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新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
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对高铝锌合金的线收缩和缩孔率进行了测定,并着重考察了该合金的底缩现象。试验结果表明,在砂型铸造条件下,产生底缩铸件的临界模数为1.25cm,加快铸件冷却是消除底缩的最有效途径,合金中加入微量的第ⅡA族元素也可消除底缩。 相似文献
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介绍一种高耐压应变型靶式流速传感器,考虑了被测流体粘性的影响,利用流体力学的方法给出了一种简单实用的设计计算公式,用结构有限元程序对传感器弹性元件进行了振动特性分析,并与实验值进行了比较。 相似文献
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采用反相悬浮聚合法合成高吸水性树脂.将丙烯酸(单体,水相)用氢氧化钠部分中和,然后与环己烷(溶剂,油相)共混,用水溶性的过硫酸钾做引发剂,N,N-亚甲基双丙烯酰胺做交联剂,在一定的反应温度和时间下,得到聚丙烯酸钠高吸水性树脂. 相似文献