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931.
提出了一种新的图像质量快速盲检测方法,以锐利度作为图像质量准则,而锐利度可以归结为图像的模糊特性,并由边缘信息估计得到。为了提高系统效率,采用边缘对比度的估计方法,并以边缘对比度作为边缘锐利度的判据准则。分析了邻近边缘的相互影响,因而只需从有限的边缘点来提取出合理的线扩展函数(LSF),进而得到模糊参数。在LSF计算中,采用一种新的插值计算方法。实验结果表明:当图像不是特别模糊时,测量结果是准确的。  相似文献   
932.
计算机生成图像与自然图像在物理生成机理上的差异性导致其在噪声分布上具有明显的区别,据此提出一种基于图像噪声分析的计算机生成图像检测新方法。首先,用小波隐马尔可夫(MMT)模型对图像噪声进行预处理;接着,基于最大似然估计方法估测图像参考模式噪声;最后,在提取图像模式噪声统计距及其与参考模式噪声相关差值基础上,利用支持向量机(SVM)分类器进行鉴别。实验结果显示,较已有的典型算法,该算法具有更好的检测率。  相似文献   
933.
模糊C-均值(FCM)聚类算法的一个主要问题是需要事先确定聚类的数目,为此定义了类内差异度和类间重叠度来分别度量同一个聚类中数据的相似度和不同聚类间的分离程度,进而基于这两个度量提出一个新的有效性函数用于判定最佳聚类数目。实验结果表明,该有效性函数能有效地判定聚类数目,并且有较好的鲁棒性。  相似文献   
934.
提出了一种采用单光纤布拉格光栅(FBG)进行温度与应变同步测量的新颖设计。一根FBG被分成等长的两部分,用环氧胶水涂敷在其中一部分的表面,再套上金属套管,此时可以看成具有不同的布拉格波长的2个FBG,利用它们之间不同的杨氏模量和热膨胀系数,应变和温度能够同步测量。实验结果表明,在2700με和75℃的测量范围内,可以达到约6.1με和1.0℃的应变和温度精确度,误差主要来源于光谱仪分辨率的限制和FBG其中一部分的胶水涂抹不够均匀,通过使用高分辨率的解调仪和提高胶水涂抹工艺可得到更高的测量精确度。  相似文献   
935.
针对智能车在视觉导航过程中车道线检测的鲁棒性和实时性问题,提出一种适用于结构化道路的车道线鲁棒检测与跟踪方法。首先,简化的Sobel算子提取车道线边缘图像,将边缘图像与改进的Otsu方法得到的车道线分割图像进行融合,实现对车道线标记点的鲁棒检测;然后,采用迭代最小二乘方法拟合车道线标记点并去除干扰点,并根据拟合参数建立车道线模型;最后,引入尺度无迹卡尔曼滤波(SUKF)对车道线进行跟踪。通过对多段实地采集的视频进行了仿真实验,结果表明,该方法对于高速公路车道线的检测率可达到99%,并具有较好实时性能;对于受损和弄污的城市道路车道线也体现出较好的鲁棒性和时间性能。  相似文献   
936.
为改善累积发光驱动方法显示静态图像时的灰度级轮廓,提出了一种基于有效灰度级均匀分割采样的动态子场编码(DSC)算法。首先对输入图像中的孤立灰度区间进行灰度采样,然后对剩余灰度级均匀分割,选择各灰度区间概率密度较大的灰度级作为采样灰度级,相邻采样灰度级之差即为子场编码权值,从而使采样灰度级均匀分布在输入图像的有效灰度区间,并使采样灰度级和子场编码权值随图像变化。仿真和实验结果表明,该算法不仅能真实再现大面积的背景,而且使图像细节信息尽可能保留,显著减小了静态图像的轮廓。  相似文献   
937.
为了保持移动中正交频分复用(OFDM)技术子载波间的正交性,避免载波间的干扰(ICI)引起的系统性能退化,建立了载波频率偏移(CFOs)的步长估计模型,对模型的稳定性、步长参数和CFOs的估计误差等进行研究,并进行了MATLAB仿真。VHDL程序在电路板上运行的实验结果表明:在±3σ估计变化区间内,移动速度为400和800 km/h时,CFOs的误差分别近似为0.010和0.017,符合CFOs估计误差必须精确的在子载波空间1~2%范围内的衡量标准,同时程序在电路板上能够正确执行。  相似文献   
938.
将卷积码成功地应用到直接检测的光正交频分复用(OFDM)光纤传输实验系统。实验中,产生了2 Gb/s的QPSK OFDM编码光信号,并成功地在标准单模光纤中传输了200 km,和没有采用卷积码的相比,系统的误码性能获得明显提高。在误码率10-3时,可节省1 dBm左右的光功率。实验结果表明,卷积码可应用到OFDM系统。  相似文献   
939.
为了恢复图像中划痕、文字等小目标去除后丢失的相关信息,对全变分(TV)模型及其自适应算法进行了分析和改进。在Chan提出的图像修复原则的基础上给出了两个阈值参数,对原有算法中的权值系数进行了改进。仿真实验结果表明,本文算法在保证原有算法修复效果的同时能够有效地提高运算速度,取得了较好的实际效果。  相似文献   
940.
提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱结构转移到了GaAs基底上。X射线衍射及荧光谱显示,键合后的多量子阱晶体质量未变。二次离子质谱(SIMS)和Raman光谱图显示,GaAs/InP键合晶片的中间层厚度约为17 nm,界面处B元素有较高的浓度,键合晶片的中间层很薄,因此可以得到较好的电学、光学特性。  相似文献   
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