固态源输运系统推动铪基栅介质的应用

在生产中引入高介电常数绝缘材料/金属栅电极结构,需要采用全新的制造技术,前驱物和输运系统推动了铪基材料栅极绝缘层的应用。AID技术也促进了新一代栅电极材料的推广和应用。     

高k电介质及其设备

"2007年11月,英特尔量产高k电介质45nm微处理器"。它表明高k电介质/金属栅极技术已商业化。它可确保摩尔定律至少再延续10年。但是,ITRS2006修正版指出,高k电介质/金属栅极在低静态功耗(LSTP)逻辑IC的预期应用时间是2008年,高k电介质/金属栅极在高性能和低功耗(LOP)IC的预期应用时间是2010年。制造高k电介质的设备是化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)设备。制造金属栅极的设备是物理气相沉积(PVD)和ALD设备。     

表面钝化对HfTiON栅介质Ge MOS电容性能的影响

通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜,并利用湿N2气氛退火,将HfTiN转化为HfTiON高κ栅介质.研究了表面钝化对MOS器件性能的影响,结果表明,湿NO表面钝化能改善界面质量,有效降低MOS电容的栅极漏电流,增强器件的可靠性.     

铪在高温合金中的应用及回收

介绍了金属铪在新材料中的应用,重点阐述了铪在高温合金中的作用机理。综述了含铪高温合金材回收的重要性及回收方法。铪的回收方法主要有铪残料回收、含铪镍基高温合金返回料复用、湿法冶金回收方法提取废料中铪。展望了铪及相关材料的发展趋势:市场对铪的需求将随高温合金的发展而增长;从含铪废料中提取铪也是铪产业未来发展的趋势;材料的"素化"也将是新材料的发展途径之一。     

反铁电材料铪酸铅研究进展

反铁电材料因具有独特的双电滞回线特征而受到了学术界广泛关注。目前反铁电材料相关研究的深入性和全面性不足,仍阻碍了其在更多领域的应用。因此,进一步研究和开发反铁电材料,对于推动科技的发展和社会的进步具有重要意义。本文综述了反铁电材料铪酸铅的研究现状,发展趋势及应用前景。详细介绍了铪酸铅基材料的基本储能性能参数、晶体结构、相变机制、离子掺杂改性以及制备工艺等。研究表明：铪酸铅反铁电材料具有快速充放电,极高的功率密度和能量密度以及杰出的电卡效应,这在储能和固态制冷等领域具有广泛的应用前景。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定锆铪合金中磷铁铪

锆铪合金性能优异、应用广泛,其化学成分须准确测定。试验采用10mL盐酸-2mL氢氟酸-1mL硝酸消解样品,选择P 178.221nm、Fe 239.562nm、Hf 277.336nm为分析线并采用两点校正法扣除背景,建立了电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定锆铪合金中磷、铁、铪的分析方法。各元素校准曲线线性良好,相关系数均不小于0.999;方法测定范围为:0.002%~0.036%磷,0.01%~0.36%铁,1.00%~5.00%铪。方法中各元素检出限为0.000032%~0.0019%(质量分数)。按照实验方法测定1个锆铪合金样品中磷、铁、铪,测定结果的相对标准偏差(RSD,n=10)小于3%;回收率为94%~107%。     

Hf-Si-La-O-N体系中HfN的形成及相关系

本研究探讨了一步法制备HfN复合硅酸镧盐陶瓷材料的可行性和配方设计问题, 并对HfO₂-Si₃N₄-La₂O₃三元系统反应合成HfN进行了实验验证。因为在HfO₂-Si₃N₄-La₂O₃三元系统的反应过程中涉及到硅酸镧盐Si₃N₄-SiO₂- La₂O₃系统, 所以将其延伸为HfO₂-Si₃N₄-La₂O₃-SiO₂-HfN (Hf-Si-La-O-N)五元系统, 研究了HfO₂-Si₃N₄二元系统的反应途径以及Hf-Si-La-O-N体系的相关系, 阐明了HfN与系统内镧盐相的共存关系, 并绘制了HfO₂-SiO₂-La₂O₃三元系统和Hf-Si-La-O-N五元系统1500 ℃的实验相图, 提出的HfO₂-Si₃N₄-La₂O₃截面图为HfN复合硅酸镧盐陶瓷材料的配方设计提供了思路。实验发现: HfO₂-Si₃N₄二元系统高温下合成HfN的反应中存在中间产物Hf₇O₈N₄; 引入La₂O₃促进了系统生成HfN, 并降低了陶瓷烧失率; Hf-Si-La-O-N五元系统内存在HfN与La_4.67Si₃O₁₃、La₅Si₃NO₁₂、LaSiNO₂、La₄Si₂N₂O₇和La₂Hf₂O₇五种镧盐的共存相。     

高效液膜分离富集、测定微量铪

研究了协同流动载体（HEHEHP＋TOA）表面活性剂（ENJ－3029）、溶剂（煤油）和内相（1．2％草酸溶液）等高效液膜体系，对分离富集微量铪的影响。确定了HEHEHP－TOA－ENJ－3029－煤油－草酸溶液体系的最佳组成、最适宜的实验条件。实验表明，只有HfO2+能从常见的金属离子（如Zr4+、Fe3+、Al3+、Ti4+、SiO2-3等）中得到满意的分离富集。富集后的铪用偶氮胂Ⅲ法分光光度计测定之。该法已用于富集和测定锆英石矿、氧化锆和锆铁合金中的微量铪，结果十分满意。     

制备工艺条件对HfO_2薄膜结构和性能的影响

用电子束蒸发、离子束辅助、反应磁控溅射三种方法在石英衬底上制备了氧化铪薄膜.利用掠角X射线衍射和扫描电镜分析了不同制备工艺条件下氧化铪薄膜的晶体结构和显微结构,用紫外.可见分光光度计、椭偏仪、和纳米硬度计分别测试了不同制备工艺条件下氧化铪薄膜的可见透射光谱、光学常数和硬度.结果表明薄膜的晶体结构、显微结构、光学性能和硬度等都与制备工艺有着密切的关系,电子束蒸发制备的薄膜为非晶相,而离子束辅助和反应磁控溅射制备的薄膜为多晶相,三种方法制备的氧化铪薄膜都为柱状结构,电子束蒸发和离子束辅助制备的薄膜色散严重,但反应磁控溅射制备的薄膜吸收较大,反应磁控溅射制备薄膜的硬度远大于电子束蒸发和离子束辅助制备薄膜的硬度.并分别用薄膜成核长大热力学原理和薄膜结构区域模型解释了不同工艺条件下氧化铪薄膜晶体结构和显微结构不同的原因.