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961.
陈小余 《中国计量学院学报》1997,(2)
用相干态的方法得到旋转磁场中自旋为j的粒子的态矢量的严格表达式,由此可计算相干态和叠加相干态的Abaronov-Anandan相位(AA相让).并具有清楚的物理图象. 相似文献
962.
963.
创建一个包含多变体结构特征的双态组织几何模型,提出一种变形协调性的评估方法,采用以率相关滑移为主的晶体塑性有限元本构关系,研究了具有不同组织特征的Ti-6Al-4V合金双态组织的高温拉伸行为。结果表明:在多晶变形过程中,αp相承载了更多的应变;在变形后的样品中,出现了大致对称分布于拉伸方向两侧的高应变交叉条带;存在于αp与βT之间的包围结构特征,可加剧局域应变分配的差异;随着αp相体积分数的升高应变量降低,整体应变协调性先较快降低而后平稳;随着αs片层厚度的增加高应变条带特征弱化,整体应变协调系数升高;含双变体αs片层团簇结构的βT组织,其应变协调性低于含单变体和三变体的组织。 相似文献
964.
965.
退火温度对磁控溅射SiC薄膜结构和光学性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
首先采用射频磁控溅射法在单晶Si(100)衬底上沉积制备了SiC薄膜,然后将所制备的薄膜试样分别在600,800和1 000℃氩气氛中退火120 min;采用X射线衍射仪和红外吸收光谱仪分析了薄膜的结构随退火温度的变化,采用荧光分光分度计研究了薄膜的发光性能随退火温度的变化。结果表明:室温制备的SiC薄膜为非晶态,经600℃退火后薄膜结晶,且随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度越来越好,并且部分SiC结构发生了由α-SiC到β-SiC的转变;所制备的SiC薄膜在384和408 nm处有两个发光峰,且两峰的强度均随退火温度的升高逐渐变强,其中384nm处的峰源自于SiC的发光,408 nm处的峰源自于碳簇的发光。 相似文献
966.
967.
968.
969.
采用喷射沉积工艺制备了SiCp/Al-Zn-Mg-Cu超高强铝合金基复合材料,通过等径角挤压工艺对挤压后的复合材料试样进行了大塑性变形。研究了不同退火处理制度对等径角挤压试样室温力学性能及显微组织的影响,观察了不同状态的断裂特征,结果表明,退火处理后,等径角挤压试样发生韧性断裂,断口出现大量的韧窝,韧窝底部存在一定量等径角剪切破碎产生的细小SiC粒子。同时该复合材料等径角挤压后的力学性能及断裂行为与退火处理制度有关,随着退火温度的升高,复合材料的室温拉伸强度逐渐增大,但其塑性逐渐降低。SiC增强颗粒与Al合金基体之间的界面结合力较小,在拉伸过程中以拔出的形式为主。 相似文献
970.
退火作为工业上控制和改变金属材料组织、结构和性能的重要手段,在生产中具有很重要的意义.采用电化学工作站研究了含稀土Ce的CuCrZr合金退火前后在氯化钠溶液中的电化学性能.结果表明,稀土元素Ce的添加有利于提高合金的耐蚀性.对于未退火的研究试样,Ce的添加降低了合金的腐蚀电流;而对于经过退火处理的试样,退火增加了合金在氯化钠溶液中的腐蚀电流,但Ce对耐蚀性的提高作用依旧存在,它的存在可减缓退火对合金耐蚀性的降低作用.同时,试样在1 mol/L NaCl水溶液中的阻抗谱表明:退火提高了试样表面产物膜的致密度,增加了腐蚀反应的难度. 相似文献