兰尖铁矿边帮控制爆破的实践

兰尖铁矿需要用预裂爆破、光面爆破、刷帮爆破等不同的控制爆破技术来减小爆破震动及后冲对固定边坡的危害。文中概述了这些控制爆破的设计及施工中的关键问题 ;对预裂爆破布孔参数和单孔药量的选取以及缓冲孔的参数、超深、装药量和主爆孔药量与预裂爆破的关系进行了较详细的阐述。此外 ,讨论了光面爆破、刷帮爆破的布孔参数、装药量和装药结构。作者认为 ,预裂爆破可作为降震措施 ;在破碎带中可用光面爆破来保证边坡的平整和稳定 ;特殊情况下才采用刷帮爆破来清理边坡     

不良地质隧道控制丹塌安全施工实例

在不良地质隧道工程施工中，采用周边预切槽法和周边缓冲减震爆破法施工，可以控制爆破时围岩的过度震动而防止坍塌，结合锚杆网喷混凝土支护，达到保证安全生产，施工进度也快。     

缓冲层对氮化镓二维生长的影响

报道了在射频等离子体（RF-Plasma)辅助的分子束外延（MBE）技术中，使用白宝石（0001）衬底，采用低温缓冲层工艺外延氮化镓（GaN)。通过原子力显微镜（AFM）的表面形貌比较及X射线双晶衍射（XRD）ω扫描摇摆曲线的分析，讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系，确立了缓冲层的三维成核，准二维生长的生长机理，并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长，进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。     

纳米氧化锌在斜交轮胎胎体胶中的应用

对纳米氧化锌在斜交轮胎胎体胶中的应用进行了试验，并与间接法氧化锌进行了对比试验。试验结果表明，由于纳米氧化锌具有粒径小，比表面积大，从而具有表面效应、高活性、高比热容和对促进剂的吸附性，所以采用纳米氧化锌可以延长胶料的焦烧时间；用纳米氧化锌减量替代间接法氧化锌，胶料的物理机械性能基本相当。     

位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响

为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小.     

信息家电控制接口电路设计及其FPGA实现

介绍了用于信息家电控制接口电路的一种实现方案，主要功能是自动接收串行数据并存入片内RAM，进行误码检测，并对控制码进行译码处理，发出对家电的开关控制指令。综合、仿真与测试结果表明设计的系统能完成预定的功能。     

原料酸卸车系统技术改进分析

分析了酸卸车系统存在的泵与管路的匹配、鹤管真空损失、酸腐蚀等技术问题，提出了鹤管的改进、卸车泵更新、真空系统水封、管路系统改进等保证真空能力的具体措施，实现了全自动、密闭卸车作业，最大限度地满足安全、快卸、底料少的要求。     

FTMS320VC5402系统设计中应注意的问题

数字信号处理器(DSP)以其强大的运算处理能力在通信、电子、图像处理等领域得到了广泛的应用。从系统硬件电路设计、关键外设(多通道缓冲串口，DMA，HPI)的设置及软件编程三个主要方面阐述了TMS320Vc5402在开发设计中应注意的几个关键问题，并给出了相应的处理办法。     

气动检测技术在液压缸装配中的应用

利用气动量仪检测液压缸缓冲装置装配质量是一种高效、直观、切实可行的定量检测方法，可用于液压缸成批装配生产及故障诊断。