一种阻燃提花窗帘布的开发探讨

本文主要论述了利用自产阻燃涤纶纤维开发阻燃提花窗帘布的花型、工艺设计，该产品新颖，市场前景看好。     

8VSB芯片的层次式设计方法

提出了深亚微米下系统级芯片层次式版图设计的方法，并用该方法设计了HDTV信道解码芯片8VSB的版图。实例设计结果表明，该方法在节约面积、加速时序收敛方面效果明显，大大缩短了芯片设计周期。     

OTP工艺的基本特点和工艺难度简介

什么是OTP?——这样的产品只允许写入一次，所以被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。     

深亚微米工艺下集成电路的电磁兼容性设计（上）

随着IC设计逐步进入VDSM阶段，SOC逐步成为设计的主流，IC设计需要关注的问题也在逐步增加。以前设计时，主要关注芯片面积的大小；在80年代后期，延时(Delay)逐渐成为设计人员关注的问题；进入90年代芯片的功率消耗也成为必须考虑的问题；近来制造中的成品率(Yjeld)，芯片工作中的可靠性，以及电磁干扰噪声(EMI—Noise)也开始成为设计必需满足的条件了。     

正确使用DV磁带

DV摄像带种类不多,现在家用DV主要使用微型DV带,也就是常说的MiniDV带,它的尺寸只有66 mm×48 mm×12.2 mm,一般DV盒带上有4个金属电极,有些DV带还装入4 kB的半导体存储器,它们的功能是用来判别盒带的种类型号、磁带厚度、出厂情况以及用来存储或引导索引数据,可以记录拍摄时的重要数据,MiniDV带的制造工艺是在带基上进行金属蒸镀,具有较高耐磨强度和较强磁性能.     

中轧厂工艺改进及其效果

介绍了中轧厂近年来工艺技术改进情况及改进后的效果。     

Ni-Al2O3纳米复合电镀工艺的初步研究

初步研究了复合电镀各工艺条件：电流密度、镀液pH值和温度以及搅拌方式对Al2O3纳米微粒在镍基复合镀层中含量的影响。研究表明：电流密度增大不利于提高镀层中纳米微粒的含量；pH值增大也明显使复合量降低;镀液温度升高，镀层中微粒的复合量随之略有改变；电镀时，加强搅拌或适当改变搅拌方式，可以使复合镀居中的纳米微粒含量提高。还利用扫描电镜及能谱对Ni-Al2O3镀层表面进行了观察与分析。     

天然气净化技术研究进展

作者在文中评述了天然气净化使用的几种主要方法如醇胺法、膜处理法等．指出了各方法的优势及目前存在的问题。提出了今后天然气净化工艺发展的一些建议。认为应在成熟的天然气脱硫方法的基础上进一步改进，实现同时脱硫脱碳。并且指出膜分离过程与常规分离过程的组合是今后膜技术发展的一个新动向。[编者按]