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新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
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介绍了子午轮胎硫化的各种介质性能要求及介质供应工艺流程,分析了各种介质的质量要求.介绍了系统各参数的控制调节项目及运行技术管理的一些措施. 相似文献
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胶管工艺进展的推动力来自应用要求和环保要求的不断提高。应用要求主要包括环境温度、压力、弯曲半径、输送介质、脉冲寿命、胶管内径等。环保要求主要涉及汽车工业,包括介质的渗透性、废气排放、介质(如燃油和制冷剂)的变化;机械设备领域也存在液压流体的变化,如可生物降解液压流体的出现。 相似文献
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浅析我国重介质选煤工艺 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了我国重介质选煤的发展现状及采用重介质分选的7种工艺;重点论述了7种工艺流程、适用范围及其主要优缺点,并针对不同选煤厂提出了采用重介质选煤工艺时应选择的工艺类型。 相似文献
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