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本文综术了集成电路工艺的Cu布线中Cu薄膜化学气相沉积(CVD)的研究背景,详细介绍了CVD生长Cu金属薄膜的国内外研究进展及CVD对前趋物的要求,并对前趋物的一些物理、化学性质进行了总结,最后,对薄膜沉积的计算机摸拟作了简要介绍。 相似文献
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介绍云南铜业股份公司引进艾萨炉熔炼技术改造铜熔炼系统过程中供电系统技术改造方案的选择、内容、实施及取得的效果。 相似文献
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合成了一价铜和2-巯基嘧啶盐的配合物[Cu6(pymt)6]并进行结构分析,该配合物能发出强的红色荧光。其中,一价铜离子的配位环境为变形平面三角形,陪体pymt采用μ3-S2N桥联方式参与配位。 相似文献