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11.
12.
《稀有金属材料与工程》2006,23(4):42-42
近年来,随着我国国民经济持续、高速、健康的发展,我国钛工业也同步持续、高速的发展。截止2005年底,我国钛加工材的需求量达到12200t,并出现了第一个万吨级产能的海绵钛大厂。2006年,我国钛工业还将有一个巨大的增长,海绵钛和钛加工材的产量将双双过万吨,并将出现一个优质钛锭产能过万吨的钛加工材大厂。在这样的大好形势下,怎样使我国钛工业持续、高效、与环境友好和谐的发展,是我国钛业工作者亟待思考的课题。 相似文献
13.
称取0.5 g金属铪样品置于瓷坩埚中,加入0.3 g纯铁和1.5 g钨锡粒助熔剂,设定高频燃烧红外碳分析功率为80%,吹扫和延迟时间均为10 s,比较水平为2,以钢铁碳标准物质样单点校准设备,绘制校准曲线,并用标准物质验证曲线准确性,建立金属铪中碳含量的测定方法,测量范围为0.001%~0.040%。采用该方法对2个厂家的金属铪中碳含量进行测定,测定结果的相对标准偏差不大于8%,在2个金属铪样品中加入钢铁碳标样进行加标回收试验,回收率在85%~106%之间。 相似文献
14.
作为微电子器件中最具发展前景的高介电薄膜材料,HfO2薄膜得到了学者们的广泛研究。低漏电流是HfO2薄膜使器件获得优良性能的前提,但易受晶粒尺寸、氧空位和粗糙度等因素影响。针对反应磁控溅射所得薄膜表面粗糙度高及漏电流密度大等缺点,本文在溅射过程中通过在衬底施加偏压的方法降低了HfO2薄膜的漏电流密度。结果表明:通过在衬底施加适当的偏压使得Y掺杂HfO2(Y∶HfO2)薄膜的漏电流密度降低到8×10-8 A/cm2。漏电流密度的变化与薄膜粗糙度和晶粒尺寸有关,而薄膜粗糙度和晶粒尺寸主要受衬底偏压的影响,但衬底偏压对薄膜物相的影响可以忽略。通过施加衬底偏压,利用反应磁控溅射方法制备了低漏电流和高k值Y∶HfO2薄膜,可为高性能器件的制备提供基础。 相似文献
15.
《军民两用技术与产品》2012,(3):34-34
英国剑桥大学研制出一种介电常数更高的氧化铪新材料。其有望用于制造更微型的电子和光电设备,以及更高效的太阳能电池等。 相似文献
16.
17.
中国有色金属工业协会钛锆铪分会 《钛工业进展》2006,23(6):1-2
由中国有色金属工业协会钛锆铪分会主办,第二届全国锆铪行业大会暨中国锆铪发展论坛于2006年11月1日至3日在北京召开。来自国内外从事锆铪采选、锆砂加工应用、化学制品生产、锆铪冶炼、锆铪加工、锆铪科研及新材料研发的企业、院所、高校和新闻媒体的代表共170人参加了会议。中国有色金属工业协会党委副书记、副秘书长赵家生,国家科技部黄世兴处长,钛锆铪分会顾问曹春晓院士,中国有色金属学会稀有金属学委会主任张国成院士出席了会议。 相似文献
18.
本工作研究微量铪在阴离子和阳离子交换树脂上不同介质下的吸附行为。 相似文献
19.
用电子束蒸发氧化铪靶的方法.在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃.300s)。借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构.研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化.结果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态,薄膜中的O/Hf原子比较退火前更接近化学计量比2。借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能.证明在SOI材料上制备的多晶氧化铪薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能。 相似文献
20.
综述了我国核用锆、铪材研究开发和生产的历史进程和技术进步.总体上我国已建立起整套的锆、铪材研究开发和生产体系,掌握了主要的生产技术,但在材料应用和国产化方面还与核材料先进国家存在差距.指出,解决海绵锆的国内自给,解决吨级铸锭的成分控制技术,建立先进的板、带材生产线,完善异型材生产技术是我国建立完备锆、铪材生产体系的保障;开发具有自主知识产权的高性能锆、铪新材料,解决工程应用研究的瓶颈,是开拓国际市场和实现国产化的关键,从而保证我国核电事业健康、安全和可持续发展. 相似文献