首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   359篇
  免费   57篇
  国内免费   33篇
综合类   12篇
化学工业   49篇
金属工艺   97篇
机械仪表   9篇
建筑科学   2篇
矿业工程   20篇
能源动力   1篇
轻工业   1篇
石油天然气   2篇
武器工业   1篇
无线电   54篇
一般工业技术   53篇
冶金工业   119篇
原子能技术   27篇
自动化技术   2篇
  2024年   5篇
  2023年   12篇
  2022年   6篇
  2021年   16篇
  2020年   16篇
  2019年   9篇
  2018年   6篇
  2017年   4篇
  2016年   14篇
  2015年   16篇
  2014年   27篇
  2013年   16篇
  2012年   14篇
  2011年   4篇
  2010年   25篇
  2009年   27篇
  2008年   20篇
  2007年   35篇
  2006年   27篇
  2005年   17篇
  2004年   24篇
  2003年   8篇
  2002年   2篇
  2001年   9篇
  2000年   4篇
  1999年   4篇
  1998年   8篇
  1997年   4篇
  1996年   18篇
  1995年   6篇
  1994年   5篇
  1993年   13篇
  1992年   6篇
  1991年   3篇
  1990年   7篇
  1989年   5篇
  1987年   1篇
  1986年   1篇
  1983年   3篇
  1982年   2篇
排序方式: 共有449条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
我国锆、铪材加工技术的进步及发展   总被引:2,自引:1,他引:2  
从熔炼、轧制、热处理、无损检测等锆材加工的关键环节综合评述了我国锆、材加工技术的进步和现状,指出目前我国锆、材加工技术已达到或超过了世界先进水平;同时,希望国家采取扶持政策,使该行业能够持续快速发展,真正实现我国核电国产化,锆材国产化。  相似文献   
12.
近年来,随着我国国民经济持续、高速、健康的发展,我国钛工业也同步持续、高速的发展。截止2005年底,我国钛加工材的需求量达到12200t,并出现了第一个万吨级产能的海绵钛大厂。2006年,我国钛工业还将有一个巨大的增长,海绵钛和钛加工材的产量将双双过万吨,并将出现一个优质钛锭产能过万吨的钛加工材大厂。在这样的大好形势下,怎样使我国钛工业持续、高效、与环境友好和谐的发展,是我国钛业工作者亟待思考的课题。  相似文献   
13.
称取0.5 g金属样品置于瓷坩埚中,加入0.3 g纯铁和1.5 g钨锡粒助熔剂,设定高频燃烧红外碳分析功率为80%,吹扫和延迟时间均为10 s,比较水平为2,以钢铁碳标准物质样单点校准设备,绘制校准曲线,并用标准物质验证曲线准确性,建立金属中碳含量的测定方法,测量范围为0.001%~0.040%。采用该方法对2个厂家的金属中碳含量进行测定,测定结果的相对标准偏差不大于8%,在2个金属样品中加入钢铁碳标样进行加标回收试验,回收率在85%~106%之间。  相似文献   
14.
作为微电子器件中最具发展前景的高介电薄膜材料,HfO2薄膜得到了学者们的广泛研究。低漏电流是HfO2薄膜使器件获得优良性能的前提,但易受晶粒尺寸、氧空位和粗糙度等因素影响。针对反应磁控溅射所得薄膜表面粗糙度高及漏电流密度大等缺点,本文在溅射过程中通过在衬底施加偏压的方法降低了HfO2薄膜的漏电流密度。结果表明:通过在衬底施加适当的偏压使得Y掺杂HfO2(Y∶HfO2)薄膜的漏电流密度降低到8×10-8 A/cm2。漏电流密度的变化与薄膜粗糙度和晶粒尺寸有关,而薄膜粗糙度和晶粒尺寸主要受衬底偏压的影响,但衬底偏压对薄膜物相的影响可以忽略。通过施加衬底偏压,利用反应磁控溅射方法制备了低漏电流和高k值Y∶HfO2薄膜,可为高性能器件的制备提供基础。  相似文献   
15.
英国剑桥大学研制出一种介电常数更高的氧化新材料。其有望用于制造更微型的电子和光电设备,以及更高效的太阳能电池等。  相似文献   
16.
分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正,得出HfO2高k栅介质的准确C-V特性.其次,给出了一种利用平带电容提取高k介质EOT的方法,该方法能克服量子效应所产生的反型层或积累层电容的影响.采用该两步法提取的HfO2高k栅介质EOT与包含量子修正的Poisson方程数值模拟结果对比,误差小于5%,验证了该方法的正确性.  相似文献   
17.
由中国有色金属工业协会钛锆分会主办,第二届全国锆行业大会暨中国锆发展论坛于2006年11月1日至3日在北京召开。来自国内外从事锆采选、锆砂加工应用、化学制品生产、锆冶炼、锆加工、锆科研及新材料研发的企业、院所、高校和新闻媒体的代表共170人参加了会议。中国有色金属工业协会党委副书记、副秘书长赵家生,国家科技部黄世兴处长,钛锆分会顾问曹春晓院士,中国有色金属学会稀有金属学委会主任张国成院士出席了会议。  相似文献   
18.
本工作研究微量在阴离子和阳离子交换树脂上不同介质下的吸附行为。  相似文献   
19.
用电子束蒸发氧化靶的方法.在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃.300s)。借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构.研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化.结果表明退火后氧化薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态,薄膜中的O/Hf原子比较退火前更接近化学计量比2。借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能.证明在SOI材料上制备的多晶氧化薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能。  相似文献   
20.
综述了我国核用锆、材研究开发和生产的历史进程和技术进步.总体上我国已建立起整套的锆、材研究开发和生产体系,掌握了主要的生产技术,但在材料应用和国产化方面还与核材料先进国家存在差距.指出,解决海绵锆的国内自给,解决吨级铸锭的成分控制技术,建立先进的板、带材生产线,完善异型材生产技术是我国建立完备锆、材生产体系的保障;开发具有自主知识产权的高性能锆、新材料,解决工程应用研究的瓶颈,是开拓国际市场和实现国产化的关键,从而保证我国核电事业健康、安全和可持续发展.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号