高可靠军用DC／DC电源变换器

介绍采用先进厚膜混合集成工艺制造的高可靠DC／DC电源变换器，包括厚膜导体复合结构、高可靠粘结工艺、等离子体清洗工艺、深腔键合工艺、Cu丝漆包线点焊工艺和平行缝焊结构等许多新工艺、新材料和新技术，此类电源变换器的电性能优良，可靠性高，气密性指标(漏气率)可达5&;#215;10^-4kPa&;#183;cm^3／s，丝焊的键合强度和剪切强度均满足GJB548A的要求，完全适用于航天、弹、箭、星、船和舰等各类型号的电源变换。     

一种基于VDSL的宽带接入解决方案

宽带接入网的接入技术有很多种,如HFC、ADSL、VDSL、LAN和FTTx等,其中VDSL接入技术因能满足快速接入和宽带多媒体业务的需求,越来越受到人们的青睐。 1.VDSL VDSL称为甚高比特率数字用户线,传送模式是基于IP和:Ethernet方式,通常采用DMT调制方式,在一对铜双绞线上实现数字传输。传输距离在1km之内,其速率理论值下行可达10-52Mbit/s,上行可达1.5-     

高补偿硅的光敏感特性

对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响。     

利用自适应变化电源提高功率放大器效率

功率放大器IC的ACPR和效率指标通常针对最大输出功率进行优化,而蜂窝电话在绝大多数时间工作在中等功率或低功率状态,这期间的功放效率将明显降低。利用DC／DC转换器MAX8506提供变化的电源电压,能够有效改善中等功率或低功率模式下的功放效率,延长手机通话时间。     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz.     

0.25μm GaAs基MHEMT器件

采用普通接触曝光研制成栅长为0 .2 5 μm的Ga As基In Al As/ In Ga As变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT) ,测得其跨导为5 2 2 m S/ m m,沟道电流密度达4 90 m A/ mm,截止频率为75 GHz,比同样工艺条件下Ga As基In Ga P/ In Ga As PHEMT的性能有很大的提高.对该器件工艺及结果进行了分析,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法.     

双异质外延Si/Al2O3/Si薄膜制作的CMOS器件

报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延Si/γ-Al2O3/Si单晶薄膜以及用其研制Si/γ-Al2O3/Si CMOS场效应晶体管、Si/γ-Al2O3/Si CMOS集成电路的初步结果.     

掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用

研究了Al Ga As层掺1%的In对Al Ga As/Ga As量子阱光致发光谱的半峰宽的影响.2 5 K的光致发光结果表明,In作为表面活化剂能有效改善Al Ga As/Ga As异质界面的粗糙度.将此方法应用到反型Al Ga As/Ga As高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构中,Hall测量表明该方法能有效提高反型HEMT的电学性能     

智能电能表高阻抗故障检测方法研究

为提高智能电能表检测精度,对高阻抗故障(HIF)的检测方法进行了改进,利用智能电能表作为配电网系统中HIF检测的传感器,实现无需单独安装传感器.基于电压波形测量数据的偶次谐波量,每个智能电能表计算一个指数,测量电压波形中的偶次谐波分量.若任何智能电能表计算出的指数在特定时长中持续超过阈值,则检测到故障.在3个场景进行了实验,结果验证了改进方法的有效性.与基于小波的检测方法和基于谐波的检测方法相比,所提方法能够在存在电力电子负载的情况下进行检测,具有明显优势.     

建利尔为黑龙江及浙江安装高速寻呼网

根据合同建利尔将在黑龙江省13个城市安装FLEX寻呼系统，并扩展省会城市哈尔滨的寻呼覆盖，该城市的寻呼网是1997年建利尔建设的全国网中的一个城市网，哈尔滨的寻呼系统大约有40万用户，是中国五个最大的寻呼网络之一。