气凝合成法制备氧化钨纳米棒

以电浆电弧为加热源蒸发钨靶材,外加一套吹气装置,通过气凝合成机制制备氧化钨纳米棒,分别探讨腔体压力与纳米棒平均直径及产率的关系.研究结果显示,W5O14纳米棒的平均直径和产率都随着腔体压力增加.当腔体压力从26.7增至101.3 kPa时,粉末产率由0.383增至0.729 g/h,平均直径从13.2增加到28.4 nm.由透射电子显微镜的观察可知氧化钨纳米棒为单晶结构,晶格平均间距(d-spacing)为0.38 nm,晶面以[010]方向来成长,成长机制可透过气-固相(Vapor-Solid,VS)模型来作解释.     

蓝色氧化钨

本文从化学，物理成份和均匀性等方面说明了还原金属钨粉用目前最重要的高纯中间物料－蓝色氧化钨。蓝色氧化钨系一种定义不十分明确的产品，其化学与物理性质可因加工条件和所用设备而不同。讨论了不同的工业生产方法并指出了蓝色氧化钨的重要特点。     

Ni-WO_x催化剂上正庚烷的加氢异构化反应

采用浸渍法制备了Ni-WOx催化剂,在常压连续流动固定床反应器上考察了Ni-WOx催化剂对正庚烷加氢异构化反应的催化性能,讨论了焙烧温度、Ni含量、还原温度和反应条件对Ni-WOx催化剂性能的影响,采用X射线衍射对Ni-WOx催化剂进行了表征。实验结果表明,当焙烧温度为800℃、还原温度为525℃、Ni质量分数为2%时,Ni-WOx催化剂的性能较好,催化剂的活性组分主要为WO2。在300℃、正庚烷重时空速0.68h-1、H2流量18mL/min、反应时间6h的条件下,在该催化剂上正庚烷的转化率达到49.39%,异构庚烷选择性达87.34%。正庚烷在该催化剂上按双功能机理进行加氢异构化反应。