锆铪萃取分离系统参数的多目标优化决策

本文对叔胺从硫酸水溶液中萃取分离锆、铪的流程系统参数,用随机寻优法分别进行了单目标函数和多目标函数的优化算法研究,并对两种方法进行了对比。对比结果表明,多目标优化决策明显胜过单目标优化方法。     

Hafnium carbide structural foams synthesized from polymer precursors

Hafnium carbide （HfC） was applied in space and aerospace due to its ultra high melting temperature, high specific strength and moderate oxidation resistance. A novel synthesizing method was used to produce low density and high strength HfC structural foams through the thermolysis and pyrolysis of Hf containing polymer precursors （mixing of hafiaium trifluoroacetylacetonate and epoxy） under vacuum atmosphere. The X-ray diffraction analysis shows that the produced foam is primarily composed of HfC containing 9%-10% HfO2. Several polymer powder compaction methods were used to improve the mechanical properties of HfC foam. Compression strengths of 200 MPa are achieved for HfC foams with density of 1.9 g/cm^3 （total porosity about 85%）. The proposed methodology of synthesizing HfC foam has the advantages of simple, inexpensive and less production time than alternate methods.     

铪试剂及控制棒中铪同位素丰度测定

本文描述用 CH_5质谱计表面电离源双带组件测定天然铪同位素丰度。铪的化学形态为过氯酸盐或硝酸盐。铪离子流收集均用电子倍增器,其测量精度(除~(174)Hf/~(176)Hf 比之外)在0.5%以内。此外,该结果还与用法拉第筒收集器的测量值进行了比较。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定锆铪合金中磷铁铪

锆铪合金性能优异、应用广泛,其化学成分须准确测定。试验采用10mL盐酸-2mL氢氟酸-1mL硝酸消解样品,选择P 178.221nm、Fe 239.562nm、Hf 277.336nm为分析线并采用两点校正法扣除背景,建立了电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定锆铪合金中磷、铁、铪的分析方法。各元素校准曲线线性良好,相关系数均不小于0.999;方法测定范围为:0.002%~0.036%磷,0.01%~0.36%铁,1.00%~5.00%铪。方法中各元素检出限为0.000032%~0.0019%(质量分数)。按照实验方法测定1个锆铪合金样品中磷、铁、铪,测定结果的相对标准偏差(RSD,n=10)小于3%;回收率为94%~107%。     

氧化铪中杂质的光谱分析——阴极区曝光法

氧化铪中杂质的光谱分析一般均用载体分馏法,分析下限约为0.001%.由于氧化铪主体昂贵,希望取样量少,要求相对分析灵敏度较高.用20%氯化银作载体,取样6毫克,分析下限为0.0008～0.007之间.宝鸡有色金属研究所用氯化银、焦硫酸钠混合载体,取样30毫克,分析下限达0.0005～0.003%左右.     

混合酸系统磷酸三丁酯萃取分离锆铪

论述了混合酸系统磷酸三丁酯萃取分离锆铪的工艺特点和技术参数以及在设计、生产中的应用情况。     

密闭消解电感耦合等离子体质谱法测定铝土矿中锂、锶、镓、铌、钽、锆和铪

采用电感耦合等离子体质谱,硝酸-氢氟酸增压密闭消解样品,实现了铝土矿中锂、锶、镓、铌、钽、锆和铪的同时测定。实验中探讨了最佳的消解程序,选择适当的同位素,并用铑、铼做内标元素,有效地抑制了分析信号的漂移。各元素的检出限在0.02～1.00μg.g-1,相对标准偏差在0.63%～1.63%,Nb,Ta,Hf的回收率在99.2%～99.6%;该方法经国家标准物质（GBW07177,GBW07182,GBW07180）验证,各元素测试结果与真值很接近。     

退火气氛对Ge MOS电容电特性的影响

采用反应磁控溅射法在Ge衬底上制备了HfTiO高介电常数k栅介质薄膜,研究了不同气体(N2、NO、N2O)淀积后退火对Ge金属-氧化物-半导体(MOS)电容性能的影响.透射电子显微镜和电特性测量表明,湿N2退火能有效抑制界面层的生长,提高界面质量,改善栅极漏电流特性,从而得到最优的器件性能,即Al/HfTiO/n-Ge MOS电容的栅介质等效氧化物厚0.81 nm,k=34.5,带隙中央界面态密度为2.4×1011cm-2·eV-1,1 V栅偏压下的栅极漏电流为2.71×10-4A·cm-2.     

钎焊真空度对铜与铪钎焊接头组织及性能的影响

采用72Ag-28Cu钎料对铜与铪进行真空钎焊试验.钎焊温度为840℃,保温时间为15 min,真空度试验范围为5.0×10-2~8.0Pa.研究了钎焊真空度对铜与铪钎焊接头组织及性能的影响,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)观察钎焊接头的组织形貌,采用ZWICKZ050电子万能材料试验机测试接头剪切强度.结果表明:随着钎焊真空度的升高,接头剪切强度呈先升高后降低的趋势;在钎焊温度为840℃、保温时间为15 min时,较佳的钎焊真空度为2.0×10-1Pa.