钽铪在硫酸体系下的浸出分离研究

针对钽、铪分离多采用HF体系,易造成环境污染这一现状,以某牌号含钽、铪合金渣为原料,采用焙烧+浓硫酸浸出工艺对钽、铪的分离进行研究。试验表明,当合金渣与碳酸钠质量比为1∶1、焙烧温度1 000℃、浓硫酸与合金渣体积质量为1∶1、浸出时间1h时,钽、铪的分离效率最高,可实现钽与铪的有效分离。     

富集渣中铪的TBP萃取分离研究

以铪钛富集渣为原料,经硝酸溶解后采用TBP进行铪的萃取分离试验,主要考察铪钛质量浓度、有机相初始酸度、萃取时间、水相初始酸度、相比等对铪钛分离的影响,同时进行了不同浓度硝酸洗涤试验,以萃取和洗涤得到数据为基础进行了分馏萃取理论级数的计算。结果表明,最优萃取条件为:铪钛总质量浓度2.8g/L、有机相初始酸度3.1mol/L、萃取时间6min、水相初始酸度6.5mol/L、相比1∶1,铪、钛萃取率分别为84.8%和5.1%,铪、钛分配比分别为5.6和0.054,萃取分离系数β_(Hf/Ti)=104。选用10mol/L硝酸洗涤TBP载铪有机相,得到洗涤β_(Hf/Ti)=105,基本与β_(Hf/Ti)保持一致,经计算分馏萃取分离铪钛需要萃取级数3级,洗涤级数4级。     

硫化锌衬底上氧化铪保护膜制备及性能研究

采用磁控溅射法在硫化锌衬底上制备了氧化铪薄膜,并对氧化铪薄膜的结构和性能进行了分析和测试.结果表明,制备的氧化铪薄膜结构为单斜相,膜层致密,在8～12 μm波段对硫化锌衬底的透过率没有明显影响,硬度显著高于衬底的硬度,且与衬底结合良好,适合用作硫化锌的红外保护膜.     

Investigation of charge loss characteristics of HfO2 annealed in N2 or 02 ambient

The retention characteristics of electrons and holes in hafnium oxide with post-deposition annealing in a N2 or 02 ambient were investigated by Kelvin probe force microscopy. The KFM results show that compared with the N2 PDA process, the O2 PDA process can lead to a significant retention improvement. Vertical charge leakage and lateral charge spreading both played an important role in the charge loss mechanisms. The retention improvement is attributed to the deeper trap energy. For electrons, the trap energy of the HOS structure annealed in a N2 or 02 ambient were determined to be about 0.44 and 0.49 eV, respectively. For holes, these are about 0.34 and 0.36 eV, respectively. Finally, the electrical characteristics of the memory devices are demonstrated from the experiment, which agreed with our characterization results. The qualitative and quantitative determination of the charge retention properties, the possible charge decay mechanism and trap energy reported in this work can be very useful for the characterization of hafnium charge storage devices.     

钛锆铪分会2009年常务理事会暨工作会议纪要

为总结钛锆铪分会2008年的工作，分析金融危机对我国钛行业的影响及近期钛行业的走势，研究确定2009年的工作任务，集思广益地做好协会工作，分会于2009年2月26曰在北京召开了常务理事会暨工作会议。     

二溴苯羟基荧光酮荧光光度法测定微量铪的研究

建立了铪－二溴苯羟基荧光酮－乳化剂ＯＰ荧光光度法测定微量给的新体系，在ＨＣｌ介质中，表面活性剂乳化剂ＯＰ存在下，铪与二溴苯羟基荧光酮形成荧光性络合物，荧光强度与铪离子在０－４．０μｇ／２５ｍＬ呈线性关系，检出限为０．５ｎｇ／ｍＬ，方法灵敏度高，选择性好，选用磷酸三丁脂煤油溶液萃取分离锆后用于测定锆英石和瓷釉中的氧化铪，结果满意。     

表面处理对HfO_2栅介质MOS电容界面特性的影响

在溅射淀积HfO2栅介质之前,采用NO、N2O、O2+CHCCl3(TCE)进行表面预处理。结果表明,预处理能改善界面和近界面特性,减小界面层厚度,尤其是新颖的TCE+少量O2的表面处理工艺,能有效抑制界面层的生长,大大降低界面态密度,减小栅极漏电流。其机理在于TCE分解产生的Cl2和HCl能有效地钝化界面附近Si悬挂键和其它结构缺陷,并能去除离子污染。     

锆铪分离的湿法工艺比较及分析

介绍了N235/P204-硫酸体系、MIBK-硫氰酸体系和TBP-盐酸硝酸体系分离锆、铪的工艺流程,分别从有机相、料液、萃取洗涤工艺参数、流程工序以及各流程特点对3种分离工艺的优缺点进行了比较.     

掺Er HfO2薄膜材料的光致发光性质

用脉冲激光淀积(PLD)技术和离子注入的方法制备了掺Er氧化铪(HfO2)薄膜样品,观察到了样品中Er离子波长1535nm的室温和变温光致发光(PL)现象.分析了后期不同的退火温度对样品发光强度的影响,发现当退火温度选取800℃时可最大程度减少材料中的晶格损伤和缺陷等非辐射衰减中心,同时光激活Er离子,从而实现最大强度的光致发光.通过对样品光致发光激发(PLE)的测量分析发现,在Er离子的发光过程中除了直接吸收的过程之外还存在着间接激发的过程.HfO2将会成为Er掺杂的一种很好的基质材料.     

矿冶物料中锆（铪）的光度分析

本文综述了近十多年来矿冶物料中锆（铪）的光度分析方法的发展状况，测定体系与测定条件，以及相应光度分析方法的检测限或灵敏度、干扰情况和测定范围及实际应用等。