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991.
钨热电子发射材料的研究进展 总被引:6,自引:1,他引:6
钨热电子发射材料主要用作微波管、阴极射线管、等离子体装置和电子束设备的阴极,是电子产生的源泉,它的研究与应用已有多年历史。本文详细阐述了钨热电子发射材料的种类、性能特点、发射机制及其应用,总结了它们的发展历史和研究进展,提出了目前钨热电子发射材料的几个研究方向。稀土氧化物-钨热电子发射材料具有优越的发射性能,并可解决W-ThO2阴极材料的放射性污染,对综合性能更优的复合稀土氧化物,钨热电子发射材料需要进一步深入研究。随着纳米技术的发展,纳米复合氧化物,钨热电子发射材料是目前钨热电子发射材料研究的热点。在发射过程中,如何保证发射电流的稳定性、均匀性是热发射研究的又一个研究方向。 相似文献
992.
993.
994.
本文介绍了低压布袋除尘技术及在铜合金生产中产生的废气治理的应用。从广州铜材厂有限公司投人运行使用至今来看,低压布袋除尘对氧化锌粉尘有良好的除尘效果,取得了明显的环境效益和社会效益,同时取得收集的粉尘外卖和相对其它方式除尘器省电20%的节能的经济效益。 相似文献
995.
分析了韶关冶炼厂锌精馏过程中铅塔冷凝器实际冷凝能力不足,冲顶事故时有发生的原因,并对二系统1#铅塔冷凝器散热进行了测试。测试结果表明:除顶部壁面处于良好的工作状况外,冷凝器各竖壁面的温度沿高度方向的变化显著,温差较大;在同一高度处,冷凝器北壁面温度明显高于东、西两侧壁面温度。 相似文献
996.
997.
蓝色氧化钨氢还原制取超细钨粉的工艺研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以蓝钨为原料,通过氢还原制取超细钨粉末,研究了还原温度、装舟量和氢气流量对制取钨粉粒度的影响。结果表明:还原温度是制取超细钨粉的关键因素,在适当的工艺条件下,可以使用蓝钨制得超细钨粉。 相似文献
998.
在CTMAB存在下,研究了4,5-二溴邻硝基苯基荧光酮(DBON PF)与锌的显色反应。试验表明,在pH8.0的氨性缓冲溶液中,锌与DBON PF形成1∶2的红色络合物,该络合物的最大吸收波长为595nm,其表观摩尔吸光系数为6.87×104,有色络合物稳定24h以上;25mL溶液中,锌质量在0~10μg范围内符合比尔定律;用锌-DBON PF-CTMAB体系显色测定微量锌,方法灵敏度高,选择性好,测定铁矿样中微量锌,结果满意。 相似文献
999.
1000.
K. K. Makhija Arabinda Ray R. M. Patel U. B. Trivedi H. N. Kapse 《Bulletin of Materials Science》2005,28(1):9-17
A sensor for ammonia gas and ethanol vapour has been fabricated using indium oxide thin film as sensing layer and indium tin
oxide thin film encapsulated in poly(methyl methacrylate) (PMMA) as a miniature heater. For the fabrication of miniature heater
indium tin oxide thin film was grown on special high temperature corning glass substrate by flash evaporation method. Gold
was deposited on the film using thermal evaporation technique under high vacuum. The film was then annealed at 700 K for an
hour. The thermocouple attached on sensing surface measures the appropriate operating temperature.
The thin film gas sensor for ammonia was operated at different concentrations in the temperature range 323–493 K. At 473 K
the sensitivity of the sensor was found to be saturate. The detrimental effect of humidity on ammonia sensing is removed by
intermittent periodic heating of the sensor at the two temperatures 323K and 448 K, respectively. The indium oxide ethanol
vapour sensor operated at fixed concentration of 400 ppm in the temperature range 293–393 K. Above 373 K, the sensor conductance
was found to be saturate. With various thicknesses from 150–300 nm of indium oxide sensor there was no variation in the sensitivity
measurements of ethanol vapour. The block diagram of circuits for detecting the ammonia gas and ethanol vapour has been included
in this paper. 相似文献