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21.
22.
新型高k栅介质材料研究进展   总被引:5,自引:0,他引:5  
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。  相似文献   
23.
24.
钨合金废料的资源再生利用技术   总被引:3,自引:0,他引:3  
钨是一种稀有金属,钨合金具有高的强度、硬度,较好的耐高温性、耐密性和良好的电性能。广泛应用于航空航天工业、兵器工业、核工业、信息产业、汽车工业和钢铁工业等行业。目前,钨资源短缺,钨合金价格高、用量大,因此各国都把废弃的钨合金作为宝贵的第二钨资源加以再生利用。本文综述了钨合金的再生利用现状,分别总结了硬质合金、高比重合金、钨铜合金和钨材的再生利用技术,并利用生态环境材料的观点。对每种再生利用技术作了简单的评价。  相似文献   
25.
《塑料科技》2008,36(10)
<正>近日,天津石化开发的纳米高透明线型低密度聚乙烯棚膜专用料,成功实现了工业化生产。经检测,全部18批产品的薄膜雾度均小于8%,能较好地满足农膜市场上对高透明性品种的需求。  相似文献   
26.
CeBIT手机秀     
《世界电信》2008,(3):22-25
CeBIT于3月4日在德国汉诺威开幕,各种外观新颖、功能丰富的手机汇聚一堂,纷纷展现各自的迷人风采。其中,自动脸部识别、可视收音机等创新技术成为本次展会的焦点。精彩纷呈的各式产品,集中显示了终端制造向高智能、3.5G迈进。  相似文献   
27.
对高铝锌合金的线收缩和缩孔率进行了测定,并着重考察了该合金的底缩现象。试验结果表明,在砂型铸造条件下,产生底缩铸件的临界模数为1.25cm,加快铸件冷却是消除底缩的最有效途径,合金中加入微量的第ⅡA族元素也可消除底缩。  相似文献   
28.
29.
介绍一种高耐压应变型靶式流速传感器,考虑了被测流体粘性的影响,利用流体力学的方法给出了一种简单实用的设计计算公式,用结构有限元程序对传感器弹性元件进行了振动特性分析,并与实验值进行了比较。  相似文献   
30.
采用反相悬浮聚合法合成高吸水性树脂.将丙烯酸(单体,水相)用氢氧化钠部分中和,然后与环己烷(溶剂,油相)共混,用水溶性的过硫酸钾做引发剂,N,N-亚甲基双丙烯酰胺做交联剂,在一定的反应温度和时间下,得到聚丙烯酸钠高吸水性树脂.  相似文献   
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