岩谷产业开发出氟气无等离子的高速硅蚀刻技术

岩谷产业与京都大学副教授松尾二郎共同开发出了无等离子的高速硅蚀刻技术。反应气体使用三氟化氯（CIF3），可在室温下以40微米／分以上的速度刻蚀单结晶硅底板。优点是与现有设备相比，可简化蚀刻设备的结构和控制方法。     

金属注塑模快速熔射制造实验研究

介绍了等离子熔射快速制造金属注塑模的工艺方法，试制了一副带花纹的注塑模并进行了注塑试验。试验结果表明，该方法制作的模具，具有表面硬度高、质量好、制作简单等特点，适用于汽车、摩托车等行业的模具快速制造及新产品试制。     

光刻胶对等离子腐蚀的影响

为了揭示光刻胶在氯化物等离子体中所起的作用,研究了具有不同光刻胶敷层的多晶硅和二氧化硅的腐蚀特性。二氧化硅的腐蚀速率随片子上光刻胶的减少而下降。虽然多晶硅的额定腐蚀速率对光刻胶敷层不敏感,但是二氧化硅掩蔽的多晶硅图形的腐蚀速率要比光刻胶掩蔽的高。推测由于光刻胶腐蚀产生的氯化碳物质是产生这些特性的原因。此外,我们发现,如果采用不受腐蚀的掩膜,那么在用氟化物等离子体腐蚀多晶硅时就有工种负载效应,但是光刻胶存在则抑制这种效应。     

ADI推出HDMI IC实现HDTV娱乐设备的无缝连接

<正>ADI公司的AD8192和AD8195输入缓冲器扩展了业界最大的HDMI连接解决方案产品系列,为最新等离子和液晶HDTV提供前面板接入方案目前,全球领先的高性能信号处理解决方案供应商ADI公司最新推出两款连接产品——AD8192和AD8195前面板HDMITM(高清晰度多媒体接口)输入缓冲器,扩展了ADI公司的AdvantivTM高级电视解决方案产品系     

过热水蒸气蒸馏-干馏法提取烟草香料的组成及香气构效关系

为了提高得率，获得烤香浓郁的烟草香料，使用过热水蒸气蒸馏-干馏集成技术制备烟草香料，比较了水蒸气蒸馏法、干馏法与过热水蒸气蒸馏-干馏集成技术在得率、物质组成、香气特征及品吸口感方面的差异，结果表明：（1）水蒸气蒸馏法得率为0.11%，主要化学成分为新植二烯（44.88%）、茄酮（10.14%），其香气特征以清香、草香为主，缺乏烤香、焦甜香。（2）干馏法得率为1.17%，主要化学成分为烟碱（24.77%）、糠醇（6.69%）、甲基环戊烯醇酮（1.14%），香气较丰富，呈现烤甜香。（3）过热水蒸气蒸馏-干馏集成技术得率为10.98%，主要化学成分为烟碱（25.84%）、甲基环戊烯醇酮（7.11%）、糠醇（6.72%）、乙基环戊烯醇酮（5.59%）、糠醛（4.51%）、愈创木酚（4.45%），香气丰富，烟气成团性好，刺激和杂气减少。过热水蒸气蒸馏-干馏集成技术可得到不同香气风格的烟草干馏香料，用于加热卷烟中提升了抽吸品质，在大幅度提高得率的同时解决了单一提取方法下烤香味不足及容易焦糊等问题。     

UPLC-MS/MS法测定加味藿香正气丸中29种禁用农药残留

目的：建立超高效液相色谱-串联质谱(UPLC-MS/MS)法测定加味藿香正气丸中农药残留量。方法：以十八烷基键合硅胶为填充剂(10 cm×21 mm,1.7μm)；以0.1%甲酸溶液(含5 mmol·L^-1甲酸铵)为流动相A，以乙腈-0.1%甲酸溶液(含5 mmol·L^-1甲酸铵)(95:5)为流动相B，梯度洗脱；流速0.2 mL/min，柱温40℃。质谱分析以三重四级杆串联质谱仪检测，电喷雾(ESI)离子源，正离子扫描模式，多反应监测(MRM)。对22个厂家3种剂型共101批加味藿香正气丸样品测定29种禁用农药的残留情况。结果：29种禁用农药化学成分浓度在5～200 ng/mL范围内线性关系良好，相关系数(r)均大于0.992，回收率在52.8%～143.8%,101批抽检加味藿香正气丸中29种禁用农药成分均未检出。结论：该法可用于检测加味藿香正气丸农药残留含量，市场上加味藿香正气丸样品禁用农药污染风险较低。     

