Ni-Al2O3纳米复合电镀工艺的初步研究

初步研究了复合电镀各工艺条件：电流密度、镀液pH值和温度以及搅拌方式对Al2O3纳米微粒在镍基复合镀层中含量的影响。研究表明：电流密度增大不利于提高镀层中纳米微粒的含量；pH值增大也明显使复合量降低;镀液温度升高，镀层中微粒的复合量随之略有改变；电镀时，加强搅拌或适当改变搅拌方式，可以使复合镀居中的纳米微粒含量提高。还利用扫描电镜及能谱对Ni-Al2O3镀层表面进行了观察与分析。     

P(DBF-VA)型柴油低温流动性改进剂的研制

针对新疆地产柴油蜡含量较高的特点,以游离基聚合法合成了富马酸双链混合酯和醋酸乙烯酯共聚物型[P(DBF-VA)]柴油低温流动改进剂,利用正交实验研究了单体配比,引发剂用量,溶剂用量,聚合温度对聚合物降冷滤效果的影响。共聚物用IR进行表征,利用XRD初步探讨了该降凝剂的降凝机理。结果表明:该剂能使吐哈—10~#、0~#柴油冷滤点降低10℃和7℃;使独山子0~#柴油冷滤点下降12℃;使石化0~#柴油冷滤点下降8℃;使克拉玛依0~#柴油的冷滤点下降8℃。     

负载型复合载体及其镍基催化剂的性能

采用溶胶-凝胶法制备了负载型ZrO_2/Al_2O_3和ZrO_2/Al_2O_3-SiO_2复合载体,研究了不同复合载体对Ni基催化剂CO_2重整甲烷反应和性能的影响,并用XRD、IR、TPR、TPD和BET等方法对复合载体及催化剂进行了表征。结果表明,ZrO_2负载在基载体后比表面积、碱性、活性组分Ni的分散度和Ni与ZrO_2的相互作用增大。NiO在复合载体表面的分散容量与ZrO_2的负载量有关,ZrO_2的负载量为37．5%时NiO的分散容量达最高值(24．0%)。与Ni/ZrO_2相比,Ni/ZrO_2/Al_2O_3-SiO_2和Ni/ZrO_2/Al_2O_3催化剂对CO_2的吸附能力增大,CO_2吸附量增加,酸强度降低,CO_2重整CH_4反应活性提高,其中以Ni/ZrO_2/Al_2O_3催化剂的活性最好。     

改性纳米TiO2光催化降解苯酚活性的研究

在装有紫外光的光催化反应器中，用锐钛型纳米TiO2为光催化剂，进行了苯酚水溶液的光催化降解性能的研究。考察了溶液的pH值、纳米TiO2用量、镍（Ni^2＋）掺杂量、苯酚的初始质量浓度等因素对苯酚水溶液光催化降解过程的影响。结果表明，在pH值为7时，苯酚水溶液的降解率达95％以上，强酸和强碱条件均不利于苯酚的降解。当TiO2用量为50mg，UV辐照40min时，200mL质量浓度为50mg／L的苯酚水溶液的降解率为96．3％；当TiO2用量为150mg，UV辐照60min时，200mL质量浓度100mg／L的苯酚水溶液的降解率为95．8％。镍掺杂增加了TiO2的光催化活性，用质量分数为10％的二氯化镍水溶液掺杂制备的复合光催化剂，苯酚水溶液的降解率比未掺杂时增加13．6％。     

诱导水解法制备微细高分散金红石型二氧化钛

采用加热TiCl4稀溶液的方式,制备晶种,将其导入一定浓度的TiCl4溶液中进行诱导水解。所得的偏钛酸经干燥、煅烧后得到分散性好,D50为1 mm以下,金红石含量为≥95%的高纯TiO2,可用于生产PTC热敏电阻等铁电陶瓷。     

柴油蜡晶的理论形态预测与显微实际形态的比较

采用BFDH模型和AE模型预测柴油中蜡晶的理论形态，与通过相衬光学显微镜在冷环境平台上观察柴油蜡晶在低温下析出的实际形态。以及加入低温流动性改进剂T1804的柴油蜡晶形态进行比较研究。以十八烷晶体和二十三烷晶体作为柴油蜡晶中偶数正构烷烃和奇数正构烷烃的模型化合物，得到它们的晶体理论形态为六面体薄片状晶体。不同降温速率下得到的蜡晶的实际形态与大小均不同。快速降温条件下得到的晶体形态主要为六边形、菱形和其它少数不规则多边形薄片状集合体；慢速降温条件下得到的柴油蜡晶的形态比较完整，为六边形片状，与通过BFDH和AE模型得到的十八烷即偶数正构烷烃的形态比较接近。柴油加T1804后，快速降温时，出现更多细小的无规则晶体，且很快聚集成片状晶体；慢速降温时，出现晶体的数目要多于未加剂柴油，形状不规则，且尺寸小于未加剂柴油。     

IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步

“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。     

数字家电元器件

ZSP410/ZSP520/ZSP560：缓存DSP核；TrueStore RC7200：90纳米读取通道；CX23885：PCI Express广播解码器；BTG215：移动TV解决方案BTG215。[编者按]     

未来几年信息技术十大重点发展领域

1，集成电路技术 发展重点将集中在SIP（硅IP）重用技术，新一代高性能通用微处理器、SoC芯片系统技术、高密度IC封装技术以及22纳米～45纳米集成电路关键装备等领域。