220GHz回旋管多模自恰非线性模拟

采用了回旋管多模自洽非线性注-波互作用理论,在多个模式同时存在下,每个模式的纵向场随时间和空间变化,最终达到平衡状态。编制了多模自洽非线性计算程序,对220 GHz回旋管进行了数值计算,分析了回旋管中的模式竞争问题,验证了设计的合理性。     

HgCdTe液相外延材料组分分布的红外透射光谱评价技术

对红外透射光谱法测定HgCdTe液相外延材料纵向组分分布技术进行了深入的研究.红外透射光谱的理论计算采用了王庆学提出的组分分布模型,并考虑了光穿越组分梯度区时产生的干涉效应.通过测量同一样品在不同外延层厚度下的一组红外透射光谱,该方法的有效性得到了实验验证.进一步对组分模型中参数(即外延总厚度、组分互扩散区厚度、材料表面组分和HgCdTe层组分梯度)的拟合方法进行了讨论,并确定了各拟合参数的拟合精度.结果显示,该方法可作为测定HgcdTe液相外延材料组分特性的一种有效的测试评价技术.     

用1/f噪声表征VDMOS器件的抗辐照性能

介绍了用于航空航天DC/DC转换器中的VDMOS器件和电离辐照前后低频1/f噪声的变化.研究了电离辐照情况下VDMOS器件的阈值电压漂移、跨导的退化对1/f噪声幅值、γ值的影响.结合实验,比较器件1/f噪声幅值和γ值在辐照前后的变化,对其抗辐照性能做表征研究.对VDMOS器件在辐照前后的变化做了分析,从γ值分形的角度简要说明辐照对器件产生的影响.     

基于遗传算法的直升机纵向通道频域辨识

针对传统算法容易陷入局部最小值和对初始条件敏感的缺陷,将经典的频域辨识技术与遗传算法相结合 ,以某无人直升机为背景进行了多输入多输出系统辨识的方法研究。将多变量频域法用于无人直升机纵向模型辨识,应用快速傅立叶变换进行了辨识对象输入输出信号时域到频域的转换,从而获得系统的频域特性;利用遗传算法的全局最优特性对搜索空间进行了选择、交叉、变异操作,用以获得符合系统频域特性的传递函数矩阵。仿真结果表明,辨识模型能够较好地逼近原模型。     

应用纵向分区彩虹全息术合成断层图像的三维消色像

报道了应用纵向分割多狭缝曝光彩虹全息术合成多幅断层图像为三维消色像的方法及其实验结果。通过将主全息图记录狭缝按纵向分割并结合使用循环分割和色散补偿光栅 ,实现了在较高的分辨率和较低色模糊的多幅断层像的白光三维消色像的合成 ,并提高了再现像的视觉亮度、视场和立体感。     

823×592元内线转移CCD图像传感器

采用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制了1/2英寸823×592、8.3μm×8.3 μm内线转移CCD,该器件设计制作了纵向抗晕结构,实现了内线转移器件光晕抑制.该器件水平驱动频率可达30 MHz,峰值响应波长位于550 nm,动态范围62.6 dB.     

基于时空连续约束的4D脑图像分割模型

纵向分析脑解剖结构的变化可以预测脑组织的生长或萎缩状态,为临床治疗和科学研究提供必要的依据.但由于成像设备或模式不同以及成像时间间隔较长,3D的分割方法得到的结果无法体现脑组织在时间维上缓慢变化的特征.针对这一问题,提出一种基于时空约束的4D脑图像水平集分割模型.该模型包含了由全局以及局部信息组成的数据拟合项、空间平滑项以及时间平滑项.其中数据拟合项体现了各个时间点的图像灰度信息,空间和时间平滑项则能保证分割结果在时空维上体现其缓慢变化的特性.实验结果表明本文方法既能保证准确的分割结果又能保证空间维以及时间维上的连续性.     

第二代北斗客户端用射频声表面波滤波器的研制

介绍了一种可满足第二代北斗客户端用B3波段载频滤波的声表面波(SAW)射频滤波器。该滤波器采用“5换能器纵向耦合结构+谐振器”的混合型设计方案,在充分考虑了SMD3030A封装及键合引线寄生影响后,成功研制出-1 dB带宽35 MHz、插入损耗2.2 dB、矩形系数1.9的滤波器产品。结果表明,仿真与实测吻合性较好,证明了该设计方案的可行性。     

电信运营商纵向一体化的经济学分析

阐述了我国电信服务业的纵向链条,以经济学的视角分析了电信运营商执行纵向一体化战略的动因．讨论了电信运营商纵向一体化的边界问题,最后提出我国电信运营商执行渐变一体化和战略联盟的建议。     

高散热变k介质埋层SOI高压功率器件

针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variable k dielectric buried layer SOI,VkD SOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化硅埋层,从而器件兼具耐高压和降低自热效应的优点.结果表明,对于k1=2,k2=7.5(Si3N4),漂移区厚2μm,埋层厚1μm的器件,埋层电场和器件耐压分别达212V/μm和255V,比相同厚度的常规SOI器件的埋层电场和耐压分别提高66%和43%,最高温度降低52%.