高效液相色谱-三重四级杆质谱测定指甲油中4种禁用分散型着色剂的含量

建立了一种适用于检测指甲油中4种禁用分散型着色剂(分散棕1、分散红11、分散蓝7、分散橙3)的高效液相色谱-三重四级杆质谱方法。以乙腈与体积分数为0.1%的甲酸溶液为流动相，流速为300μL/min，以十八烷基硅烷键合相色谱柱进行分离。电喷雾源质谱在正离子模式(ESI⁺)下进行多反应离子监测(MRM)。结果表明分散棕1的线性范围为5～250 ng/mL，分散红11、分散蓝7、分散橙3的线性范围为1～50 ng/mL；指甲油中4种禁用分散型着色剂的检出限为20～100μg/kg，在低、中、高3个水平下加标，各目标化合物的回收率为86.5%～107.0%，相对标准偏差(RSD)为2.73%～8.51%。此方法具有简单快速、灵敏度高等优点，适用于同时检测指甲油中分散棕1、分散红11、分散蓝7、分散橙3。     

铁矿氧化球团氢等离子熔融还原动力学分析

氢等离子熔融还原作为下一代氢冶金CO₂减排新技术受到广泛关注。以铁矿氧化球团为试验原料，系统地研究了气体流量和还原时间对氢等离子熔融还原过程的影响(气体流量为5、8、10 L/min, H₂的体积分数为10%),为氢等离子熔融还原铁矿氧化球团的研究提供理论依据。通过X射线粉末衍射、Rietveld精修、扫描电子显微镜和化学分析对铁矿氧化球团还原动力学、含铁物相演变、微观结构及生铁中杂质含量进行研究。结果表明，铁矿氧化球团最大转化速率从气体流量为5 L/min时的1.05 g/min升高至气体流量为8 L/min时的3.60 g/min,而继续增大气体流量至10 L/min,最大转化速率反而有所下降。氢等离子熔融还原符合相边界反应模型，其机理函数为f(α)=3(1-α)^2/3(α为铁转化率),不同气体流量下对应的反应速率常数分别为2.12×10^-4、7.29×10^-4、6.62×10^-4s^-1,表观活化能约为21 kJ/mol,反应速率...     

钛合金表面等离子喷涂Al2O3-40%TiO2陶瓷涂层的高温摩擦磨损性能

目的 研究温度对钛合金表面Al2O3-40%TiO2陶瓷涂层摩擦磨损性能的影响，探讨涂层在高温下的摩擦磨损机理。方法 采用大气等离子喷涂技术(APS)在TC4钛合金表面制备Al2O3-40%TiO2(AT40)陶瓷涂层。采用扫描电子显微镜(SEM)和能量分散谱仪(EDS)，对AT40陶瓷涂层中的微观形貌和物相进行定性分析。借助维氏显微硬度计，研究 AT40陶瓷涂层在常温下的截面显微硬度分布规律，以及高温下的显微硬度。采用多功能摩擦磨损试验机，测试AT40陶瓷涂层在200、350、500 ℃下的摩擦磨损性能，并进行原位在线自动3D形貌表征。结果 AT40陶瓷涂层呈典型的热喷涂层状结构，各相分布均匀，涂层结构致密，平均显微硬度相较于TC4钛合金基材提高了81%。AT40陶瓷涂层在200、350、500 ℃下的高温硬度分别为513HV0.3、463HV0.3、448HV0.3。在200、350 ℃时，AT40陶瓷涂层的平均摩擦系数分别为0.18±0.02和0.38±0.03，磨损率分别为(7.8±0.01)×10^–5 mm³/(N.m)和(37.2±0.01)×10^–5 mm³/(N.m)，涂层具有优异的抗高温摩擦磨损性能。500 ℃时，涂层的平均摩擦系数和磨损率分别为0.77±0.02和(134.4±0.01)×10^–5 mm³/(N.m)，磨痕深度和磨损体积大幅增加，耐磨性能降低。结论 AT40陶瓷涂层在200 ℃和350 ℃的磨损机制主要为微区脆性断裂，在500 ℃时的磨损机制表现为裂纹扩展引起的分层剥落和轻微磨料磨损。     

等离子体微细加工技术的新进展

在大集成电路制造中常用反应离子刻蚀，但对于加工２００ｍｍ以上直径的片子和０．２５μｍ的线宽及孔洞，它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备（ＥＣＲ，ＩＣＰ，ＨＷＰ）和高浓度等离子体可以解决这一问题。已经在整个片子上均匀地获得高的刻蚀速率。剖面控制精确，可改善图形的保真度。本介绍了干法刻蚀技术的这一最新进展，阐述了电子回旋共振等离子体源、感应耦合等离子体源、螺旋波等离子何不原的工作原理和干法刻蚀的关