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991.
992.
993.
长期以来,栅极老化一直是SiC MOSFET器件可靠性研究的关键,而偏置温度不稳定性则是栅极老化的重要现象。由于栅极老化的偏置温度不稳定性存在应力撤出后的恢复现象,如能在可靠性实验中快速、准确地监测SiC MOSFET器件的栅极老化变化量,对可靠性研究具有重要意义。因此,文中提出一种新的栅极老化监测方法。该方法以体效应下的阈值电压VTH(body)为基础,建立理论模型来描述VTH(body)和栅极老化之间的关系。提出在栅极电压开关过程中从体二极管电压–栅极电压曲线中得到VTH(body)的方法,并详细研究实验参数对VTH(body)的影响。此外,通过高温栅偏实验对VTH(body)的实用价值进行验证,并与栅极老化参数阈值电压VTH进行对比。实验结果证明,提出的新型栅极老化监测方法可以实现栅极老化的快速、准确及非恒温环境监测。 相似文献
994.
研究了不同底物下硫氧化菌的硫氧化特性及其对砂浆试样的力学性能和微观结构的影响。结果表明:硫氧化菌生长浓度在不同底物环境中表现不同,其生长浓度由高到低所对应的底物分别是Na_(2)S2O_(3)、Na_(2)SO_(3)、Na_(2)S;不同底物下硫氧化菌转化SO_(4)2-的方式均存在自然氧化和生物氧化两种形式。硫氧化菌代谢途径中发现了一种先将S2O_(3)2-经SseA酶转化为SO_(3)2-,再经Soe酶转化为SO_(4)2-的新途径。砂浆试样在Na_(2)S2O_(3)底物环境中较于Na_(2)SO_(3)底物环境中生成膨胀性石膏含量偏低,这是因为与Na_(2)S2O_(3)的生物氧化相比,Na_(2)SO_(3)自然氧化的SO_(4)2-浓度较高,反应速率较快,腐蚀效果更为显著。处于Na_(2)S2O_(3)底物环境中的砂浆试样抗压强度变化率10.4%、质量变化率1.04%;处于Na_(2)SO_(3)底物环境中的砂浆试样抗压强度变化率-12.9%、质量变化率1.44%。Na_(2)S2O_(3)底物环境试样生成石膏的含量低于Na_(2)SO_(3)底物环境试样生成石膏的含量,分别在75 d和45 d后由于大量石膏的膨胀力作用下使得砂浆试样最终劣化。 相似文献
995.
臭氧发生器逆变电源性能是提高其产量的关键,基于此,这里提出采用数字信号处理器(DSP)控制技术对臭氧发生器逆变电源进行总体方案设计,包括主回路和控制回路方案设计.其中,主回路包括三相电源、三相整流电路、LC滤波电路、全桥逆变电路、升压电路以及负载电路;控制回路包括DSP最小系统、逆变器脉宽调制(PWM)驱动电路、信号采样电路、故障检测电路以及通讯接口电路.采用DSP TMS320F28335作为系统的主控芯片,以构成电源系统中的交流信号采样、状态指示和相位调节系统.最后,对硬件电路进行了软件调试,包括PWM驱动信号调试、移相整定功率输出调试、锁相环频率跟踪调试以及整体输出实验调试.软件调试的结果表明,这里提出的基于DSP控制的臭氧发生器逆变电源系统具有较好的正弦特性和抗干扰性以及较低的谐波失真度. 相似文献
996.
997.
998.
对紫铜色铝型材容易出现的诸多表面缺陷原因、两种防褪色工艺机理与存在缺点进行了分析.结果表明:通过试验与工业化应用实践,采用"二次电解着色法"工艺,既能有效地解决紫铜色铝型材褪色问题,又不会产生紫铜色膜裂、颜色失真等新问题.确定了工艺要点与应用条件,并且对"二次电解着色法"工艺的防褪色机理进行了研究. 相似文献
999.
单翼迷宫式滴灌带产品新国家标准中增加了氧化诱导时间(OIT),这对产品的抗热氧老化性能提出了要求。本文从滴灌带配方出发,讨论了产品原料与其OIT的料效关系,结果表明,防老化母料的加入比例对滴灌带的OIT影响最大,增加其比例可增大滴灌带的OIT;高密度聚乙烯(PE?HD)的加入比例对滴灌带的OIT影响大于线性低密度聚乙烯(PE?LLD)和低密度聚乙烯(PE?LD)的加入比例,增加PE?HD比例、减小PE?LLD和PE?LD比例可增大滴灌带的OIT;PE?LD的加入比例对滴灌带OIT的影响最小,在配方设计时应综合使用比例合理的PE?HD、PE?LLD、PE?LD以满足滴灌带良好的加工和其他性能要求;防老化母料中稳定剂比例不应随成本而减少,稳定剂比例增大时,滴灌带的OIT增大;通过对滴灌带的熔体质量流动速率(MFR)、炭黑含量及OIT指标测试,得出滴灌带MFR和炭黑含量与其OIT无明显的相互变化关系。 相似文献
1000.
超临界直流锅炉从设计阶段的材料优化选择,到调试、运行阶段的水质指标控制,再到正常运行阶段受热面管的运行监视及运行方式优化均体现了"预防性",突出了"系统性"解决问题的观点,具有较强的指导性. 相似文献