结构形式对椭圆扁管管内传热与流阻性能影响

利用数值模拟方法结合场协同理论,对直椭圆扁管、单向螺旋椭圆扁管和变向螺旋椭圆扁管管内传热与流动情况进行了数值模拟计算和理论分析,比较研究了不同的Re、Pr下,3种椭圆扁管的管内传热与流阻特性。结果表明,单向螺旋椭圆扁管和变向螺旋椭圆扁管与直椭圆扁管相比有很好的强化传热性能,而变向螺旋椭圆扁管要比单向螺旋椭圆扁管的强化传热性能更好。在管内流体具有高Pr及低Re的条件下,2种螺旋椭圆扁管的强化传热效果显著,可作为很好的强化传热元件应用于工程实际中。     

一种估算单桩经济直径的方法

在滩海油田开发过程中,经常需要设立立管桩,在环境荷载的作用下,立管桩顶部会发生位移,较大的位移对立管及栈桥的安全很不利,因此需要合理确定单桩的直径。埕岛油田在确定单桩直径时引入了经济直径的概念,文章对经济直径的原理进行了分析,给出了桩顶位移和桩径经济指数计算公式,并举例进行了计算,得出了桩径与桩顶位移及桩径经济指数的关系曲线, 进而求得经济桩径的取值范围。文章还对该方法的优缺点进行了分析。     

选择测试阀在现场测试中的应用

选择测试阀是新一代全通径压控式测试器，在结构和性能上有了本质的创新，使现场操作更加简便、安全，对井筒条件要求低，更适用于高温、高压、深井、气井的地层测试，拓宽了地层测试和其它井下作业的兼容性。经7井次应用，其安全性、可靠性越来越得到认可。     

利用静电学和测量数据对碳纳米管膜场致发射规律的定量分析

碳纳米管膜的场致发射电流密度仅由它表面的宏观电场决定，无论其表面形状是平的还是半球状的。对于理想的平行板电极系统，其表面电场强度均匀（UId），发射电流密度、总电流与发射面积成正比：对于半球一平面电极系统半球形的阴极存在一个宏观场增强因子ks，一个与两极距离和球半径之比（d/r）相关的函数，其表面的平均场强为ks U/d。对于d/r=0，ks=1，d≥r的情况，ks接近于常数。对于10〈d／r〈100的情况，存在一个经验的表达式：ks=1＋0．15d/s=0．005（d／r）^2。在引入ks后，不同作者给出的平面电极系统和半球一平面电极系统碳纳米管膜的场致发射电流I与宏观表面电场强度E的关系都可以近似用-经验公式描述：I=a（E-Eo）^b，a，b为常数。该经验公式可为稳定生产的CNT膜片应用产品设计提供方便。     

径向水平井弯曲转向机构影响因素仿真研究

针对径向水平井钻进中钻杆弯曲转向前进运动困难的问题,通过建立弯曲转向机构仿真有限元模型,对其主要影响因素:滑道轨迹曲率、间隙、工作压力、滚轮形状与位置和钻杆壁厚等用ANSYS软件进行仿真研究。研究表明:影响截面变形的主要因素是滑道曲率的改变和滑道摩擦因数,钻井失败时钻杆所受阻力的增大不是因为升高工作压力导致截面变形过大与滑道干涉所致,钻杆经校直段,钻头中轴线与校直中心线存在一定的角度,即钻杆的前进轨迹就会偏离理论值,或与地层干涉,或可能再次发生弯曲变形;另一主要原因是转向器滑道工作恶化。增加钻杆壁厚,降低工作压力和滑道摩擦因数,设计合理弯曲转向机构是解决问题的关键。     

有限元技术在数值试井中的应用

分析了试井技术的发展趋势，对有限元分析技术及其发展作了较为全面的介绍，重点阐述了利用有限元技术进行三维建模的方法和步骤，尤其是对复杂的非对称边界和非均质油藏的建模方法和技巧进行了深入探讨。利用数值试井技术，石油工程师可以方便准确地对复杂油藏和边界进行建模，试井的模拟过程和油藏任意位置的压力瞬间变化都可以通过图形和颜色的变化显示出来，解释的精度和速度都得到了大大地提高。     

井下电视检测系统在水井施工中的应用

简要介绍了井下电视在大港油田水源井水井结构检测、井管故障检测、指导落物打捞、水源井验收、地层结构检测及水源井地层受力分析等方面的应用情况，及应用井下电视检测所取得的经济效益和社会效益。     

非稳定井流模型的半解析解

为了提高非稳定渗流计算的计算精度 ,通过数学分析得到了水位传导系数随时间变化时 ,一类非稳定渗流井流模型的半解析解 ,并进行了计算比较     

微型轴流风扇噪声特性分析及试验研究

本文对微型轴流风扇噪声的产生机理进行了系统分析及教育处，并进行了实验测试。得出的分析计算结果与实验数据作了比较验证，在声压随观测角度和距离的变化关系上，两者显示出基本一致的趋势。文中以等流量为前提，对降低微型风扇噪声的一种途径作了计算，结果表明采用转轴很细的风扇，可使噪声明显降低（大于3dB）。     

Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.